Prof. Strittmatter
Prof. Dr. rer. nat. habil. André Strittmatter
Institut für Physik (IfP)
Abgeschlossene Projekte
Entwicklung hochbrillianter Quantenpunkt-Laserdioden mit 1250 nm Wellenlänge für LIDAR-Lichtquellen
Laufzeit: 01.04.2021 bis 31.03.2024
Neue Halbleiter-Lasertechnologie wird für light-detction and ranging (LIDAR) Systeme benötigt, die vor allem im Automotive-Bereich Anwendung finden. LIDAR beruht auf der omnidirektionale Ausssendung von Lichtpulsen und die zeitgenaue Erfassung ihrer Rückkehr von reflektierenden Objekten. Die Geschwindigkeit der Erfassung einzelner Objekte ist grundlegend von der Lichtleistung pro Puls abhängig, In konventionellen kantenemittierenden Halbleiter-Laserdioden divergiert stark in der vertikalen Achse der Emission wodurch nicht nur die Lichtleistung sondern auch die Ortsauflösung reduziert wird. Da die Lichtübertragung im frei zugänglichen Raum erfolgt, ist die Augensicherheit ein wichtiges Kriterium für die Auswahl der Laserwellenlänge. Bisherige Systeme arbeiten bei der nicht optimalen Wellenlänge von 905 nm, weil entsprechende Lichtquellen bei 1250 nm Wellenlänge bisher nicht demonstriert worden sind. In diesem Projekt kooperieren wir mit einer chinesischen Forschergruppe um diese Lücke zu schließen. Ein neuartiges Wellenleiterkonzept mit sehr geringer Divergenz im Ausgangsstrahl wird mit der Quantenpunkt-Technologie gekoppelt, die Wellenlänge von 1250 nm auf GaAs-Substraten zu ermöglichen.
Röntgendiffraktometer
Laufzeit: 22.08.2017 bis 21.08.2022
Moderne Halbleiterschichtstrukturen bestehen heutzutage meist aus einer komplexen Vielfachschichtenfolge von kontrolliert abgeschiedenen Epitaxieschichten unterschiedlicher Materialzusammensetzung und Verspannung mit Schichtdicken von einigen Monolagen bis zu einigen Mikrometern. Die strukturelle Untersuchung derartiger Proben im Hinblick auf kristalline Perfektion, chemische Zusammensetzung,Verspannungszustand sowie der Schichtdicken und- rauhigkeiten ist Gegenstand von Röntgenbeugungexperimenten und ohne diese nicht möglich. Das beantragte hochauflösende Röntgendiffraktometer ermöglicht eine schnelle, zerstörungsfreie strukturelle Untersuchung sowohl von perfekt gitterangepaßten epitaktischen Halbleiterschichten und -Schichtsystemen wie auch von gitterfehlangepaßten und hoch texturierten Materialien bis hin zu kristallographischen Pulvern in Form von Dünnschichtsystemen oder kompakten Proben.
Rasterkraftmikroskop mit elektrochemischer Zelle
Laufzeit: 19.06.2017 bis 18.06.2022
Mit dem Rasterkraft-Mikroskop sollen in-situ elektrochemische Prozesse an Halbleiterschichten untersucht werden. Bei diesen Prozessen treten charakteristische Deformationen der Oberfläche auf, die nur mit einem Rasterkraftmikroskop mit der erforderlichen Auflösung messbar sind. Für die Beobachtung dieser Prozesse ist eine passende elektrochemische Zelle notwendig, in der die entsprechenden chemischen Prozesse ablaufen können und zudem die Oberfläche der Halbleiterstrukturen mit einem Rasterkraft-Mikroskop in schneller Folge abgetastet werden kann. Zwingend notwendig ist es zum Beispiel, die lateralen Dimensionen der durch elektrochemische Prozesse erzeugten Strukturen auf einer Nanometerskala zu kontrollieren. Diese Untersuchungen dienen weiter der Herstellung neuartiger elektrischer Halbleiterbauelemente mit skalierbarer Stromführung im Nanometerbereich. Zudem lassen sich für die Epitaxie von Nanoobjekten definierte Nukleationspunkte festlegen und somit eine deutlich verbesserteGenauigkeit in der Herstellung dieser Nanomaterialien erreichen.
