Prof. Christen
Institut für Physik (IfP)
Abgeschlossene Projekte
Planare und Vertikale Homo- und Heteroübergänge für Innovative GaN-basierte Leistungsbauelemente
Laufzeit: 01.01.2022 bis 31.12.2024
Die Entwicklung der Gruppe III-Nitride hat eine neue Ära in der Hochfrequenz- und Hochleistungselektronik eingeleitet. Unter anderem durch den Übergang zu regenerativen Energiequellen und zur Elektromobilitiät werden effizientere, kompaktere und wirtschaftlichere Energiewandlungssysteme benötigt. Das große Potenzial der GaN-Leistungselektronik wird durch eine hohe Baliga Figure of Merit eindrucksvoll belegt.Aktuelles Arbeitspferd ist der laterale AlGaN/GaN-HFET, der bis 600 V kommerzialisiert ist. Im Allgemeinen wird jedoch eine vertikale Bauelementgeometrie aufgrund signifikanter Skalierungsvorteile und verbesserter Isolationseigenschaften bevorzugt. Elektrische Feldstärkespitzen liegen im Volumen, wodurch vertikale Bauelemente weniger anfällig für oberflächenbedingte Durchschläge und parasitäre Effekte wie Current Collapse sind. Vertikale Leistungsbauelemente sind auf 3D-Feldformungs- und Stromführungsstrukturen (Heterostrukturen) angewiesen, um niedrige Leckströme und hohe Durchbruchspannungen zu gewährleisten. Da Dotierstoff-Implantation und -Diffusion in GaN nicht einsetzbar sind, werden Selective-Area Growth (SAG)-Prozesse benötigt. SAG hat bereits vielversprechende Ergebnisse gezeigt, der technologische Reifegrad ist für eine Kommerzialisierung jedoch nicht ausreichend. Problematisch ist die nicht optimale Materialqualität, insbesondere in Bezug auf Kristalldefekte und defektreiche Grenzflächen. Neben den hohen Kosten von nativen GaN-Substraten verhindern mangelnde Kenntnisse von Mikrostruktur und Defekteigenschaften sowie unausgereifte Herstellungsprozesse die Entwicklung konkurrenzfähiger vertikaler GaN-Bauelemente.In diesem Projekt wird eine systematische Analyse von Wachstums- und Prozess-bedingten Defekten und der mikroskopischen Eigenschaften von p-n-Übergängen und Heteroübergängen durchgeführt. Die Compound Semiconductor Technology (CST, RWTH Aachen) wird SAG-Prozesse einsetzen, um planare und vertikale p-n-Übergänge und Heteroübergänge in spezifischen Teststrukturen zu implementieren. Die Halbleiterphysik (OvGU Magdeburg) wird auf dieser Basis detaillierte mikro- und nanoskopische Studien mittels (Raster-)Transmissions-elektronenmikroskopie ((S)TEM), Kathodolumineszenz (STEM-CL)-Spektroskopie, "elektronen-strahlinduziertem Strom" (STEM-EBIC)-Messungen sowie Time-of-Flight-Analysen durchführen, um Defekte zu identifizieren, Ladungsträger- und Exzitonentransport/-dynamik zu charakterisieren und diese mit elektrischen Daten und Wachstums-/Prozessbedingungen zu verknüpfen. Dies, ergänzt durch physikalische Modellierung, wird ein tieferes Verständnis der Auswirkungen von Defekten und Prozessen auf die makroskopischen Material-, Grenzflächen- und Bauelementeigenschaften erlauben und zu neuen Strategien zur Herstellung von Leistungsbauelementen führen. Schließlich werden verbesserte Junction-Barrier-Schottky-Dioden (JBS), Vertical-Channel-Junction-FET (vc-JFET) oder Current-Aperture-Vertical-Electron-Transistoren (CAVET) demonstriert.
Elektron-Phonon Wechselwirkung in Halbleiter Nanostrukturen
Laufzeit: 01.01.2016 bis 31.12.2019
Als zentrale Fragestellung wird die Elektron-Phonon Wechselwirkung, hauptsächlich in Nitrid-Einzelquanten-punkten, untersucht.Dazu werden nanoskopische Methoden wie spitzenverstärkte Ramanspektroskopie, Kathodolumineszenz-Spekroskopie imTransmissionselektronenmikroskop, örtlich- und zeitaufgelöste Photo- und Kathodolumineszenzspektroskopie in Verbindung mitKreuz- und Autokorrelation Experimenten ausgenutzt. Diese einmalige Kombination von hochentwickelten spektroskopischenMethoden ermöglicht es uns, die Elektron-Phonon Wechselwirkung mit einer örtlichen Auflösung besser als 20 nm (5 nm)nachzuweisen. Als Anwendungspotenzial werden Nitrid-Raumtemperatur-Einzelphotonenemitter und Laser im ultravioletten
Spektralgebiet charakterisiert.
Integriertes Graduiertenkolleg "School of Nanophotonics" (MGK)
Laufzeit: 01.01.2016 bis 31.12.2019
Ziel des integrierten Graduiertenkollegs (iGRK) "School of Nanophotonics" des Sonderforschungsbereichs SFB 787 ist, dieEntwicklung junger Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler zu fördern. Der SFB 787 bietet einerseits mit den exzellenten Forschungsprojekten eine passende Umgebung, um eine tiefgehende fachliche Ausbildung der Doktorandinnen undDoktoranden zu gewährleisten, andererseits bietet das iGRK eine Struktur für überfachliche Angebote zur professionellenWeiterbildung. Das iGRK fördert die wissenschaftliche Unabhängigkeit und internationale Sichtbarkeit seiner Mitglieder sowie den wissenschaftlichen Austausch untereinander.
Nitrid-basierte Einzelphotonenquellen mit optischen Resonatoren
Laufzeit: 01.01.2016 bis 31.12.2019
Im Fokus dieses Teilprojektes stehen blau und UV emittierende GaN-basierte VCSEL-Strukturen. Mit einer analogenepitaktischen Schichtfolge können durch Adaption des photonic crystal bandgap (PBC) Konzepts hochbrillante Kantenlaserrealisiert werden. Insbesondere die große Bandlücke und hohe Exzitonenbindungs-energie in GaN eröffnen neue Perspektivenfür starke Licht-Materie-Kopplung, Polaritonen-Laser, Bose-Einstein-Kondensation und insbesondere Einzel- verschränktePhotonenemission bei Raumtemperatur. Die in GaAs bereits erfolgreich realisierten Konzepte sollen auf die breitbandigen Gruppe-III-Nitride übertragen werden.
Mikroskopisches Transportmodell für reale Solarzellenstrukturen: Einfluss struktureller Unordnung und Defekte auf Ladungsträgertransport und -dynamik in CuIn1-xGaxSe2
Laufzeit: 01.08.2015 bis 31.07.2018
Das vorgestellte Projekt hat zum Ziel, die Mikrostruktur in dünnen Schichten des Chalkopyrithalbleiters Cu(In,Ga)Se2aufzuklären und ein Mikrostrukturmodell aufzustellen. Das Mikrostrukturmodell beschreibt die lokalen optoelektronischen Eigenschaften dieses Verbindungshalbleiters, der durch einen hohen Unordnungsgrad charakterisiert ist. Das Mikrostrukturmodell soll verifiziert werden, indem die Ergebnisse im Rahmen des Projektes durchgeführter orts-zeit-spektralaufgelöste Lumineszenzexperimente sowie Ladungstransportexperimente mit der Methode der Finiten-Elemente simuliert werden. Durch die Kombination von Experiment und Simulation soll die Beeinflussung des Ladungsträgertransports durch den Unordnungsgrad des Mischsystems Cu(In,Ga)Se2 eingehend erforscht werden. Die Arbeiten zum Einfluss von Unordnung sind grundlegender Natur und lassen sich auf andere Materialsysteme übertragen.
Sonderforschungsbereich 787; Halbleiter-Nanophotonik: Materialien, Modelle, Bauelemente; Teilprojekt A8: GaN basierte 'resonant cavity' Strukturen
Laufzeit: 01.01.2012 bis 31.12.2015
Im Fokus dieses Teilprojektes stehen blau und UV emittierende GaN-basierte VCSEL-Strukturen. Mit einer analogen epitaktischen Schichtfolge können durch Adaption des „photonic crystal bandgap“ (PBC) Konzepts hochbrillante Kantenlaser realisiert werden. Insbesondere die große Bandlücke und hohe Exzitonenbindungsenergie in GaN eröffnen neue Perspektiven für starke Licht-Materie-Kopplung, Polaritonen-Laser, Bose-Einstein-Kondensation und insbesondere Einzel- verschränkte Photonenemission bei Raumtemperatur. Die in GaAs bereits erfolgreich realisierten Konzepte sollen auf die breitbandigen Gruppe-III-Nitride übertragen werden.
Materials World Network: Wachstum von unpolarem und semipolarem GaN auf Si- und Saphir-Substraten und Untersuchung optischer Prozesse für hohe Effizienz
Laufzeit: 01.11.2012 bis 31.10.2015
Ziel dieses Vorschlags ist die Untersuchung der Grundlagen des unpolaren und semipolaren GaN-Wachstums mit dem Ziel, die Mechanismen der Defektbildung und des Einbaus von Verunreinigungen sowie die für die strahlende Rekombination verantwortlichen Prozesse zu verstehen. Die Einsicht in die Mechanismen, die für die Defektbildung verantwortlich sind, wird es ermöglichen, Ansätze zur Verringerung der Defektdichte auszuarbeiten und das Material mit hoher optischer Qualität für Leuchtdioden und Laserdioden mit erhöhter Helligkeit herzustellen. Das Fehlen der Polarisation bei unpolarem GaN und die erheblich reduzierte Polarisation bei semipolarem GaN werden höhere Rekombinationsleistungen ermöglichen und die Abhängigkeit der Emissionsenergie vom Injektionsniveau beseitigen. Die Wahl von Si- und Saphir-Substraten ist durch ihre hohe Qualität und breite Verfügbarkeit motiviert, insbesondere im Zusammenhang mit Kostensenkungspraktiken bei hellen LEDs für Beleuchtungsanwendungen. Um die Synthese und die Eigenschaften von transformativen unpolaren und semipolaren Nitrid-Halbleiterstrukturen zu verstehen, wird ein multiinstitutionelles/multidisziplinäres Programm vorgeschlagen, das einzigartige Fachkenntnisse in der Züchtung an der Virginia Commonwealth University, umfangreiche Möglichkeiten für optische Präzisionsmessungen an der Universität Magdeburg (Deutschland) und nachgewiesene Erfahrung in der theoretischen Modellierung an der Universität Montpellier 2 (Frankreich) zusammenführt.
Dieser Text wurde mit DeepL übersetzt
DFG- FG 957: Polarcon: Kontrolle der Polarisationsfelder in GaN basierten Lichtemittern: Mikroskopische Korrelation der elektronischen und optischen Eigenschaften mit der kristallinen Realstruktur von Polarisations-Feld-kontrollierten Gruppe-III-Nitriden
Laufzeit: 01.01.2012 bis 31.12.2014
For a detailed understanding of complex semiconductor heterostructures and the physics of devices based on them, a systematic determination and correlation of the structural, chemical, electronic, and optical properties on a micro- or nano-scale is mandatory. Luminescence techniques belong to the most sensitive, non-destructive methods of semiconductor research, and the combination of time-resolved luminescence spectroscopy with the high spatial resolution of a scanning electron microscope, as realized by the technique of cathodoluminescence microscopy, provides a powerful tool for the optical nano-characterization of semiconductors, their heterostructures as well as their interfaces. As part of the research group proposal “Polarization field control in nitride light emitters” we shall correlate the electronic and optical properties of non- and semipolar epitaxial nitride structures on a micro- and nano-scale with the crystalline real structure. Morphological defects like dislocations and – in particular in non-c-axis grown material – stacking faults and spontaneous and piezo-electric polarization fields are the major problems in group-III-nitrides. In ternary and quaternary alloys as well as in their hetero-structures nano-scale fluctuations of stoichiometry and/or interfaces have strong impact on the radiative recombination in light emitters. In close collaboration with the growth projects (UUlm, TUBs, OvG-D, and TUB) and perfectly complementing the experimental techniques by exchange with the TEM, µPL, and µEL project (URgb), we will address these problems.
GRACIS "Chemische Gradienten in Cu(In,Ga)(S, Se)2: Ursachen und Konsequenzen"; Teilvorhaben: Lumineszenz Charakterisierung von Cu(In,Ga)(S,Se)2 - mikroskopische (In-)Homogenität, Gradienten, Phasen und Grenzflächen
Laufzeit: 01.07.2009 bis 30.06.2012
Die Herstellungskosten von Solarmodulen mit Absorbern aus Cu(In,Ga)(S,Se)2 (CIS) können durch eine schnellere Abscheidung des CIS-Absorbers und höhere Wirkungsgrade bei vereinfachter Prozessführung weiter gesenkt werden. Eine schnellere Herstellung des Absorbers ist vor allem durch die Kinetik der Bildung der Chalkopyritphase und ausreichend großer Körner limitiert. Beide Prozesse sind entscheidend von der Diffusion von Spezies während des Wachstums abhängig. Höchste Wirkungsgrade von CIS-Solarzellen sind mit einem dreistufigen Verdampfungsprozess zu erreichen. Hierbei bilden sich Gradienten im In/Ga-Verhältnis und eine kupferarme Oberflächenphase aus, die wahrscheinlich essentiell für hohe Wirkungsgrade sind. Die Oberfläche kann sich im Verlauf der Grenzflächenbildung mit dem Puffermaterial noch deutlich verändern. Entscheidend hierbei ist die Diffusion von Kupfer und möglicherweise die Interdiffusion zwischen Absorber und Puffermaterial. Das Gesamtziel des Projektes besteht darin, Gradienten der chemischen Zusammensetzung in CIS-Absorbern in Abhängigkeit der Schichtherstellung und der Ausbildung der Grenzfläche zum Puffermaterial zu analysieren. Darüber hinaus sollen die Ursachen chemischer Gradienten und die unmittelbar damit verbundene Diffusion von Spezies aufgeklärt werden. Andererseits sollen die Konsequenzen dieser Zusammenhänge für das Schichtwachstum, die elektronischen Eigenschaften des Absorbers und Auswirkung auf die Effizienz der Solarzellen verstanden werden. Hieraus werden Strategien zur schnelleren Herstellung von CIS-Absorbern sowie zur effizienten Herstellung von Pufferschichten entwickelt und die damit verbundenen Erkenntnisse der zugrundeliegenden physikalischen Zusammenhänge Produzenten von CIS-Solarmodulen im Rahmen von Industrieworkshops zur Verfügung gestellt werden.
BMBF Verbundprojekt: "Effiziente, kostengünstige InGaN-Lichtquellen auf Silizium-Substraten für die Allgemeinbeleuchtung"
Laufzeit: 01.02.2009 bis 30.04.2012
Teilvorhaben: "Mikro-optische und strukturelle Charakterisierung von GaN-auf-Silizium Strukturen und HVPE Wachstum von GaN-auf-Silizium"
Die Arbeiten an der Otto-von-Guericke-Universität beinhalten drei wesentliche Arbeitspakete, welche von 2 Arbeitsgruppen (Prof. Krost, Prof. Christen) gemeinsam bearbeitet werden sollen: Einerseits wird Expertise und Methodik umfangreicher, im Detail aufeinander abgestimmter und sich gegenseitig ergänzender Charkterisierungsmethoden eingebracht, die zugleich auch allen Partnern zur Verfügung gestellt wird. Dies beinhaltet zum einen die detaillierte strukturelle Schicht-charakterisierung mittels röntgenographischer Verfahren wie beispielsweise hochauflösende XRD, grazing incidence diffraction, tiefenaufgelöste Röntgenbeugung, Reflektometrie, wafer-mapping,
hoch-ortsaufgelöste XRD (dx < 1µm), reciprocal space mapping, u.a.. Hierzu stehen neun speziell ausgerüstete Röntgensysteme zur Verfügung (Arbeitsgruppe Krost). Zum anderen werden diese komplenentär ergänzt optische und insbesondere hochortsaufgelöster optische Methoden wie spektral-ortsaufgelöste Raster-µ-Elektrolumineszenz (dx < 1 µm), spektral-ortsaufgelöste Raster- Photolumineszenz (µ-PL: dx < 500 nm, PL-wafer-mapping: 6-Zoll wafer), spektral-orts-zeit-aufgelöste
Kathodolumineszenz (dt < 35 ps, dx < 45nm), (Arbeitsgruppe Christen).
Integriertes Graduiertenkolleg Halbleiter-Nanophotonik: Materialien, Modelle, Bauelemente
Laufzeit: 01.01.2008 bis 31.12.2011
Ziel des im SFB 787 integrierten Graduiertenkollegs Halbleiter-Nanophotonik: Materialien, Modelle, Bauelemente ist die besondere Förderung des wissenschaftlichen Nachwuchses durch Kombination der exzellenten Forschungsmöglichkeiten im Rahmen des SFBs mit einer vertieften wissenschaftlichen Ausbildung und strukturierten Promotionsförderung. Das mehrgliedrige Qualifizierungskonzept beruht auf Interdisziplinarität, intensiver Einführung und kontinuierlicher Weiterbildung, Vermittlung von Teamfähigkeit und Schlüsselqualifikationen sowie engen Industriekooperation und nutzt Synergien von Hochschule und externen Forschungseinrichtungen.
Lumineszenz Charakterisierung von Cu(In,Ga)(S,Se)2
Laufzeit: 01.01.2008 bis 31.12.2011
Das quaternäre chalkopyridische Halbleitermischsystem Cu(In,Ga)(S,Se)2 (CIS) bildet die Grundlage für die derzeit effizientesten Dünnschicht-Solarzellen mit einem Laborwirkungsgrad um 20 %. Die Produktion von CIS-Solarmodulen im industriellen Maßstab erlangt zunehmende ökonomische Bedeutung. Die effiziente und reproduzierbare Nutzung eines Materials für die Massenproduktion von elektronischen Bauelementen hängt jedoch direkt von der verfügbaren Wissensbasis über dessen strukturelle, chemische und elektronische Eigenschaften ab. Die Arbeiten beinhalten Untersuchungen hinsichtlich der mikroskopischen Charakterisierung, insbesondere der höchst-ortsaufgelösten Analyse der optischen Eigenschaften der CIS-Schichten: Kathodolumineszenz, EBIC/EBIC, µ-Photo-lumineszenz und µ-Elektrolumineszenz sowie LBIC.
Sonderforschungsbereich 762; Funktionalität Oxidischer Grenzflächen, Teilprojekt B4: Lateraler Transport in oxidischen Feldeffekt-Strukturen
Laufzeit: 01.01.2008 bis 31.12.2011
Es soll der laterale Transport in Oxid-Heterostrukturen untersucht werden. Durch Korrelation der aus elektrischen Kennlinienfeldern bestimmten Parameter mit mikroskopischen Transporteigenschaften auf µm- (Mikro-Photolumineszenz) und nm- (Kathodolumineszenz) Längenskala soll ein konsistentes Verständnis der elektronischen sowie der ambipolaren Transportmechanismen erarbeitet werden. Die charakteristischen Temperatur- und Energieabhängigkeiten ergeben Aufschluss über die zu Grunde liegenden Streumechanismen. Die Transport-Eigenschaften sollen auf strukturelle (ideale und nicht-ideale) Eigenschaften der Gate-Heterostruktur und ihrer Grenzfläche, des Kanals und seiner Grenzflächen sowie das Banddiagramm, eingebaute Verspannungen und Punktdefekte (Dotierung und Defekte) zurückgeführt werden. Die Prototyp-Struktur für die geplanten Untersuchungen ist ein Feldeffekt-Transistor mit isolierendem Gate (MISFET). Der Leitungskanal soll aus ZnO sowie ZnO-basierten Heterostrukturen in verschiedener kristallographischer Orientierung, d.h. mit verschiedener Orientierung der spontanen Polarisation, bestehen. Neben dem sich an der/den Hetero-Grenzfläche(n) ausbildenden zwei-dimensionalen Elektronengas (2DEG) ist die unter dem Gate vergrabene ZnO-Oberfläche selbst ebenfalls von Interesse, da diese, abhängig von ihrer Vorgeschichte (Temperatur, Gasatmosphäre), auch einen leitfähigen Kanal darstellen kann. Als Gate-Material sollen verschiedene Oxide ohne elektrische Polarisation (z.B. Al2O3), mit spontaner Polarisation (z.B. MgxZn1-xO) sowie schaltbarer Polarisation (z.B. BaTiO3) untersucht werden. Perspektivisch sollen als Kanalmaterial auch ferromagnetische, halbleitende Oxide eingesetzt werden, um eine grenzflächenbestimmte Struktur mit schaltbaren und gekoppelten ferromagnetischen und ferroelektrischen Eigenschaften zu erhalten.
Sonderforschungsbereich 787; Halbleiter-Nanophotonik: Materialien, Modelle, Bauelemente; Teilprojekt C4: GaN-basierte Einzelphotonenemitter und VCSEL
Laufzeit: 01.01.2008 bis 31.12.2011
Ziel der ersten Periode ist das Wachstum von riss- und spannungsfreien InAIN/AlGaN VCSEL-Strukturen. Ausgehend von einem Gruppe-III-basierten unteren und einem Oxidbasierten oberen Bragg-Spiegel soll zunächst ein (InGaN/GaN) MQW mit einem pn-Übergang und einer Tunnelbarriere hergestellt und getestet werden. Neben den grundlegenden Untersuchungen zur Photon-Exziton-Kopplung, dem Purcell-Effekt bzw. der Rabi-Aufspaltung und dem Ausmessen der Dispersion der Kavitäts-Polarisationen sowie deren Bose-Einstein-Kondensation bei Zimmertemperatur sollen hierauf basierende Bauelemente realisiert und charakterisiert werden. Die p-Dotierung hoch-aluminiumreicher AlInN- und AlGaN-Schichten soll untersucht werden, um anschließend auch den oberen Bragg-Spiegel auf Nitrid-Basis herzustellen. GaN-basierte Quantenpunkte für Einzelphotonenemitter sind herzustellen.
Mikroskopische Korrelation der elektronischen und optischen Eigenschaften mit der kristallinen Realstruktur von Polarisations-Feld-kontrollierten Gruppe-III-Nitriden
Laufzeit: 01.05.2008 bis 30.04.2011
Für ein umfassendes Verständnis komplexer Halbleiter-Heterostrukturen und der zugrundeliegenden Physik ist eine systematische Analyse und Korrelation der strukturellen, chemischen, elektronischen und optischen Eigenschaften auf Mikro- bzw. Nanoskala zwingend erforderlich. Lumineszenzuntersuchungen gehören zu den empfindlichsten zerstörungungsfreien Methoden in der Halbleiterforschung. Die Kombination von zeitaufgelöster Spektroskopie mit der hohen Ortsauflösung des Raster-Elektronenmikroskops, wie es durch die Kathodolumineszenz-Mikroskopie realisiert wird, liefert ein potentes Instrumentarium für die optische Nanocharakterisierung von Halbleitern, Heterostrukturen und ihren inneren Grenzflächen. Als Teil des Gruppenantrages Polarisations-Feld-Kontrolle in Nitrid-Licht-Emittern werden wir die elektronischen und optischen Eigenschaften von nicht- bzw. semipolaren Gruppe-III-Nitrid-Strukturen auf Mikro- und Nanoskala mit der kristallinen Realstruktur korrelieren. Morphologische Defekte wie Versetzungen und insbesondere in nicht c-Achsen gewachsenem Material Stapelfehler sowie spontane und piezoelektrische Polarisationsfelder sind die Hauptprobleme in den Gruppe-III-Nitriden. In ternären und quaternären Verbindungen sowie deren Heterostrukturen haben Fluktuationen der Stoichiometrie und/oder Grenzflächen auf Nanometerskale einen entscheidenden Einfluss auf die strahlende Rekombination in Lichtemittern. In enger Zusammenarbeit mit den Epitaxieprojekten (UUlm, TUBs, OvG-D, and TUB) und in optimaler Ergänzung zu den anderen Charakterisierungsmethoden wie TEM, µPL, und µEL im Projekt des Partners URgb werden wir diese Problematik angehen.
Untersuchung der strukturellen und optischen Eigenschaften von GaN-Quasi-Substraten
Laufzeit: 01.01.2006 bis 31.12.2009
Das Projekt befasst sich mit der Verbesserung der strukturellen und optischen Eigenschaften von GaN-Quasi-Substraten. Zwei Ansätze werden dabei verfolgt: Zum einen die Optimierung von HVPE Volumenschichten durch die Verwendung von GaN Niedertemperatur Pufferschichten im HVPE Prozess, zur Reduzierung der thermisch induzierten Verspannungen zwischen Substrat und Schicht. Zum anderen das laterale epitaktische Überwachsen von mit SiO2 strukturierten GaN Schichten mittels HVPE, welches zusätzlich eine Reduzierung der Versetzungsdichte bewirkt. Der mögliche Einbau von Störstellen aus den SiO2 Masken soll dabei bestimmt werden. Ebenso der Einfluss der reduzierten Versetzungsdichte auf die optischen Eigenschaften.
Verbundprojekt: LED-Module mit primärer Optik für die Anwendung im Automobilbau (MOPO) - Teilvorhaben: Mikro-optische Charakterisierung von LEDs und COB-Modulen
Laufzeit: 01.10.2005 bis 31.03.2009
Ziel des Teilvorhabens ist die Entwicklung und Optimierung eines Chip-On-Board (COB) basierten Leuchtmoduls für die Außenbeleuchtung im Automobilbereich. Beginnend mit der Evaluation der Leuchtdiodenchips über die, die Prozessentwicklung und -optimierung begleitende Mikrocharakterisierung von Chip-Montage sowie Applikation des Lumineszenz-Konvertermaterials, bis hin zur Qualitätssicherung des kompletten COB+Converter-Packages soll ein optimierter Aufbau als Zwischenstufe für die anschließende Komplettierung mit einer monolithisch integrierten Primäroptik entwickelt werden.
DFG Schwerpunktprogramm SPP 1032: Gruppe III-Nitride und ihre Heterostrukturen: Wachstum, materialwissenschaftliche Grundlagen und Anwendungen
Laufzeit: 01.01.1997 bis 31.12.2000
Projekt:"Störstellen und Grenzflächendefekte in auf GaN-basierenden Bauelementestrukturen,
untersucht mit elektrischen und photoelektrischen Spektroskopieverfahren"
In zunehmendem Maße verlagert sich die Forschung am Halbleitermaterial GaN auf die Integration des Materials in komplexe Schichtstrukturen. Mit diesen Bemühungen erlangen die Grenzflächen-eigenschaften und die Störstellenstruktur in den einzelnen Schichten eine wachsende Bedeutung. Ziel des vorgesehenen Projekts ist es, auf der Grundlage der bisher vorrangig mit der optischen Admittanzspektroskopie gewonnenen Erkenntnisse zu tiefen Störstellen in GaN-Schichten, elektrisch wirksame Defektzustände und Grenzflächendefekte in Heterostrukturen sowie deren Einfluß auf die Bauelementeeigenschaften nachzuweisen. Die Untersuchung der Grenzflächen erfolgt über die
Spannungs- und Frequenzabhängigkeit der Admittanzspektroskopie im auszubauenden Frequenz-bereich bis zu 30 MHz. Der Störstellennachweis wird vorrangig durch die optische Admittanz-spektroskopie in einem zu erweiternden Spektralbereich von 190nm bis 5µm durchgeführt. Als weitere Meßmethoden werden zusätzlich die thermische Admittanzspektroskopie und die DLTS eingesetzt. Der Einfluß von Defektzuständen auf die Bauelementeeigenschaften soll u.a. an Hand des Frequenzverhaltens, der Spannungsfestigkeit, der photoelektrischen Empfindlichkeit und dem
Auftreten von transienten Speichereffekten nachgewiesen werden.