High brightness GaN based laser diodes (HiBGaN)
Laufzeit: 01.04.2018 bis 31.03.2021
Visible LEDs and laser diodes are made of group-III-nitride materials grown by epitaxy methods. They already changed our daily life by their ubiquitous use for illumination and projection. High-power, high-brightness GaN-based lasers could replace discharge light bulbs or low-efficiency laser systems also in large-area display, projection, and other lighting systems as well as in free-space or underwater communication. In order to realize GaN-based lasers with high-brightness the conventional edge emitter design which is based on total interface reflection (TIR) waveguides must be substituted by a vertical mode-expanding waveguide structure. Thereby, a wider optical near-field is achieved resulting in narrower far-field angles of the emission profile. Simultaneously, the mode-expanding waveguide must stabilize the fundamental mode emission by discriminating higher order vertical modes through gain and loss engineering. This NSFC-DFG joint project aims to develop high-power, high-brightness (In,Ga,Al)N laser diodes using the novel photonic band crystal (PBC) laser concept. The principal investigators for this project are Prof. André Strittmatter from the Semiconductor epitaxy department of the Otto-von-Guericke University Magdeburg, Germany (OvGU) and Prof. Tong Cunzhu from Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics (CIOMP), Chinese Academy of Sciences (CAS), China. Both PI´s have strong background in PBC laser diodes and complementary expertise in simulation, nitride growth and characterization, and device fabrication.
Fundamental research on optimum optical and electrical design of the PBC structure itself and the laser structure in total is necessary. The successful realization of the design crucially depends on the available material combinations in the group-III nitride system. In particular, a materials study regarding mechanical strain, electrical conductivity, and optical losses for the PBC section must be conducted. HiBGaN combines the accumulated, complementary knowledge of both sides by distributing each task to the specific strength of each group. The German side has strong epitaxial growth ability of lattice-matched nitride materials which is prerequisite for thick, low-loss GaN-based PBC designs. OvGU is therefore responsible for the epitaxial growth and characterization of the laser structure. The Chinese side is responsible for design of PBC structures, fabrication and characterization of PBC lasers. Mutual research visits are negotiated to train students, exchange expert knowledge, and initiate long-term partnership between both institutions.
Teilprojekt A2 "Lineare Stressorstrukturen" im Sonderforschungsbereich 787: "Nanophotonik: Materialien, Modelle, Bauelemente" (Sprecherhochschule TU Berlin)
Laufzeit: 01.01.2016 bis 31.12.2019
Das Projekt zielt darauf ab, den Ansatz der vergrabenen Schichten für die Herstellung von (1) Streifen von InGaAs-basierten Trägerlokalisierungsschichten für neuartige photonische Bauelemente und (2) einzelnen ortskontrollierten langwelligen QDs für die faserbasierte Quantenkommunikation bei Telekommunikationswellenlängen weiterzuentwickeln; außerdem werden (3) Bauelement-Heterostrukturen für andere CRC-Projekte entwickelt und gezüchtet.
- [Aktive Wellenleiterstrukturen mit einer hohen Dichte von Stranski-Krastanow-Quantenpunkten (SK QDs) und Sub-Monolayer (SML)-Ablagerungen, die in linearen Arrays angeordnet sind, werden entwickelt. Ziel ist die Herstellung von effizienten kantenemittierenden Bauelementen, LD/SOA auf der Basis von SK QDs und SML-Abscheidungen sowie Wellenleiter-Photodetektoren mit SK QDs unter Verwendung von Einzel- und Mehrfachschichten mit stressorinduzierter Streifenbildung - angepasst an den optischen Modus. Der aktive Bereich dieser Bauelemente wird daher unter Verwendung einer selbstausrichtenden Ortskontrolle entweder von Quantenpunkten oder SML-Abscheidungen hergestellt.
Die Vorteile des Ansatzes der vergrabenen Belastung für Steghohlleiter sind:
- [Das aktive low-Eg-Medium ist vertikal und lateral in eine high-Eg-Matrix eingebettet[Die Strukturen werden in einem selbstausrichtenden Bottom-up-Verfahren hergestellt, ohne Nachbearbeitung
- Geringe Absorptionsverluste, laterale Indexführung, geringes Rauschen (bei Detektoranwendungen)
[Einzelne ortskontrollierte langwellige InGaAs-QDs werden für Einzelphotonenquellen entwickelt, die bei Telekommunikationswellenlängen arbeiten. Der Ansatz wird das erfolgreiche CRC-Phase-2-Konzept der vergrabenen Stressoren und zusätzliche Wege für die Rotverschiebung der Emission wie QD-Reifung und SRL-Überwachsen anwenden.