Nachweis tiefer Störstellen un GaN und in GaN-basierten Mischsystemen mit Photokapazitäts-und optischen Admittanzspektroskopie
Laufzeit: 01.01.1997 bis 31.12.1998
Das Halbleitermaterial GaN ist in das Zentrum des wissenschaftlichen und kommerziellen Interesses als Basismaterial für blaue LED- und Laserdioden gerückt. Besonders wichtig für die Eigenschaften dieses Materials, insbesondere für jegliche Bauelementeanwendungen, sind tiefe Störstellen. Ziel unserer Untersuchungen ist es, tiefe Störstellen in der Nähe der Gapmitte im GaN und in GaN-basierten Mischsystemen nachzuweisen und zu charakterisieren. Der Nachweis tiefer Störstellen erfolgt mittels Photokapazitätsmessungen und mit Hilfe der optischen Admittanzspektroskopie. Die gefundenen Störstellen sollen hinsichtlich ihrer optischen Übergangsenergien, ihrer Photoionisationsquerschnitte, sowie deren spektralen Abhängigkeit charakterisiert werden. Die Kinetik dieser Störstellen wird hinsichtlich ihres Umladungsverhaltens, bestehender Ladungs- und metastabiler Zustände, sowie hinsichtlich der Bedingungen zu deren Bildung und Vernichtung untersucht. Weitergehende Messungen erfolgen zudem an GaN-basierten Mischsystemen, wie AlGaN und InGaN und an darauf aufbauenden optoelektronischen Bauelementen.
2024
Abstract
Highly spatially resolved investigation of structural and optical properties of a GaN-based p-n-diode
Greczmiel, Luca; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Eisele, Holger; Dempewolf, Anja; Petzold, Silke; Christen, Jürgen; Strittmatter, André; Dadgar, Armin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 44.7 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Origin of the parasitic luminescence of 235 nm UVC LEDs grown on different AlN templates
Hagedorn, Sylvia; Kolbe, Tim; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Netzel, Carsten; Knauer, Arne; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Weyers, Markus
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 124 (2024), Heft 6, Artikel 063506, insges. 8 S.
GaN quantum dots in resonant cavity nanopillars as deep-UV single-photon sources
Schürmann, Hannes; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; August, Olga; Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Kullig, Julius; Wiersig, Jan; Gao, Kang; Holmes, Mark; Arakawa, Yasuhiko; Christen, Jürgen
In: Physica status solidi. Rapid research letters - Weinheim : Wiley-VCH . - 2024, insges. 8 S. [Online first]
2023
Abstract
Epitaxial growth of GaN buffer layers on Si(111) by reactive magnetron sputtering
Borgmann, Ralf; Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Dempewolf, Anja; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Strittmatter, André; Dadgar, Armin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 7.6
Cubic GaN epilayers grown by remote epitaxy on graphene covered 3C-SiC (001)/Si(001) substrates
Littmann, Mario; August, Olga; Harnisch, Karsten; Halle, Thorsten; Bertram, Frank; Christen, Jürgen
In: ICNS-14 - Fukuoka, Japan . - 2023, Artikel TuP-GR-7 [Konferenz: 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023]
Highly spatially resolved STEM-CL characterization of GaN–based power devices
Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Christen, Jürgen
In: CSW 2023 - Jeju, Korea, S. 96, Artikel TuB3-1
Optical Nano-Charakterization of a Cascaded InGaN/GaN LED
Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: Konferenz: 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023, ICNS-14 - Fukuoka, Japan . - 2023, Artikel CH3-2
GaN quantum dots in resonant cavity micropillars as deep UV single photon sources
Christen, Jürgen; Schuermann, Hannes; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; August, Olga; Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Gao, Kong; Holmes, Marc; Arakawa, Yasuhiko
In: Konferenz: 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023, ICNS-14 - Fukuoka, Japan . - 2023, Artikel CH13-2
(Late news) characterization of the space-charge region of a GaN pn-junction and pin-drift-diode using EBIC and CL
Eisele, Holger; Wein, Konstantin; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Christen, Jürgen; Dadgar, Armin; Berger, Christoph; Strittmatter, André; Debald, Arne; Heuken, Michael; Zweipfennig, Thorsten; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei; Faber, Samuel; Witzigmann, Bernd
In: Konferenz: 65th Electronic Materials Conference, Santa Barbara, June 28-30, 2023,, 65th Electronic Materials Conference - Santa Barbara, California : University . - 2023, S. 116-117, Artikel W04
Carrier capture into individual InP quantum dots directly imaged by nanoscale cathodoluminescence microscopy
Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Christen, Jürgen; Veit, Peter; Kernchen, Julie; Schürmann, Hannes; Jetter, Michael; Cutuk, Ana; Michler, Peter
In: Konferenz: 65th Electronic Materials Conference, Santa Barbara, June 28-30, 2023,, 65th Electronic Materials Conference - Santa Barbara, California : University . - 2023, S. 158-159, Artikel jj01
Optical an structural characterization of an 'AlInN/GaN-based longitudinal photonic bandgap crystal laser structure
Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: Konferenz: 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023, ICNS-14 - Fukuoka, Japan . - 2023, Artikel CH13-4
Origin of the parasitic luminescence of 235 nm UVC LEDs grown on MOVPE-AIN and high-tempertatur-annealed AIN templates
Hagedorn, Sylvia; Kolbe, Tim; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Netzle, Carsten; Bertram, Frank; Knauer, Arne; Christen, Jürgen; Weyers, Markus
In: DGKK/DEMBE 2023 - Stuttgart : Universität, S. 85
Advanced cathodoluminescence microscopy of a cascaded InGaN/GaN LED
Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Veit, Peter; Wein, Konstantin; Christen, Jürgen; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Konferenz: 65th Electronic Materials Conference, Santa Barbara, June 28-30, 2023,, 65th Electronic Materials Conference - Santa Barbara, California : University . - 2023, S. 57, Artikel M07
Buchbeitrag
Nano-characterization of a space-charge region in a pn-diode with long drift layer: detailed cathodoluminescence and EBIC correlation
Wein, Konstantin; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Faber, Samuel; Witzigmann, Bernd; Heuken, Michael; Zweipfennig, Thorsten; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei; Debald, Arne
In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash. : SPIE, Bd. 12421 (2023)
Vertical and lateral carrier transport into InP quantum dots of a membrane external-cavity surface-emitting laser structure
Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Veit, Peter; Kernchen, Julie; Christen, Jürgen; Ćutuk, Ana; Jetter, Michael; Michler, Peter
In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash. : SPIE, Bd. 12421 (2023)
Optical and structural nano-characterization of GaN-based power devices
Christen, Jürgen; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Debald, Arne; Heuken, Michael; Zweipfennig, Thorsten; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei
In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash. : SPIE, Bd. 12421 (2023)
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Nitride semiconductors
Kneissl, Michael; Christen, Jürgen; Hoffmann, Axel; Monemar, Bo; Wernicke, Tim; Schwarz, Ulrich; Haglund, Åsa; Meneghini, Matteo
In: Physica status solidi. A, Applications and materials science - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 220 (2023), Heft 16, Artikel 2300484
Interaction of catalysts for unitized regenerative fuel cells
Maletzko, Annabelle; Gomez Villa, Eduardo Daniel; Kintzel, Birgit; Fietzek, Harald; Schmidt, Gordon; Christen, Jürgen; Veit, Peter; Kühne, Philipp; Melke, Julia
In: ECS transactions / Electrochemical Society - Pennington, NJ, Bd. 112 (2023), Heft 4, S. 185-197
Sputter epitaxy of AlN and GaN on Si(111)
Dadgar, Armin; Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Physica status solidi. A, Applications and materials science - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 220 (2023), Heft 8, Artikel 2200609, insges. 6 S.
2022
Abstract
Influence of space-charge region on luminescence in a lateral GaN superjunction
Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Debald, A.; Heuken, M.; Zweipfennig, T.; Kalsich, H.; Vescan, A.
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin, 2022 . - 2022, S. 291
Sputtering eptiaxy of transition metal nitrides and AlScN
Lüttich, Christoph; Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Dempewolf, Anja; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Strittmatter, André; Dadgar, Armin
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin . - 2022, S. 599, Artikel PP 256
Optical nano-characterization of a lateral GaN superjunction
Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Debald, Arne; Heuken, Michael; Zweipfennig, Thorsten; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei
In: The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022) - Taoyuan, 2022 . - 2022
2DEG emission in an AlGaN/GaN HFET
Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Debald, Arne; Heuken, Michael; Zweipfennig, Thorsten; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei
In: The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022) - Taoyuan, 2022 . - 2022
Influence of space-charge region on luminescence in a lateral GaN superjunction
Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Debald, Arne; Heuken, Michael; Zweipfennig, Thorsten; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022
Nano-characterization of structural and optical properties of an AlGaN/GaN HFET - direct identification of 2DEG emission
Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Debald, Arne; Heuken, Michael; Zweipfennig, Thorsten; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei
In: The proceedings of the Fourteenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XX) - Stuttgart, 2022 . - 2022, S. 35
Metal micro-contacts deposited by focused electron and ion beam - impact on electrical properties
Wein, Konstantin; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Petzold, Silke; Veit, Peter; Berger, Christoph; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022
Growth of epitaxial GaN by reactive magnetron sputtering
Borgmann, Ralf; Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Dempewolf, Anja; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Schmidt, Gordon
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin . - 2022, S. 609, Artikel PP 266
Laser-assisted local eptiaxy of ///-V compound semiconductors
Trippel, Max; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: The proceedings of the Fourteenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XX) - Stuttgart, 2022 . - 2022
Direct probing of the internal electrical field of a pn-GaN-junction
Wein, Konstantin; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Debald, A.; Heuken, M.; Zweipfennig, T.; Kalsich, H.; Vescan, A.
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin, 2022 . - 2022, S. 33
Direct identification of the 2DEG emission of a eterostructure field-effect transistor
Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Debald, A.; Heuken, M.; Zweipfennig, T.; Kalsich, H.; Vescan, A.
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin . - 2022, S. 140, Artikel AT 022
GaN quantum dots in vertical resonant cavity structure
Schürmann, Hannes; Berger, Christoph; Kang, Gao; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Holmes, Mark; Christen, Jürgen
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin, 2022 . - 2022, S. 720
Growth of epitaxial GaN by reactive magnetron sputtering
Borgmann, Ralf; Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Dempewolf, Anja; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Schmidt, Gordon
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022
Nanoscale characterization of novel AlGaN/GaN-based nanostructures
Christen, Jürgen; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon
In: 4th International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2022 - Jeju, Korea, 2022 . - 2022
Epitaxy of high quality AlN and AlGaN layers on Si(111) by reactive pulsed sputtering
Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Strittmatter, André; Dadgar, Armin
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin . - 2022, S. 28, Artikel AT 018
Heavily Ge-doped GaN films - properties and applications
Berger, Christoph; Neugebauer, S.; Dadgar, Armin; Schürmann, H.; Bläsing, Jürgen; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: The proceedings of the Fourteenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XX) - Stuttgart, 2022 . - 2022, S. 112
Influence of space-charge region on luminescence in lateral GaN superjunction
Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Debald, A.; Heuken, M.; Zweipfennig, T.; Kalisch, H.; Vescan, A.
In: The proceedings of the Fourteenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XX) - Stuttgart, 2022 . - 2022, S. 85
Buchbeitrag
Sputter epitaxy of AlN and GaN on Si for device applications
Dadgar, Armin; Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Lüttich, Christopher; Bläsing, Jürgen; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Konferenz: 2022 Compound Semiconductor Week, CSW, Ann Arbor, MI, USA, 01-03 June 2022, 2022 Compound Semiconductor Week (CSW) - Piscataway, NJ: IEEE . - 2022
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Highly reflective and conductive AlInN/GaN distributed Bragg reflectors realized by Ge-doping
Seneza, Cleophace; Berger, Christoph; Sana, Prabha; Witte, Hartmut; Bläsing, Jürgen; Dempewolf, Anja; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Japanese journal of applied physics - Bristol: IOP Publ., Bd. 61 (2022), 1, insges. 7 S.
Desorption induced formation of low-density GaN quantum dots - nanoscale correlation of structural and optical properties
Schürmann, Hannes; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Berger, Christoph; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: Journal of physics / D - Bristol : IOP Publ., Bd. 55 (2022), Heft 14, Artikel 145102, insges. 7 S.
Laser-assisted local metalorganic vapor phase epitaxy
Trippel, Max; Bläsing, Jürgen; Wieneke, Matthias; Dadgar, Armin; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Review of scientific instruments - [S.l.]: American Institute of Physics, Bd. 93 (2022), insges. 14 S.
Defect characterization of heavy ion irradiated AllnN/GaN on Si high-electron-mobility transistors
Challa, S. R.; Witte, Hartmut; Schmidt, Gordon; Bläsing, Jürgen; Vega, N.; Kristukat, C.; Müller, N. A.; Debray, M. E.; Christen, J.; Dadgar, A.; Strittmatter, André
In: Journal of physics. D, Applied physics - Bristol : IOP Publ., Bd. 55 (2022), Heft 11, Artikel 115107, insges. 7 S.