Die Epitaxie für energieeffiziente VCSELs mit hoher Bandbreite auf der Grundlage von SK-QDs, QWs und SML-Strukturen, die im Projekt C1 entwickelt wurden, wird ebenfalls durchgeführt werden. Die Bauelemente werden für den Betrieb bei einer Emissionswellenlänge von 980 bis 1240 nm ausgelegt, die für Anwendungen im Nahbereich und für die Silizium-Photonik erforderlich ist. Darüber hinaus wird A2 die Epitaxie von Heterostrukturen mit selbstorganisierten InGaAs-QDs durchführen, die im Spektralbereich von 900-980 nm für deterministische Ein-Photonen-Bauelemente und integrierte Wellenleiterstrukturen in C12 emittieren.
Dieser Text wurde mit DeepL übersetzt
2025
Abstrakt
Blue shift of the absorption onset and bandgap bowing in rutile GexSn1−xO2
Kluth, Elias; Nagashima, Yo; Osawa, Shohei; Hirose, Yasushi; Bläsing, Jürgen; Strittmatter, André; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2025, Artikel HL 52.2 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Regensburg, 16. - 21. März 2025]
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Epitaxial growth of transition metal nitrides by reactive sputtering
Hörich, Florian; Lüttich, Christopher; Grümbel, Jona; Bläsing, Jürgen; Feneberg, Martin; Dadgar, Armin; Goldhahn, Rüdiger; Strittmatter, André
In: Frontiers in Materials - Lausanne : Frontiers Media, Bd. 12 (2025), Artikel 1507123, insges. 7 S.
2024
Abstrakt
Local GaAs growth on patterned Si(001) surfaces by Laser-assisted MOVPE
Bruckmann, Christian; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel O 17.2 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
Impact of overgrowth conditions on characteristics of tunnel-junction LEDs
Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 52.3 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
HfN as conductive buffer for GaN epitaxy
Lüttich, Christopher; Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Strittmatter, André; Dadgar, Armin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 44.11 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
Highly spatially resolved investigation of structural and optical properties of a GaN-based p-n-diode
Greczmiel, Luca; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Eisele, Holger; Dempewolf, Anja; Petzold, Silke; Christen, Jürgen; Strittmatter, André; Dadgar, Armin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 44.7 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
n-type doping of GaN via pulsed sputter epitaxy
Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Grümbel, Jona; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 1.4 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]
Begutachteter Zeitschriftenartikel
GaN quantum dots in resonant cavity nanopillars as deep-UV single-photon sources
Schürmann, Hannes; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; August, Olga; Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Kullig, Julius; Wiersig, Jan; Gao, Kang; Holmes, Mark; Arakawa, Yasuhiko; Christen, Jürgen
In: Physica status solidi. Rapid research letters - Weinheim : Wiley-VCH . - 2024, insges. 8 S. [Online first]
Blue shift of the absorption onset and bandgap bowing in rutile GexSn1−xO2
Kluth, Elias; Nagashima, Yo; Osawa, Shohei; Hirose, Yasushi; Bläsing, Jürgen; Strittmatter, André; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 125 (2024), Heft 12, Artikel 122102, insges. 6 S.
2023
Abstrakt
GaN quantum dots in resonant cavity micropillars as deep UV single photon sources
Christen, Jürgen; Schuermann, Hannes; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; August, Olga; Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Gao, Kong; Holmes, Marc; Arakawa, Yasuhiko
In: Konferenz: 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023, ICNS-14 - Fukuoka, Japan . - 2023, Artikel CH13-2
(Late news) characterization of the space-charge region of a GaN pn-junction and pin-drift-diode using EBIC and CL
Eisele, Holger; Wein, Konstantin; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Christen, Jürgen; Dadgar, Armin; Berger, Christoph; Strittmatter, André; Debald, Arne; Heuken, Michael; Zweipfennig, Thorsten; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei; Faber, Samuel; Witzigmann, Bernd
In: Konferenz: 65th Electronic Materials Conference, Santa Barbara, June 28-30, 2023,, 65th Electronic Materials Conference - Santa Barbara, California : University . - 2023, S. 116-117, Artikel W04
Local heteroepitaxial growth of GaAs islands on Si by laser-assisted metal organic vapor phase epitaxy
Bruckmann, Christian; Trippel, Max; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: DGKK/DEMBE 2023 - Stuttgart : Universität, S. 31
Optical an structural characterization of an 'AlInN/GaN-based longitudinal photonic bandgap crystal laser structure
Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: Konferenz: 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023, ICNS-14 - Fukuoka, Japan . - 2023, Artikel CH13-4