Artikel in Kongressband
MOVPE-grown optoelectronic devices with GaN:Mg/GaN:Ge tunnel junctions
Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Schmidt, Gordon; Schürmann, Hannes; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG . - 2022
2021
Abstract
Characteristic emission from quantum dot-like intersection nodes of dislocations in GaN
Shapenkov, S. V.; Vyvenko, O. F.; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Christen, Jürgen
In: Journal of physics / Conference Series - Bristol: IOP Publ., 2004, Bd. 1851 (2021)
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Demonstration of lateral epitaxial growth of AlN on Si (1 1 1) at low temperatures by pulsed reactive sputter epitaxy
Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Strittmatter, André; Dadgar, Armin
In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 571 (2021), insges. 4 S.
2020
Abstract
Highly reflective and conductive AlInN/GaN distributed Bragg reflectors realized by Ge-doping
Seneza, Cleophace; Berger, Christoph; Witte, Hartmut; Bläsing, Jürgen; Dempewolf, Anja; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef : DPG - 2020, Vortrag: HL 30.27 [Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Dresden, 15. - 20. März 2020]
Buchbeitrag
Nitride microcavities and single quantum dots for classical and non-classical light emitters
Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Bertram, Frank; Veit, P.; Metzner, Susanne; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Jagsch, S. T.; Wagner, M. R.; Hoffmann, A.
In: Semiconductor Nanophotonics: Materials, Models, and Devices - Cham: Springer International Publishing, 2020; Kneissl, Michael . - 2020, S. 453-504 - (Springer series in solid-state sciences; 194)
Optical and structural properties of nitride based nanostructures
Bertram, Frank; Berger, Christoph; Christen, Jürgen; Eisele, Holger; Greif, Ludwig A. Th.; Hoffmann, Axel; Maultzsch, Janina; Müller, Marcus; Poliani, Emanuele; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Wagner, Markus R.
In: Semiconductor Nanophotonics: Materials, Models, and Devices - Cham: Springer International Publishing, 2020; Kneissl, Michael . - 2020, S. 135-201 - (Springer series in solid-state sciences; 194)
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Individually resolved luminescence from closely stacked GaN/AlN quantum wells
Sheng, Bowen; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Veit, Peter; Wang, Yixin; Wang, Tao; Rong, Xin; Chen, Zhaoying; Wang, Ping; Bläsing, Jürgen; Miyake, Hideto; Li, Hongwei; Guo, Shiping; Qin, Zhixin; Strittmatter, André; Shen, Bo; Christen, Jürgen; Wang, Xinqiang
In: Photonics research - Washington, DC : OSA, Bd. 8 (2020), Heft 4, S. 610-615
Color-tunable 3D InGaN/GaN multi-quantum-well light-emitting-diode based on microfacet emission and programmable driving power supply
Wang, Lai; Wang, Xun; Bertram, Frank; Sheng, Bowen; Hao, Zhibiao; Luo, Yi; Sun, Changzheng; Xiong, Bing; Han, Yanjun; Wang, Jian; Li, Hongtao; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Wang, Xinqiang
In: Advanced optical materials - Weinheim: Wiley-VCH . - 2020[Online first]
Cathodoluminescence nano-characterization of individual GaN/AlN quantum disks embedded in nanowires
Sheng, Bowen; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Müller, Marcus; Wang, Ping; Sun, Xiaoxiao; Qin, Zhixin; Shen, Bo; Wang, Xinqiang; Christen, Jürgen
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics - Volume 117(2020), article 133106, 6 Seiten
2019
Abstract
Lattice matched InAIN/GaN 1D photonic band gap crystral (PBC) structures for single mode high-power laser diodes
Sana, Prabha; Berger, Christoph; Schmidt, Marc-Peter; Schmidt, Gordon; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Witte, Hartmut; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Konferenz: 13th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-13, Washington, July 7-12, 2019, 13th International Conference on Nitride Semiconductors - Washington . - 2019
Highly conductive Ge doped InAIN/GaN perodic stacks: structural and electrical properties
Sana, Prabha; Berger, Christoph; Witte, Hartmut; Dabrowski, J.; Schmidt, Marc-Peter; Metzner, Sebastian; Bläsing, Jürgen; Neugebauer, Silvio; Dempewolf, Anja; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Workshop der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung DGKK - Dresden . - 2019
Nanoscale cathodoluminescence of an InGaN single quantum well intersected by individual dislocations
Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Metzner, Sebastian; Berger, Christoph; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: Konferenz: 18th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, DRIP XVIII, Berlin, September, 8-12, 2019, Microscopy and microanalysis - New York, NY : Cambridge University Press, Bd. 22 (2019), S. 602-603
AlGaN-based deep UV LEDs grown on high temperature annealed epitaxially laterally overgrown AlN/sapphire
Susilo, N.; Ziffer, E.; Cancellara, L.; Metzner, Sebastian; Belde, B.; Bertram, Frank; Walde, S.; Sulmoni, L.; Guttmann, M.; Wernicke, T.; Christen, Jürgen; Albrecht, M.; Weyers, M.; Kneisel, M.
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2019, Art. HL2.11[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]
Small-area current injection in GaN-based light emitters with tunnel junctions
Berger, Christoph; Neugebauer, Silvio; Seneza, Cleophace; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, Andrée-Woo
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL2.5[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]
Characterization of 3D semiconductor nanostructures using ultra-high-resolution STEM-CL at He-temperatures
Christen, Jürgen
In: SFU spezial seminar 2019: Vancouver, Canada, July, 23, 2019 - Vancouver: Simon Fraser University Department of Physics[Seminar: SFU spezial seminar 2019, Vancouver, Canada, July, 23, 2019]
Growth of desorption-induced GaN quantum-dots
Berger, Christoph; Schmidt, Gordon; Schürmann, Hannes; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André; Kalinoswki, S.; Jagsch, S. T.; Callsen, G.; Wagner, M. R.; Hoffmann, A.
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL13.3[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]
1D photonic bandgap structures for high-power GaN/InGaN laser divices
Sana, Prabha; Berger, Christoph; Schmidt, Marc-Peter; Schmidt, Gordon; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Deckert, M.; Witte, Hartmut; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL36.10[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]
Study of heavy-ion irradiation induced degradation on AlInN/GaN on Si High-Electron-Mobility Transistors (HEMTS)
Challa, Seshagiri Rao; Vega, N.; Kristukat, C.; Müller, N.; Debray, M.; Schmidt, Gordon; Christen, Jürgen; Hörich, Florian; Witte, Hartmut; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2019, Art. HL2.8[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]
Nanoscale structural and optical properties of deep UV-emitting GaN/AlN quantum well stack
Sheng, B.; Wang, Y.; Rong, X.; Chen, Z.; Wang, T.; Wang, P.; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Miyake, H.; Li, H.; Qin, Z.; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Shen, B.; Wang, X.
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2019, Art. HL31.7[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]
Self-organized GaN quantum dots grown on a wavelength-matched deep UV AlN/AlGaN distributed Bragg reflector
Schürmann, Hannes; Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Kalinowski, S.; Jagsch, S. T.; Callsen, G.; Wagner, M. R.; Hoffmann, A.
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL13.4[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]
Characterization of 3D semiconductor nanostructures using ultra-high-resolution STEM-CL
Christen, Jürgen; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Veit, Peter
In: EUROMAT 2019 - European Congress and Exhibition on Advanced Materials and Processes: 1-5 September 2019, Stockholm, Sweden ; abstract book - Stockholm, S. 108
Buchbeitrag
Probing the homogeneity of an In-rich InGaN layer by nanoscale cathodoluminescence
Sheng, B.; Zheng, X.; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Wang, P.; Bertram, Frank; Chen, Z.; Christen, Jürgen; Shen, B.; Wang, X.
In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash. : SPIE - Volume 10918 (2019), article 109180L
Nanometer scale cathodoluminescence of GaN quantum-dots on a wavelength-matched deep-UV distributed Bragg reflector (conference presentation)
Schuermann, Hannes; Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Kalinowski, Stefan; Callsen, Gordon; Jagsch, Stefan; Wagner, Markus; Hoffmann, Axel
In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash.: SPIE, 1963, Volume 10929 (2019)
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Outstanding reliability of heavy ion irradiated AlInN/GaN on silicon HFETs
Vega, Nahuel A.; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Challa, Seshagiri Rao; Ferreyra, Romualdo A.; Kristukat, Christian; Muller, Nahuel A.; Debray, Mario E.; Schmidt, Gordon; Witte, Hartmut; Christen, Jürgen
In: IEEE transactions on nuclear science : a publication of the IEEE Nuclear and Plasma Sciences Society / Institute of Electrical and Electronics Engineers - New York, NY : IEEE, Bd. 66.2019, 12, S. 2417-2421
Nanoscale mapping of carrier recombination in GaAs/AlGaAs core-multishell nanowires by cathodoluminescence imaging in a scanning transmission electron microscope
Müller, Marcus; Bertram, Frank; Veit, Peter; Loitsch, Bernhard; Winnerl, Julia; Matich, Sonja; Finley, Jonathan J.; Koblmüller, Gregor; Christen, Jürgen
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Volume 115, issue 24 (2019), article 243102
Ordered arrays of defect-free GaN nanocolumns with very narrow excitonic emission line width
Fernando-Saavedra, A.; Albert, S.; Bengoechea-Encabo, A.; Lopez-Romero, D.; Niehle, M.; Metzner, Sebastian; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Sánchez-García, M. A.; Trampert, A.; Christen, Jürgen; Calleja, E.
In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.] : Elsevier - Volume 525 (2019), article 125189
Intensive luminescence from a thick, indium-rich In0.7Ga0.3N film
Sheng, Bowen; Bertram, Frank; Zheng, Xiantong; Wang, Ping; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Chen, Zhaoying; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Shen, Bo; Wang, Xinqiang
In: Japanese journal of applied physics - Bristol: IOP Publ., Volume 58, issue 6 (2019), article 065503, insgesamt 6 Seiten
Dissertation
Untersuchungen von Inhomogenitäten und kompositionellen Gradienten in Cu(In, Ga)Se2 mittels hoch orts-, hoch spektral- und hoch zeitaufgelöster Kathodolumineszenz
Müller, Mathias; Christen, Jürgen
In: Magdeburg, Dissertation Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Fakultät für Naturwissenschaften 2019, 115 Seiten [Literaturverzeichnis: Seite 103-114][Literaturverzeichnis: Seite 103-114]
2018
Abstract
Microstructure of GaN fin LEDs: characterization of Structural and Optical Properties by STEM-CL
Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Veit, Peter; Hempel, Thomas; Hartmann, J.; Steib, F.; Zhou, H.; Ledig, J.; Fündling, S.; Wehmann, H.-H.; Waag, A.; Christen, Jürgen
In: OPIC 2018: Optics & Photonics International Congress, 23-27 April 2018, Pacifica Yokohama, Yokohama, Japan : congress programm - Yokohama, 2018 . - 2018, S. 105
Cathodoluminescence investigations of the uniformity of monolayer-thick (In,Ga)N quantum wells
Anikeeva, M.; Schulz, T.; Chèze, C.; Calarco, R.; Jahn, U.; Wolny, P.; Sawicka, M.; Siekacz, M.; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Albrecht, M.
In: ICPS 2018: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, from29th July to 3rd August, 2018, Montpellier, France - Montpellier, 2018 . - 2018[Konferenz: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2018, Montpellier, France, 29.07. - 03.08.2018]
Direct comparison of structural and optical properties of GaN fin LED microstructure with nonpolar sidewalls
Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Petzold, Silke; Dempewolf, Anja; Hempel, Thomas; Bertram, Frank; Harmann, J.; Zhou, H.; Steib, F.; Ledig, J.; Fündling, S.; Wehmann, H.-H.; Waag, A.; Christen, Jürgen
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2018, Art. HL 27.6[Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V., Berlin, 2018]
Growth of sp2-BN thin films by MBE: effect of post thermal annealing
Liu, F.; Rong, X.; Wang, T.; Sheng, B.; Zheng, X.; Sheng, S.; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Xu, F.; Shen, B.; Wang, X.
In: International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2018: December 9-12, 2018, Kunming Yunan Conference Hotel, Kunming, China - Kunming, China, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2018, Kunming, China, December 9-12, 2018]
Nanoscale cathodoluminescence investigation of GaN / AlN quantum dot formation
Bertram, Frank; Schürmann, Hannes; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: Compound Semiconductor Week 2018, CSW 2018: 45th International Symposium on Compound Semiconductors, 30th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials - Cambridge, MA, 2018 . - 2018[Compound Semiconductor Week 2018, CSW 2018, Cambridge, MA, USA, May 29-June 1, 2018]
Nanoscale investigation of a deep UV-emitting GaN/AlN quantum well stack
Sheng, B.; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Wang, Y.; Rong, X.; Chen, Z.; Wang, T.; Wang, P.; Miyake, H.; Li, H.; Guo, S.; Qin, Z.; Christen, Jürgen; Shen, B.; Wang, X.
In: International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2018: December 9-12, 2018, Kunming Yunan Conference Hotel, Kunming, China - Kunming, China, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2018, Kunming, China, December 9-12, 2018]
Deep ultraviolet light source from ultra-confined GaN quantum wells grown on thermally annealed AlN template
Wang, Y.; Wang, X.; Qin, Z.; Guo, S.; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Ivanov, S. V.; Miyake, H.; Kozlovsky, V. I.; Li, H.; Rong, X.; Chen, Z.; Wang, T.; Sheng, B.; Shen, B.
In: International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2018: December 9-12, 2018, Kunming Yunan Conference Hotel, Kunming, China - Kunming, China, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2018, Kunming, China, December 9-12, 2018]
Self-organized GaN quantum dots on a deep UV AlN/AlGaN distributed Bragg reflector
Schürmann, H.; Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Kalinowski, S.; Hoffmann, A.
In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, November 11-16, 2018]
Nanoscale structural and optical properties of deep UV-emitting GaN/AlN MQW-stack
Sheng, B.; Wang, Y.; Rong, X.; Chen, Z.; Wang, T.; Wang, P.; Miyake, H.; Li, H.; Guo, S.; Qin, Z.; Christen, Jürgen; Wang, Z.; Shen, B.
In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, November 11-16, 2018]
Cathodoluminescence characteristics of high indium contenting InGaN film
Sheng, B.; Zheng, X.; Liang, H.; Wang, P.; Bertram, Frank; Chen, Z.; Christen, Jürgen; Wang, X.; Shen, B.
In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, November 11-16, 2018]
InGaN still to be discovered
Anikeeva, M.; Schulze, T.; Lymperakis, L.; Freysoldt, C.; Wolny, P.; Sawicka, M.; Cheze, C.; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Mahler, F.; Tomm, J.; Skierbiszewski, C.; Christen, Jürgen; Neugebauer, J.; Albrecht, M.
In: International Symposium on Growth of III-Nitrides, ISGN-7: August 5-10, 2018, Warsaw, Poland : [book of abstract] - Warsaw, 2018, 2018, Abstract Fr1.1[Symposium: International Symposium on Growth of III-Nitrides, ISGN-7, Warsaw, Poland, August 5-10, 2018]
Nanoscale characterization of high reflectivity AIN/AlGaN deep UV Bragg reflectors
Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Schürmann, Hannes; Petzold, Silke; Bertram, Frank; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, November 11-16, 2018]
Nanoscale investigation of GaN / AlN quantum dot formation
Schürmann, Hannes; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: ICPS 2018: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, from29th July to 3rd August, 2018, Montpellier, France - Montpellier, 2018 . - 2018[Konferenz: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2018, Montpellier, France, 29.07. - 03.08.2018]
GaN-based LEDs with GaN:Mg/GaN:Ge tunnel junction grown by metalorganic vapor phase epitaxy
Berger, Christoph; Neugebauer, Silvio; Seneza, C.; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, November 11-16, 2018]
Self-assembled GaN quantum dots grown on a wavelength-matched deep UV AlN/AlGaN distributed Bragg reflector
Schürmann, Hannes; Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Kalinowski, S.; Jagsch, S.; Hoffmann, A.
In: DGKK Workshop on Epitaxy of III-V Compounds 2018 - Paderborn, 2018 . - 2018[Workshop: DGKK Workshop on Epitaxy of III-V Compounds 2018, Paderborn, 6. - 7. Dezember 2018]
Nanoscale cathodoluminescence of a narrow band distributed Bragg reflector realized by GaN - Ge modulation doping
Christen, Jürgen; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Voß, A.; Reuper, Alexander; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Wagner, Markus R.; Maultzsch, Janina; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: ICPS 2018: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, from29th July to 3rd August, 2018, Montpellier, France - Montpellier, 2018 . - 2018[Konferenz: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2018, Montpellier, France, 29.07. - 03.08.2018]
Desorption induced formation of deep UV-emitting nanostructures
Schürmann, Hannes; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Kalinowski, S.; Callsen, G.; Jagsch, S. T.; Wagner, M. R.; Hoffmann, A.; Christen, Jürgen
In: International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2018: December 9-12, 2018, Kunming Yunan Conference Hotel, Kunming, China - Kunming, China, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2018, Kunming, China, December 9-12, 2018]
Heavy-ion induced effects on AlInN/GaN on Si High- Electron-Mobility Transistors (HEMTs)
Challa, Seshagiri Rao; Vega, N.; Kristukat, Ch.; Debrey, M. E.; Schmidt, Gordon; Hörich, Florian; Witte, Kerstin; Christen, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: 9th Wide Band Gap Semiconductor and Components Workshop: 8-9th October 2018, ECSAT, Harwell, UK - Noordwijk: ESA-ESTEC, 2018, 2018, Devises 2[Workshop: 9th Wide Band Gap Semiconductor and Components Workshop, Harwell, UK, 8 - 9 October 2018]
Correlation of structural and optical properties of GaN/AlN quantum disks embedded in nanowires by highly spatially cathodoluminescence microscopy
Sheng, B.; Bertram, Frank; Wang, P.; Sun, X.; Schmidt, Gordon; Müller, M.; Veit, Peter; Hempel, Thomas; Christen, Jürgen; Wang, X.
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2018, Art. HL 22.3[Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V., Berlin, 2018]
Impact of growth interruption on the structure and luminescence of two- and zero-dimensional GaN/AlN heterostructures
Schürmann, Hannes; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bertram, Frank; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2018, Art. HL27.3[Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V., Berlin, 2018]
On tolerance of AlInN/GaN on Si High-Electron-Mobility Transistors to heavy-ion irradiation
Challa, Seshagiri Rao; Vega, Nahuel; Kristukat, Christian; Müller, N. A.; Dabray, M. E.; Schmidt, Gordon; Hörich, Florian; Witte, Hartmut; Christen, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, November 11-16, 2018]
Nanoscale cathodoluminescence of a narrow band distributed Bragg reflector realized by GaN - Ge modulation doping
Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Voß, A.; Reuper, Alexander; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Poliani, E.; Wagner, M. R.; Maultzsch, J.; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Hoffmann, A.; Christen, Jürgen
In: ICPS 2018: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, from29th July to 3rd August, 2018, Montpellier, France - Montpellier, 2018 . - 2018[Konferenz: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2018, Montpellier, France, 29.07. - 03.08.2018]
Buchbeitrag
Nanoscopic insights into the structural and optical properties of a thick InGaN shell grown coaxially on GaN microrod
Bertram, Frank; Müller, Marcus; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Hartmann, Jana; Zhou, Hao; Wehmann, H.-H.; Waag, Anadreas
In: Proceedings of SPIE/ SPIE - Bellingham, Wash.: SPIE, 1963, Vol. 10532.2018, Art. 105321E[SPIE OPTO, 2018, San Francisco, California, United States, 27 January - 1 February 2018]
Recent progress in nonpolar and semi-polar GaN light emitters on patterned Si substrates
Ding, K.; Avrutin, V.; Izyumskaya, N.; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Ozgur, U.; Morkoc, H.
In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash. : SPIE - Vol. 10532.2018, Art. 1053208
A-plane GaN epitaxial lateral overgrowth structures: growth domains, morphological defects, and impurity incorporation directly imaged by cathodoluminescence microscopy
Hogan, Kasey; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Mahaboob, Isra; Rocco, Emma; Shahedipour-Sandvik, F.; Dempewolf, Anja; Christen, Jürgen
In: Proceedings of SPIE/ SPIE - Bellingham, Wash.: SPIE, 1963, Vol. 10532.2018, Art. 105320V[SPIE OPTO, 2018, San Francisco, California, United States, 27 January - 1 February 2018]
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Direct imaging of Indium-rich triangular nanoprisms self-organized formed at the edges of InGaN/GaN core-shell nanorods
Schmidt, Gordon; Müller, Marcus; Veit, Peter; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Hartmann, Jana; Zhou, Hao; Wehmann, Hergo-Heinrich; Waag, Andreas; Christen, Jürgen
In: Scientific reports - [London] : Springer Nature - 2018, Artikelnummer 16026, insgesamt 8 Seiten
Dissertation
Nanocharakterisierung optischer und struktureller Eigenschaften von GaN-basierten Nano- und Mikrosäulen
Müller, Marcus; Christen, Jürgen
In: Magdeburg, Dissertation Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Fakultät für Naturwissenschaften 2018, 182 Seiten [Literaturverzeichnis: Seite 161-178]
2017
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Selective area growth of AlN/GaN nanocolumns on (0001) and (1122) GaN/sapphire for semi-polar and non-polar AlN pseudo-templates
Bengoechea-Encabo, A; Albert, S.; Müller, Mathias; Xie, M.-Y.; Veit, Peter; Bertram, Frank; Sanchez-Garcia, M. A.; Zúñiga-Pérez, J.; Mierry, P.; Christen, Jürgen; Calleja, E.
In: Nanotechnology - Bristol : IOP Publ, Vol. 36.2017, 36, Art. 365704, insgesamt 6 S.
Compositionally graded InGaN layers grown on vicinal N-face GaN substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Hestroffer, Karine; Lund, Cory; Koksaldi, Onur; Li, Haoran; Schmidt, Gordon; Trippel, Max; Veit, Peter; Bertram, Frank; Lu, Ning; Wang, Qingxiao; Christen, Jürgen; Kim, Moon J.; Mishra, Umesh K.; Keller, Stacia
In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, 1967, Bd. 465.2017, S. 55-59
Emission of linearly polarized single photons from quantum dots contained in nonpolar, semipolar, and polar sections of pencil-Like InGaN/GaN nanowires
Gačević, Žarko; Holmes, Mark; Chernysheva, Ekaterina; Müller, Marcus; Torres-Pardo, Almudena; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; González Calbet, José María; Arakawa, Yasuhiko; Calleja, Enrique; Lazić, Snežana
In: ACS photonics - Washington, DC: ACS, 2014, Bd. 4.2017, 3, S. 657-664
Exciton emission of quasi-2D InGaN in GaN matrix grown by molecular beam epitaxy
Ma, Dingyu; Rong, Xin; Zheng, Xiantong; Wang, Weiying; Wang, Ping; Schulz, Tobias; Albrecht, Martin; Metzner, Sebastian; Müller, Mathias; August, Olga; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Jin, Peng; Liu, Mohan; Zhang, Jian; Yang, Xuelin; Xu, Fujun; Qin, Zhixin; Ge, Weikun; Shen, Bo; Wang, Xinqiang
In: Scientific reports - [London] : Macmillan Publishers Limited, part of Springer Nature - Vol. 7.2017, Art. 46420, insgesamt 6 S.
Effect of nano-porous SiNx interlayer on propagation of extended defects in semipolar (1122)-orientated GaN
Monavarian, Morteza; Izyumskaya, Natalia; Müller, Mathias; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Das, Saikat; Özgür, Ümit; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Morkoç, Hadis; Avrutin, Vitaly
In: Physica status solidi / C : pss - Berlin : Wiley-VCH, Vol. 14.2017, 8, Art. 1700024, insgesamt 5 S. [Special Issue: 9 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)]
Dissertation
Hoch orts-zeitaufgelöste optische Untersuchungen zum exzitonischen Transport in GaN und ZnO
Noltemeyer, Martin; Christen, Jürgen
In: Magdeburg, Dissertation Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Fakultät für Naturwissenschaften 2017, x, 161 Seiten, Illustrationen, Diagramme, 30 cm [Literaturverzeichnis: Seite 155-162]
2016
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Defect reduced selectively grown GaN pyramids as template for green InGaN quantum wells
Wagner, J.; Wächter, C.; Wild, J.; Müller, M.; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Schmidt, Gordon; Jetter, M.; Bertram, Frank; Zweck, J.; Christen, Jürgen; Michler, P.
In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, 1961, Bd. 253.2016, 1, S. 67-72
Phosphor-converted white light from blue-emitting InGaN microrod LEDs
Schimpke, Tilman; Mandl, Martin; Stoll, Ion; Pohl-Klein, Bianca; Bichler, Daniel; Zwaschka, Franz; Strube-Knyrim, Johanna; Huckenbeck, Barbara; Max, Benjamin; Müller, Marcus; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Hartmann, Jana; Waag, Andreas; Lugauer, Hans-Jürgen; Strassburg, Martin
In: Physica status solidi / A - Weinheim: Wiley-VCH, 1970, Bd. 213.2016, 6, S. 1577-1584
Microscopic nature of crystal phase quantum dots in ultrathin GaAs nanowires by nanoscale luminescence characterization
Loitsch, Bernhard; Müller, Marcus; Winnerl, Julia; Veit, Peter; Rudolph, Daniel; Abstreiter, Gerhard; Finley, Janathan J.; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Koblmüller, Gregor
In: New journal of physics - [Bad Honnef]: Dt. Physikalische Ges, 1999, Bd. 18.2016, 6, insges. 11 S.
Influence of composition, strain, and electric field anisotropy on different emission colors and recombination dynamics from InGaN nanodisks in pencil-like GaN nanowires
Gačević, Ž.; Vukmirović, N.; García-Lepetit, N.; Torres-Pardo, A.; Müller, M.; Metzner, Sebastian; Albert, S.; Bengoechea-Encabo, A.; Bertram, Frank; Veit, Peter; Christen, Jürgen; González-Calbet, J. M.; Calleja, E.
In: Physical review - Woodbury, NY: Inst., 2016, Vol. 93.2016, 12-15, Art. 125436
Clustered quantum dots in single GaN islands formed at threading dislocations
Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Berger, Christoph; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: Japanese journal of applied physics: JJAP - Bristol: IOP Publ., 1962, Vol. 55.2016, 5S, Art. 05FF04, insgesamt 5 S.
Structural and optical nanoscale analysis of GaN core-shell microrod arrays fabricated by combined top-down and bottom-up process on Si(111)
Müller, Marcus; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bertram, Frank; Krylyuk, Sergiy; Debnath, Ratan; Ha, Jong-Yoon; Wen, Baomei; Blanchard, Paul; Motayed, Abhishek; King, Matthew R.; Davydov, Albert V.; Christen, Jürgen
In: Japanese journal of applied physics: JJAP - Bristol: IOP Publ., 1962, Vol. 55.2016, 5S, Art. 05FF02, insgesamt 6 S.
Improvement of optical quality of semipolar (1122) GaN on m-plane sapphire by in-situ epitaxial lateral overgrowth
Monavarian, Morteza; Izyumskaya, Natalia; Müller, Marcus; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Can, Nuri; Das, Saikat; Özgür, Ümit; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Morkoç, Hadis; Avrutin, Vitaly
In: Journal of applied physics - Melville, NY: American Inst. of Physics, 1931, Vol. 119.2016, 14, Art. 145303, insgesamt 7 S.
Polarization engineering of c-plane InGaN quantum wells by pulsed-flow growth of AlInGaN barriers
Neugebauer, Silvio; Metzner, Sebastian; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, 1961, Bd. 253.2016, 1, S. 118-125
Direct microscopic correlation of real structure and optical properties of semipolar GaN based on pre-patterned r-plane sapphire
Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Hempel, Thomas; Meisch, Tobias; Schwaiger, Stephan; Scholz, Ferdinand; Christen, Jürgen
In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, 1961, Bd. 253.2016, 1, S. 54-60
Metalorganic chemical vapor phase epitaxy of narrow-band distributed Bragg reflectors realized by GaN:Ge modulation doping
Berger, Christoph; Lesnik, Andreas; Zettler, Thomas; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, 1967, Bd. 440.2016, S. 6-12
Direct correlations of structural and optical properties of three-dimensional GaN/InGaN core/shell micro-light emitting diodes
Mohajerani, Martin Sadat; Müller, Marcus; Hartmann, Jana; Zhou, Hao; Wehmann, Hergo-H.; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Waag, Andreas
In: Japanese journal of applied physics - Bristol: IOP Publ, 1962, Vol. 55.2016, 5S, Art. 05FJ09, insgesamt 5 S.
Nanoscale cathodoluminescene imaging of III-nitride-based LEDs with semipolar quantum wells in a scanning transmission electron microscope
Müller, Marcus; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bertram, Frank; Leute, Robert Anton Richard; Heinz, Dominic; Wang, Junjun; Meisch, Tobias; Scholz, Ferdinand; Christen, Jürgen
In: Physica status solidi - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 253.2016, 1, S. 112-117
Nanoscopic insights into InGaN/GaN core-shell nanorods - structure, composition, and luminescence
Müller, Markus; Veit, Peter; Krause, Florian F.; Schimpke, Tilman; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Mehrtens, Thorsten; Müller-Caspary, Knut; Avramescu, Adrian; Strassburg, Martin; Rosenauer, Andreas; Christen, Jürgen
In: Nano letters: a journal dedicated to nanoscience and nanotechnology - Washington, DC: ACS Publ., 2001, Bd. 16.2016, 9, S. 5340-5346
Embedded GaN nanostripes on c-sapphire for DFB lasers with semipolar quantum wells
Leute, Robert A. R.; Heinz, Dominik; Wang, Yunjun; Meisch, Tobias; Müller, Mathias; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Martens, Martin; Wernicke, Tim; Kneissl, Michael; Jenisch, Stefan; Strehle, Steffen; Rettig, Oliver; Thonke, Klaus; Scholz, Ferdinand
In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, 1961, Bd. 253.2016, 1, S. 180-185
Nanoscale cathodoluminescence of stacking faults and partial dislocations in a-plane GaN
Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Wieneke, Matthias; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Christen, Jürgen
In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, 1961, Bd. 253.2016, 1, S. 73-77
2015
Artikel in Zeitschrift
Gallium gradients in Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells
Witte, Wolfram; Abou-Ras, Daniel; Albe, Karsten; Bauer, Gottfried H.; Bertram, Frank; Boit, Christian; Brüggemann, Rudolf; Christen, Jürgen; Dietrich, Jens; Eicke, Axel
In: Progress in photovoltaics: research and applications - Chichester: Wiley, 1993, Bd. 23.2015, 6, S. 717-733[Article first published online: 28 MAR 2014]
Buchbeitrag
Indium-incorporation efficiency in semipolar (11-22) oriented InGaN-based light emitting diodes
Monavarian, Morteza; Metzner, Sebastian; Izyumskaya, Natalia; Okur, Serdal; Zhang, Fan; Can, Nuri; Das, Saikat; Avrutin, Vitaliy; Özgür, Ümit; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Morkoç, Hadis
In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash: SPIE, Bd. 9363.2015
Strong exciton-photon coupling in hybrid InGaN-based microcavities on GaN substrates
Okur, Serdal; Franke, Alexander; Zhang, Fan; Avrutin, Vitaliy; Morkoç, Hadis; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Özgür, Ümit
In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash: SPIE, Bd. 9363.2015
Enhancement of optical and structural quality of semipolar (11-22) GaN by introducing nanoporous SiN x interlayers
Monavarian, Morteza; Metzner, Sebastian; Izyumskaya, Natalia; Müller, Marcus; Okur, Sserdal; Zhang, Fan; Can, Nuri; Das, Saikat; Avrutin, Vitaliy; Özgür, Ümit; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Morkoç, Hadis
In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash: SPIE, Bd. 9363 (2015)
Spatially resolved optical emission of cubic GaN/AIN multi-quantum well structures
As, D. J.; Kemper, R.; Mietze, C.; Wecker, T.; Lindner, J. K. N.; Veit, Peter; Dempewolf, Anja; Bertram, Frank; Christen, Jürgen
In: MRS online proceedings library - Warrendale, Pa: MRS, Bd. 1736.2015, S. 25-30
Ordered arrays of InGaN/GaN dot-in-a-wire nanostructures as single photon emitters
Lazić, Snežana; Chernysheva, Ekaterina; Gačević, Žarko; García-Lepetit, Noemi; Meulen, Herko P.; Müller, Marcus; Bertram, Frank; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Torres-Pardo, Almudena; González Calbet, José M.; Calleja, Enrique; Calleja, José M.
In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash: SPIE, Bd. 9363 (2015)
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Direct evidence of single quantum dot emission from GaN islands formed at threading dislocations using nanoscale cathodoluminescence - a source of single photons in the ultraviolet
Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Veit, Peter; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Callsen, Gordon; Kalinowski, Stefan; Hoffmann, Axel
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, 1962, Vol. 106.2015, 25, Art. 252101, insgesamt 5 S.
About the practical implementation of same time-of-flight measurements scheme in cathodoluminescence microscopy
Polyakov, A. N.; Noltemeyer, M.; Hempel, Thomas; Christen, Jürgen; Stepovich, M. A.
In: Prikladnaja fizika: naučno-techničeskij žurnal - Moskva, 4, S. 16-20, 2015
Blue-to-green single photons from InGaN/GaN dot-in-a-nanowire ordered arrays
Chernysheva, E.; Gačević, Ž.; García-Lepetit, N.; Van Der Meulen, H. P.; Müller, M.; Bertram, Frank; Veit, Peter; Torres-Pardo, A.; González Calbet, J. M.; Christen, Jürgen; Calleja, E.; Calleja, J. M.; Lazić, S.
In: epl: a letters journal exploring the frontiers of physics - Les Ulis: EDP Sciences, Bd. 111.2015, 2, insges. 7 S.
Growth of AlInN/GaN distributed Bragg reflectors with improved interface quality
Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Lesnik, Andreas; Veit, Peter; Schmidt, Gordon; Hempel, Thomas; Christen, Jürgen; Krost, Alois; Strittmatter, André
In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, 1967, Bd. 414.2015, S. 105-109
Determination of carrier diffusion length in GaN
Hafiz, Shopan; Zhang, Fan; Monavarian, Morteza; Avrutin, Vitaliy; Morkoç, Hadis; Özgür, Ümit; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Gil, Bernard
In: Journal of applied physics: AIP's archival journal for significant new results in applied physics - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 117.2015, 1, Art. 013106, insgesamt 4 S.
Optical emission of individual GaN nanocolumns analyzed with high spatial resolution
Urban, Arne; Müller, Marcus; Karbaum, C.; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Malindretos, Joerg; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Rizzi, A.
In: Nano letters - Washington, DC: ACS Publ, Bd. 15 (2015), 8, S. 5105-5109
STEM-CL investigations on the influence of stacking faults on the optical emission of cubic GaN epilayers and cubic GaN/AlN multi-quantum wells
Kemper, R. M.; Veit, Peter; Mietze, C.; Dempewolf, Anja; Wecker, T.; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Lindner, J. K. N.; As, D. J.
In: Physica status solidi / C: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 12.2015, 4/5, S. 469-472
2014
Buchbeitrag
Impact of extended defects on optical properties of (1-101)GaN grown on patterned Si
Okur, S.; Izyumskaya, N.; Zhang, F.; Avrutin, V.; Metzner, Sebastian; Karbaum, Christopher; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Morkoç, H.; Özgür, Ü.
In: Proceedings of SPIE/ SPIE - Bellingham, Wash.: SPIE, 1963, Bd. 8986/2014
Determination of carrier diffusion length in p- and n-type GaN
Hafiz, Shopan; Metzner, Sebastian; Zhang, Fan; Monavarian, Morteza; Avrutin, Vitaliy; Morkoç, Hadis; Karbaum, Christopher; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Gil, Bernard; Özgür, Ümit
In: Proceedings of SPIE/ SPIE - Bellingham, Wash.: SPIE, 1963, Vol. 8986.2014, Art. 89862C
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Extended defects in GaN nanocolumns characterized by cathodoluminescence directly performed in a transmission electron microscope
Bertram, Frank; Müller, Marcus; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Urban, Arne; Malindretos, Joerg; Rizzi, Angela
In: Turkish journal of physics - Ankara: Tübitak, 1996 . - 2014
Growth of InGaN/GaN core-shell structures on selectively etched GaN rods by molecular beam epitaxy
Albert, S.; Bengoechea-Encabo, A.; Sabido-Siller, M.; Müller, Marcus; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bertram, Frank; Sánchez-García, M. A.; Christen, Jürgen; Calleja, E.
In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, 1967, Bd. 392.2014, S. 5-10
Symmetry dependent optoelectronic properties of grain boundaries in polycrystalline Cu(In,Ga)Se 2 thin films
Müller, Mathias; Abou-Ras, Daniel; Rissom, Thorsten; Bertram, Frank; Christen, Jürgen
In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics - Bd. 115.2014, 2, Art. 023514, insgesamt 7 S.
InGaN - direct correlation of nanoscopic morphology features with optical and structural properties
Koch, Holger; Bertram, Frank; Pietzonka, Ines; Ahl, Jan-Philipp; Strassburg, Martin; August, Olga; Christen, Jürgen; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei; Lugauer, Hans-Jürgen
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, 1962, Vol. 105.2014, 7, Art. 072108, insgesamt 5 S.
Nano-scale luminescence characterization of individual InGaN/GaN quantum wells stacked in a microcavity using scanning transmission electron microscope cathodoluminescence
Schmidt, Gordon; Müller, Marcus; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Glauser, Marlene; Carlin, Jean-François; Cosendey, Gatien; Butté, Raphael; Grandjean, Nicolas
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, 1962, Vol. 105.2014, 3, Art. 032101, insgesamt 5 S.
2013
Buchbeitrag
GaN laser structure with semipolar quantum wells and embedded nanostripes
Leute, R. A. R.; Meisch, T.; Wang, J.; Biskupek, J.; Kaiser, U.; Muller, M.; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Scholz, F.
In: 2013 Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR). - IEEE, insges. 2 S.Kongress: CLEO-PR; (Kyoto, Japan) : 2013.06.30-07.04
Depth distribution of carrier lifetimes in semipolar (11macron01) GaN grown by MOCVD on patterned Si substrates
Izyumskaya, N.; Okur, S.; Zhang, F.; Avrutin, V.; Özgür, Ü.; Metzner, Sebastian; Karbaum, Christopher; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Morkoc, H.
In: Gallium nitride materials and devices VIII. - Bellingham, Wash. : SPIE, 2013 - (Proceedings of SPIE; 8625)Kongress: Symposium on Gallium Nitride Materials and Devices; (San Francisco, Calif.) : 2013.02.04-07
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Growth and characterization of stacking fault reduced GaN(101̄3) on sapphire
Bläsing, Jürgen; Holý, Vaclav; Dadgar, Armin; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Ploch, Simon; Frentrup, Martin; Wernicke, Tim; Kneissl, Michael; Krost, Alois
In: Journal of physics. - Bristol : IOP PublJournal of physics / D, Bd. 46.2013, 12, insges. 4 S.
Optical studies of strain and defect distribution in semipolar (1 1 01) GaN on patterned Si substrates
Izyumskaya, N.; Zhang, F.; Okur, S.; Selden, T.; Avrutin, V.; Özgür, Ü.; Metzner, Sebastian; Karbaum, Christopher; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Morkoç, H.
In: Journal of applied physics. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 114.2013, Art. 113502, insgesamt 10 S.
Microscopic distribution of extended defects and blockage of threading dislocations by stacking faults in semipolar (1101) GaN revealed from spatially resolved luminescence
Okur, S.; Metzner, Sebastian; Izyumskaya, N.; Zhang, F.; Avrutin, V.; Karbaum, Christopher; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Morkoç, H.; Özgür, Ü.
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, Art.211908, insgesamt 6 S.
GaN-based vertical cavities with all dielectric reflectors by epitaxial lateral overgrowth
Okur, Serdal; Shimada, Ryoko; Zhang, Fan; Hafiz, Shopan Din Ahmad; Lee, Jaesoong; Avrutin, Vitaliy; Morkoç, Hadis; Franke, Alexander; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Özgür, Ümit
In: Japanese journal of applied physics. - Tokyo : Inst. of Pure and Applied Physics; 52.2013, Art. 08JH03, insgesamt 4 S.
Group III nitride coreshell nano- and microrods for optoelectronic applications
Mandl, Martin; Wang, Xue; Schimpke, Tilman; Kölper, Christopher; Binder, Michael; Ledig, Johannes; Waag, Andreas; Kong, Xiang; Trampert, Achim; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Barbagini, Francesca; Calleja, Enrique; Strassburg, Martin
In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / Rapid research letters, Bd. 7.2013, 10, S. 800-814
MOVPE growth of semi-polar GaN light-emitting diode structures on planar Si(112) and Si(113) substrates
Ravash, Roghaiyeh; Dadgar, Armin; Bertram, Frank; Dempewolf, Anja; Metzner, Sebastian; Hempel, Thomas; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Journal of crystal growth. - Amsterdam [u.a.] : Elsevier, Bd. 370.2013, S. 288-292
2012
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Cathodoluminescence directly performed in a transmission electron microscope - nanoscale correlation of structural and optical properties
Christen, Jürgen; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Petzold, S.; Ravash, R.; Dadgar, Armin; Krost, A.
In: Microscopy and microanalysis - New York, NY: Cambridge University Press, Bd. 18 (2012), S2, S. 1834-1835
An improved carrier rate model to evaluate internal quantum efficiency and analyze efficiency droop origin of GaN based light-emitting diodes
Wang, Jiaxing; Wang, Lai; Wang, Lei; Hao, Zhibiao; Luo, Yi; Dempewolf, Anja; Müller, Mathias; Bertram, Frank; Christen, Jürgen
In: Journal of applied physics. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 112.2012, 2, Art. 023107, insgesamt 6 S.
Optical characterization of a InGaN/GaN microcavity with epitaxial AlInN/GaN bottom DBR
Franke, Alexander; Bastek, B.; Sterling, Stefan; August, Olga; Petzold, Silke; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Moser, P.; Wieneke, Matthias; Berger, Christoph; Bläsing, J.; Dadgar, Armin; Krost, Alois
In: MRS online proceedings library - Warrendale, Pa.: MRS, 1998, Bd. 1396.2012[MRS Fall Meeting 2011]
Habilitation
Optische Mikro-Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem ZnO und ZnO-basierten Heterostrukturen
Bertram, Frank; Christen, Jürgen
In: Magdeburg, Univ., Fak. für Naturwiss., Habil.-Schr., 2012, 75 S.
Artikel in Kongressband
Chemical gradients in Cu(In,Ga)(S,Se)2 thin-film solar cells - results of the GRACIS project
Witte, Wolfram; Powalla, Michael; Hariskos, D.; Eicke, A.; Botros, M.; Schock, H.-W.; Abou-Ras, D.; Mainz, R.; Rodríguez-Alvarez, H.; Unold, T.; Bauer, G. H.; Brüggemann, R.; Heise, S. J.; Neumann, O.; Meessen, M.; Christen, Jürgen; Bertram, Frank; Müller, Mathias; Klein, A.; Adler, T.; Albe, K.; Pohl, J.; Martin, M.; De Souza, R. A.; Nagarajan, L.; Beckers, T.; Boit, C.; Dietrich, J.; Hetterich, M.; Zhang, Z.; Scheer, R.; Kempa, H.; Orgis, T.
In: EU PVSEC proceedings - Munich : WIP-Renewable Energies - 2012, Session 3BO.4.1, S. 2166-2176
Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Growth and stacking fault reduction in semi-polar GaN films on planar Si(112) and Si(113)
Ravash, Roghaiyeh; Veit, Peter; Müller, Mathias; Schmidt, Gordon; Dempewolf, Anja; Hempel, Thomas; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Physica status solidi. - Berlin : Wiley-VCHPhysica status solidi / C, Bd. 9.2012, 3/4, S. 507-510
Growth of AlInN/AlGaN distributed Bragg reflectors for high quality microcavities
Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Franke, Alexander; Hempel, Thomas; Goldhahn, Rüdiger; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Physica status solidi: pss: pss - Berlin: Wiley-VCH, 2002, Bd. 9.2012, 5, S. 1253-1258[Special Issue: 9th International Symposium on Crystalline Organic Metals, Superconductors and Ferromagnets (ISCOM 2011)]
Semipolar GaInN quantum well structures on large area substrates
Scholz, Ferdinand; Schwaiger, Stephan; Däubler, Jürgen; Tischer, Ingo; Thonke, Klaus; Neugebauer, Silvio; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Lengner, Holger; Thalmair, Johannes; Zweck, Josef
In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / B, Bd. 249.2012, 13, S. 464-467
Originalartikel in begutachteter zeitschriftenartiger Reihe
Excitonic transport in ZnO
Noltemeyer, Martin; Bertram, Frank; Hempel, Thomas; Bastek, Barbara; Christen, Jürgen; Brandt, Matthias; Lorenz, Michael; Grundmann, Marius
In: Oxide-based materials and devices III: 22 - 25 January 2012, San Francisco, California, United States ; [part of SPIE photonics west] - Bellingham, Wash.: SPIE, 2012, 2012, Art. 82630X - (Proceedings of SPIE; 8263)Kongress: Oxide-based materials and devices (San Francisco, Calif. : 2012.01.22-25)
Effect of MOCVD growth conditions on the optical properties of semipolar (1-101) GaN on Si patterned substrates
Izyumskaya, N.; Liu, S. J.; Avrutin, V.; Okur, S.; Zhang, F.; Özgür, Ü.; Morkoç, H.; Metzner, S.; Karbaum, Christopher; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Smith, D. J.
In: Gallium nitride materials and devices VII. - Bellingham, Wash. : SPIE; 2012, Art. 826224 - (Proceedings of SPIE; 8262)Kongress: SPIE Photonics West; (San Francisco, Calif.) : 2012.01.23-26
2011
Anderes Material
Heavy Si doping - the key in heteroepitaxial growth of a-plane GaN without basal plane stacking faults?
Wieneke, Matthias; Noltemeyer, Martin; Bastek, Barbara; Rohrbeck, Antje; Witte, Hartmut; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Physica status solidi. B, Basic solid state physics - Berlin : Wiley-VCH, Bd. 248 (2011), Heft 3, S. 578-582
Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
High wavelength tunability of InGaN quantum wells grown on semipolar GaN pyramid facets
Wächter, Clemens; Meyer, Alexander; Metzner, Sebastian; Jetter, Michael; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Michler, Peter
In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 3, S. 605-610
Indium incorporation in GaInN/GaN quantum well structures on polar and nonpolar surfaces
Jönen, Holger; Rossow, Uwe; Bremers, Heiko; Hoffmann, Lars; Brendel, Moritz; Dräger, Alexander Daniel; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Schwaiger, Stephan; Scholz, Ferdinand; Thalmair, Johannes; Zweck, Josef; Hangleiter, Andreas
In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 3, S. 600-604
Impact of AlN seeding layer growth rate in MOVPE growth of semi-polar gallium nitride structures on high index silicon
Ravash, Roghaiyeh; Bläsing, Jürgen; Hempel, Thomas; Noltemeyer, Martin; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 3, S. 594-599
Epitaxial lateral overgrowth of non-polar GaN(1 1 ̄0 0) on Si(1 1 2) patterned substrates by MOCVD
Izyumskaya, N.; Liu, S. J.; Avrutin, V.; Ni, X. F.; Wu, M.; Özgür, Ü.; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Zhou, L.; Smith, David J.; Morkoça, H.
In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 314.2011, 1, S. 129-135
StranskiKrastanov transition and self-organized structures in low-strained AlInN/GaN multilayer structures
Krost, Alois; Berger, C.; Moser, Pascal; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Hums, C.; Hempel, Thomas; Bastek, Barbara; Veit, Peter; Christen, Jürgen
In: Semiconductor science and technology - Bristol: IOP Publ., Bd. 26.2011, 1, insges. 8 S.
Spectrally and time-resolved cathodoluminescence microscopy of semipolar InGaN SQW on (112̄2) and (101̄1) pyramid facets
Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Karbaum, Christopher; Hempel, Thomas; Wunderer, Thomas; Schwaiger, Stephan; Lipski, Frank; Scholz, Ferdinand; Wächter, Clemens; Jetter, Michael; Michler, Peter; Christen, Jürgen
In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 3, S. 632-637
MOVPE of CuGaSe 2 on GaAs in the presence of a Cu xSe secondary phase
Gütay, Levent; Larsena, Jes K.; Guillot, Jerome; Müller, Mathias; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Siebentritt, Susanne
In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 315.2011, 1, S. 82-86
Optical investigation of a hybrid GaN based microcavity with AlInN/GaN bottom and dielectric top distributed Bragg mirror
Franke, Alexander; Bastek, B.; Krimmling, J.; Christen, Jürgen; Moser, Pascal; Dadgar, Armin; Krost, Alois
In: Superlattices and microstructures: a journal devoted to the science and technology of synthetic microstructures, microdevices, surfaces and interfaces - Oxford [u.a.]: Elsevier Science, Academic Press, Bd. 49.2011, 3, S. 187-192[Special issue: Proceedings of the 10th International Conference on the Physics of LightMatter Coupling in Nanostructures, PLMCN 2010 (Cuernavaca, Mexico), 12-16 April, 2010]
Growth and coalescence behavior of semipolar (112̄2) GaN on pre-structured r-plane sapphire substrates
Schwaiger, Stephan; Metzner, Sebastian; Wunderer, Thomas; Argut, Ilona; Thalmair, Johannes; Lipski, Frank; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Zweck, Josef; Krost, Alois; Christen, Jürgen; Scholz, Ferdinand
In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 3, S. 588-593
Stress relaxation in low-strain AlInN/GaN bragg mirrors
Moser, Pascal; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Hempel, Thomas; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Japanese journal of applied physics: JJAP - Tokyo: IOP Publ, 50.2011, 3, Art. 031002, insgesamt 6 S.
Eliminating stacking faults in semi-polar GaN by AlN interlayers
Dadgar, Armin; Ravash, Roghaiyeh; Veit, Peter; Schmidt, G.; Müller, Mathias; Dempewolf, Anja; Bertram, Frank; Wieneke, Matthias; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Applied physics letters - Melville, NY: AIP, 99.2011, 2, Art. 021905, insgesamt 3 S.
Three-dimensional GaN for semipolar light emitters
Wunderer, T.; Feneberg, Martin; Lipski, F.; Wang, J.; Leute, R. A. R.; Schwaiger, S.; Thonke, K.; Chuvilin, A.; Kaiser, U.; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Beirne, G. J.; Jetter, M.; Michler, P.; Schade, L.; Vierheilig, C.; Schwarz, U. T.; Dräger, A. D.; Hangleiter, A.; Scholz, F.
In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 3, S. 549-560
Originalartikel in begutachteter zeitschriftenartiger Reihe
Improving GaN-on-silicon properties for GaN device epitaxy
Dadgar, Armin; Hempel, Thomas; Bläsing, Jürgen; Schulz, O.; Fritze, Stephanie; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Physica status solidi / C: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 8.2011, 5, S. 1503-1508[Special Issue: 3rd International Symposium on Growth of Group III-Nitrides (ISGN 3) E-MRS 2010 Spring Meeting Symposium G: Physics and Applications of Novel Gain Materials Based on IIIVN Compounds 14th International Conference on High Pressure Semiconductor Physics (HPSP14)]
2010
Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Direct microscopic correlation of crystal orientation and luminescence in spontaneously formed nonpolar and semipolar GaN growth domains
Bastek, Barbara; August, Olga; Hempel, Thomas; Christen, Jürgen; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Wendt, Ulrich
In: Applied physics letters. - Melville, NY : AIP; 96.2010, 17, Art. 172102, insges. 3 S.
GaInN-based LED structures on selectively grown semi-polar crystal facets
Scholz, Ferdinand; Wunderer, Thomas; Feneberg, Martin; Thonke, Klaus; Chuvilin, Andrei; Kaiser, Ute; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen
In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / A, 2010
Three-dimensional GaN for semipolar light emitters
Wunderer, Thomas; Feneberg, Martin; Lipski, Frank; Wang, Junjun; Leute, Robert; Schwaiger, Stephan; Thonke, Klaus; Chuvilin, Andrei; Kaiser, Ute; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Beirne, Gareth; Jetter, Michael; Michler, Peter; Schade, Lukas; Vierheilig, Clemens; Schwarz, Ulrich; Dräger, Alexander; Hangleiter, Andreas; Scholz, Ferdinand
In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / B, insges. 12 S., 2010
Luminescence properties of photonic crystal InGaN/GaN light emitting layers on silicon-on-insulator
Lin, Vivian K. X.; Tripathy, S.; Teo, S. L.; Dolmanan, S. B.; Dadgar, Armin; Noltemeyer, Martin; Franke, Alexander; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Electrochemical and solid-state letters: a joint publication of the Electrochemical Society and the Institute of Electrical and Electronics Engineers - Pennington, NJ: Soc., 13.2010, 10, S. H343-H345
Strain evaluation in AlInN/GaN Bragg mirrors by in situ curvature measurements and ex situ x-ray grazing incidence and transmission scattering
Krost, Alois; Berger, C.; Bläsing, Jürgen; Franke, Alexander; Hempel, Thomas; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen
In: Applied physics letters. - Melville, NY : AIP, Bd. 97.2010, 18, S. 181105-1-181105-3
Originalartikel in begutachteter zeitschriftenartiger Reihe
Light extraction from GaN-based LED structures on silicon-on-insulator substrates
Tripathy, S.; Teo, S. L.; Lin, V. K. X.; Chen, M. F.; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Physica status solidi. - Berlin : Wiley-VCHPhysica status solidi / C, Bd. 7.2010, 1, S. 88-91
Semipolar GaInN/GaN light-emitting diodes grown on honeycomb patterned substrates
Wunderer, T.; Wang, J.; Lipski, F.; Schwaiger, S.; Chuvilin, A.; Kaiser, U.; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Shirokov, S. S.; Yunovich, A. E.; Scholz, F.
In: Physica status solidi. - Berlin : Wiley-VCHPhysica status solidi / C, Bd. 7.2010, 7/8, S. 2140-2143
2009
Begutachteter Zeitschriftenartikel
InGaN/GaN light-emitting diodes on Si(1 1 0) substrates grown by metalorganic vapour phase epitaxy
Reiher, F.; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Wieneke, Matthias; Müller, M.; Franke, A.; Reißmann, L.; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Journal of physics / D - Bristol: IOP Publ., 1968, Vol. 42.2009, 5, Art. 055107, insgesamt 5 S.
Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
MOVPE growth of high-quality Al 0.1 Ga 0.9 N on Si(111) substrates for UV-LEDs
Saengkaew, Phannee; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Bastek, Barbara; Bertram, Frank; Reiher, Fabian; Hums, Christoph; Noltemeyer, Martin; Hempel, Thomas; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Physica status solidi / C - Berlin: Wiley-VCH . - 2009, insges. 4 S.
Low-temperature/high-temperature AlN superlattice buffer layers for high-quality Al x Ga 1-x N on Si (111)
Saengkaew, Phannee; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Hempel, Thomas; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Journal of crystal growth . - Amsterdam : North-Holland Publ. Co., Bd. 311.2009, 14, S. 3742-3748
Fabrication, self-assembly, and properties of ultrathin AlN/GaN porous crystalline nanomembranes - tubes, spirals, and curved sheets
Mei, Yongfeng; Thurmer, Dominic J.; Deneke, Christoph; Kiravittaya, Suwit; Chen, Yuan-Fu; Dadgar, Armin; Bertram, Frank; Bastek, Barbara; Krost, Alois; Christen, Jürgen; Reindl, Thomas; Stoffel, Mathieu; Coric, Emica; Schmidt, Oliver G.
In: American Chemical Society : ACS nano . - Washington, DC : ACS, Bd. 3.2009, 7, S. 1663-1668
Micro-structural anisotropy of a-plane GaN analyzed by high resolution X-ray diffraction
Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Veit, Peter; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Physica status solidi . - Berlin : Wiley-VCH, insges. 4 S.; Abstract
AllnN/GaN based multi quantum well structures - growth and optical proberties
Hums, Christoph; Gadanecz, Aniko; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Lorenz, Pierre; Krischok, Stefan; Bertram, Frank; Franke, Alexander; Schäfer, Jürgen A.; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Physica status solidi / C - Berlin: Wiley-VCH . - 2009, insges. 4 S.
Analysis of point defects in AlN epilayers by cathodoluminescence spectroscopy
Bastek, Barbara; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Hempel, Thomas; Dadgar, Armin; Krost, Alois
In: Applied physics letters . - Melville, NY : AIP, Bd. 95.2009, 3, insges. 3 S.
Metal organic vapor phase epitaxy growth of single crystalline GaN on planar Si(211) substrates
Ravash, Roghaiyeh; Bläsing, Jürgen; Hempel, Thomas; Noltemeyer, Martin; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Applied physics letters / publ. by the American Institute of Physics - Melville, NY: AIP, Bd. 95.2009, 24, Art. 242101
Originalartikel in begutachteter zeitschriftenartiger Reihe
Effect of growth conditions on vacancy defects in MOVPE grown AlN thin layers
Mäki, J.-M.; Tuomisto, F.; Bastek, Barbara; Bertam, Frank; Christen, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois
In: Physica status solidi . - Berlin : Wiley-VCH, Bd. 6.2009, 11, S. 2575-2577[Special Issue: 15th International Conference on Positron Annihilation (ICPA-15)]
GaN-based deep green light emitting diodes on silicon-on-insulator substrates
Tripathy, S.; Dadgar, Armin; Zang, K. Y.; Lin, V. K. X.; Liu, Y. C.; Teo, S. L.; Yong, A. M.; Soh, C. B.; Chua, S. J.; Bläsing, Jürgen; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Physica status solidi . - Berlin : Wiley-VCH, Bd. 6.2009, 2, S. 822-825[Supplement: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2008)]
2008
Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Effect of the growth temperature and the AlN mole fraction on In incorporation and properties of quaternary III-nitride layers grown by molecular beam epitaxy
Fernández-Garrido, S.; Redondo-Cubero, A.; Gago, R.; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Luna, E.; Trampert, A.; Pereiro, J.; Muñoz, E.; Calleja, E.
In: Journal of applied physics / publ. of the American Institute of Physics, AIP. Elmer Hutchisson, ed - Melville, NY: AIP, Bd. 104 (2008), 8, S. 083510-1-083510-7
Time-resolved cathodoluminescence of Mg-doped GaN
Fischer, A. M.; Srinivasan, S.; Ponce, F. A.; Monemar, B.; Bertram, Frank; Christen, Jürgen
In: Applied physics letters / publ. by the American Institute of Physics - Melville, NY: AIP, Bd. 93 (2008), 15, S. 151901-1-151901-3
A-plane GaN epitaxial lateral overgrowth structures - growth domains, morphological defects, and impurity incorporation directly imaged by cathodoluminescence microscopy
Bastek, Barbara; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Wernicke, T.; Weyers, M.; Kneissl, M.
In: Applied physics letters . - Melville, NY : AIP, Bd. 92.2008, 21, insges. 3 S.
Structural and optical proberties of nonpolar GaN thin films
Wu, Z. H.; Fischer, A. M.; Ponce, F. A.; Bastek, Barbara; Christen, Jürgen; Wernicke, T.; Weyers, M.; Kneisel, M.
In: Applied physics letters . - Melville, NY : AIP, Bd. 92.2008, 17, S. 171904-1-171904-3
Originalartikel in begutachteter zeitschriftenartiger Reihe
MOVPE growth and characterization of AllnN FET structures on Si(1 1 1)
Hums, Christopher; Gadanecz, Aniko; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Witte, Hartmut; Hempel, Thomas; Dietz, Annette; Lorenz, Pierre; Krischok, Stefan; Schäfer, Jürgen A.; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Advances in GaN, GaAs, SiC and related alloys on silicon substrates: symposium held March 24 - 28, 2008, San Francisco, California, U.S.A. ; [papers presented at Symposium C, "Advances in GaN, GaAs, SiC and Related Alloys on Silicon Substrates", was held ... at the 2008 MRS spring meeting] / ed.: Tingkai Li ...: symposium held March 24 - 28, 2008, San Francisco, California, U.S.A. ; [papers presented at Symposium C, "Advances in GaN, GaAs, SiC and Related Alloys on Silicon Substrates", was held ... at the 2008 MRS spring meeting] - Warrendale, Pa.: MRS, 2008; Li, Tingkai, 2008, Kap. 1068-C04-03, insges. 6 S. - (Materials Research Society symposium proceedings; 1068)Kongress: MRS Spring Meeting (San Francisco, Calif. : 2008.03.24-28)
MOVPE growth of blue In xGa 1-x/GaN LEDs on 150 mm Si(001)
Schulze, Fabian; Dadgar, Armin; Krtschil, André; Hums, Christoph; Reißmann, Lars; Diez, Annette; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Physica status solidi . - Berlin : Wiley-VCH, Bd. 5.2008, 6, S. 2238-2240
2007
Herausgeberschaft
Zinc oxide and related materials - symposium held November 27 - 30, 2006, Boston, Massachusetts, U.S.A. ; [Symposium K, "Zinc Oxide and Related Materials", held ... at the 2006 MRS fall meeting]
Christen, Jürgen
In: Warrendale, Pa.: Materials Research Society, 2007; XV, 440 S.: Ill., graph. Darst. - (Materials Research Society symposium proceedings; 957), ISBN 978-1-558-99914-5Kongress: Symposium K: Zinc Oxide and Related Materials; (Boston, Mass.) : 2006.11.27-30MRS fall meeting; (Boston, Mass.) : 2006.11.27-30
Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Blue light emitting diodes on Si(001) grown by MOVPE
Schulze, Fabian; Dadgar, Armin; Bertram, Frank; Bläsing, Jürgen; Diez, Annette; Veit, Peter; Clos, Rainer; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Physica status solidi / C - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 4 (2007), 1, S. 41-44
Laser-interface lithography tailored for highly symmetrically arranged ZnO nanowire arrays
Kim, Dong Sik; Ji, Ran; Fan, Jin; Bertram, Frank; Scholz, Roland; Dadgar, Armin; Nielsch, Kornelius; Krost, Alois; Christen, Jürgen; Gösele, Ulrich; Zacharias, Margit
In: Small - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 3 (2007), 1, S. 76-80
Epitaxy of GaN on silicon - impact of symmetry and surface reconstruction
Dadgar, Armin; Schulze, Fabian; Wienecke, M.; Gadanecz, A.; Bläsing, Jürgen; Veit, Peter; Hempel, Thomas; Diez, Annette; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: New journal of physics - [Bad Honnef]: Dt. Physikalische Ges., Bd. 9 (2007), 10, insges. 10 S.
Crystallographic and electric proberties of MOVPE-grown AlGaN/GaN-based FETs on Si(001) substrates
Schulze, Fabian; Kisel, Olga; Dadgar, Armin; Krtschil, André; Bläsing, Jürgen; Kunze, M.; Daumiller, I.; Hempel, Thomas; Diez, Annette; Clos, Rainer; Christen, Jürgen; Krost, Alois
In: Journal of crystal growth . - Amsterdam : North-Holland Publ. Co., Bd. 299.2007, 2, S. 399-403
Metal-organic vapor phase epitaxy and properties of AllnN in the whole compositional range
Hums, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Diez, Annette; Hempel, Thomas; Christen, Jürgen; Krost, Alois; Lorenz, K.; Alves, E.
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 90 (2007), S. 022105-1-022105-3
Homoepitaxy of ZnO - from the substrates to doping
Neumann, C.; Lautenschläger, S.; Graubner, S.; Sann, J.; Volbers, N.; Meyer, B. K.; Bläsing, Jürgen; Krost, Alois; Bertram, Frank; Christen, Jürgen
In: Physica status solidi: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 244 (2007), 5, S. 1451-1457
Fabry-perot effects in InGaN/GaN heterostructures on Si-substrate
Hums, Christoph; Finger, Tilo; Hempel, Thomas; Christen, Jürgen; Dadgar, Armin; Hoffmann, A.; Krost, Alois
In: Journal of applied physics / publ. of the American Institute of Physics, AIP. Elmer Hutchisson, ed - Melville, NY: AIP, Bd. 101 (2007), 3, S. 033113, insges. 4 S.
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- Prof. Dr. Fernando Ponce, Arizona State University, Tempe AZ, USA
- Prof. Dr. Enrique Calleja Prado, Polytechnic Institute Madrid, Spain
- Prof. Dr. Hadis Morkoc, Virginia Commenwealth University, Richmond, VA, USA
- Prof. Dr. Bernard Gil, CNRS + Université de Montpellier II , France
- Prof. Dr. Nicolas Grandjean, Ecole Politechnique Federale de Lausanne, Switzerland
- Dr Eva Monroy, CEA Institut Néel, Grenoble, France
- Prof. Dr. Matthew Phillips, University of Technology Sydney, Australia
- Prof. Dr. Hiroshi Amano, Nagoya University, Japan
- Prof. Dr. Roland Scheer, Martin Luther-Universität Halle-Wittenberg, FG Photovoltaik, Germany
- Prof. Dr. Susanne Siebentritt, L’Université du Luxembourg, Luxembourg
- Prof. Dr. Andreas Waag, Institut für Halbleitertechnik, TU Braunschweig, Germany
- Prof. Dr. Andreas Rosenauer, Universität Bremen, Germany
- Prof. Dr. Axel Hoffmann, Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Germany
- Dr. Stacia Keller, Solid State Lighting & Energy Electronics Center, UCSB, Santa Barbara, CA, USA
- Dr. Albert Davydov, Material Measurement Laboratory, NIST, Gaithersburg, MD, USA
- Professor Dr.-Ing. Andrei Vescan
- Experimentalphysik
- Festkörperphysik
- Halbleiterphysik
- Optoelektronik
- Photonik
- photonic bandgap
- light-matter interaction
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- Optoelektronik
- Photonik
- photonic bandgap
- light-matter interaction
1977 - 1983 | Studium der Physik an der RWTH Aachen |
1988 | Promotion zum Dr. rer. nat. an der Technischen Universität Berlin |
1990 - 1991 | postdoc bei Bell Communications Research, BELLCORE, Red Bank, New Jersey, USA |
1993 | Forschungsaufenthalt am Institute for Scientific and Industrial Research ISIR, Osaka University, Japan |
1992 | Habilitation für das Fach Experimentalphysik an der Technischen Universität Berlin, Ernennung zum Privatdozenten |
1983 - 1988 | wissenschaftlicher Mitarbeiter am Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin |
1988 - 1993 | Oberingenieur (C2) am Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin |
seit 1.1.1994 | Ordentlicher Professor (C4) für Experimentalphysik/ Festkörperphysik, Institut für Experimentelle Physik,Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg |
2001 - 2002 | Forschungsaufenthalt (sabbatical) am Dep. of Physics and Astronomy, Arizona State University, ASU, Tempe/Phoenix, Arizona, USA |
1998 - 20022008 - 2012 | Dekan der Fakultät für Naturwissenschaften, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg |
2002 - 20082012 - 2016 | Senator der Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg |
2012 - 2016 | Prorektor für Planung und Haushalt |
1989 | Carl Ramsauer Preis der AEG |
1989 | Oyo Buturi Preis der Japanese Society of Applied Physics |
2009 | Otto-von-Guericke Forschungspreis |
Mikroskopische Charakterisierung innovativer Halbleitersysteme für neuartige Bauelementanwendungen in der Nano- und Optoelektronik. Korrelation der strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften von:
- Halbleiter-Nanostrukturen: Quantum Wells, Supergitter, Quantenfäden und Quantenpunkten
- Photonische Strukturen (Licht-Materie-Kopplung, Micro Cavities, Photonic Bandgap)
- Neue "wide-gap" Halbleitermaterialien für Optoelektronik im grünen, blauen, violetten und UV
- Ordnungs- und Entmischungsphänomene in ternären und quaternären Halbleitern: GaInP, InGaN, AlGaN, …
- Halbleiterbauelemente: LEDs, Laser, Detektoren, Sensoren, Ein-Elektronen-Transistoren
- Entwicklung neuartiger hochauflösender bildgebender Lumineszenzmeßmethoden mit submikroskopischer bis atomarer Ortsauflösung