Improving the insulating properties of C-doped GaN buffer layers
Dadgar, Armin; Zweipfenning, Thorsten; Ehrler, Jasmin; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei; Strittmatter, André
In: Konferenz: 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023, ICNS-14 - Fukuoka, Japan . - 2023, Artikel TuP-ED-23
Selective GaAs-based p/n-diode fabricated by laser-assisted metal organic vapor phase epitaxy
Bruckmann, Christian; Trippel, Max; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: CSW 2023 - Jeju, Korea, S. 693, Artikel P2-010
Advanced cathodoluminescence microscopy of a cascaded InGaN/GaN LED
Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Veit, Peter; Wein, Konstantin; Christen, Jürgen; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Konferenz: 65th Electronic Materials Conference, Santa Barbara, June 28-30, 2023,, 65th Electronic Materials Conference - Santa Barbara, California : University . - 2023, S. 57, Artikel M07
Group-III/V Quantum dots - controlling their properties and position through epitaxial growth
Strittmatter, André
In: Konferenz: iNOW2023, Würzburg, 16-27 July 2023, Abstract booklet of iNOW2023 - Würzburg : Universität
Optical Nano-Charakterization of a Cascaded InGaN/GaN LED
Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: Konferenz: 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023, ICNS-14 - Fukuoka, Japan . - 2023, Artikel CH3-2
Epitaxial growth of GaN buffer layers on Si(111) by reactive magnetron sputtering
Borgmann, Ralf; Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Dempewolf, Anja; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Strittmatter, André; Dadgar, Armin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 7.6
Highly doped GaN:Ge/GaN:Mg tunnel junctions for novel GaN-based optoelectronic devices
Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 44.1
High resistive buffer layers by Fermi-level engineering
Dadgar, Armin; Borgmann, Ralf; Strittmatter, André
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 51.1
Progress in local growth of III/V-semiconductor structures
Bruckmann, Christian; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel O.32.1
Growth of ScN and AlScN by reactive sputter epitaxy
Hörich, Florian; Lüttich, Christopher; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Strittmatter, André; Dadgar, Armin
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 51.7
Local epitaxial growth of GaAs islands for monolithic integration on Si
Bruckmann, Christian; Trippel, Max; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Abstract booklet of ISTDM-ICSI 2023 - Como, insges. 1 S.
Local epitaxial growth by laser-assisted MOVPE
Strittmatter, André; Bruckmann, Christian; Bläsing, Jürgen; Wieneke, Matthias; Dadgar, Armin
In: FAME – First International Workshop on Fundamentals and Advances of MOVPE processes - IPIC Research Centre . - 2023
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Determination of anisotropic optical properties of MOCVD grown m-plane α-(AlxGa1−x)2O3 alloys
Kluth, Elias; Anhar Uddin Bhuiyan, A. F. M.; Meng, Lingyu; Bläsing, Jürgen; Zhao, Hongping; Strittmatter, André; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin
In: Japanese journal of applied physics - Bristol : IOP Publ., Bd. 62 (2023), Heft 5, Artikel 051001, insges. 8 S.
Sputter epitaxy of AlN and GaN on Si(111)
Dadgar, Armin; Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Physica status solidi. A, Applications and materials science - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 220 (2023), Heft 8, Artikel 2200609, insges. 6 S.
Structural properties and epitaxial relation of cubic rock salt ScxAl1−xN/ScN/Si
Mihalic, Saskia; Wade, E.; Lüttich, Christopher; Hörich, Florian; Sun, C.; Fu, Z.; Christian, B.; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Anbacher, O.
In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 134 (2023), Heft 2, Artikel 155107, insges. 12 S.
High resistive buffer layers by Fermi level engineering
Dadgar, Armin; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jörg; Strittmatter, André
In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 134 (2023), Heft 2, Artikel 025701, insges. 9 S.
Dissertation
Sputterepitaxie von Gruppe III-Nitriden
Hörich, Florian; Strittmatter, André
In: Magdeburg: Universitätsbibliothek, Dissertation Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Fakultät für Naturwissenschaften 2023, 1 Online-Ressource (101 Seiten, 3,67 MB) [Literaturverzeichnis: insg. 17 Seiten][Literaturverzeichnis: insg. 17 Seiten]
2022
Abstrakt
Laser-assisted local eptiaxy of ///-V compound semiconductors
Trippel, Max; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: The proceedings of the Fourteenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XX) - Stuttgart, 2022 . - 2022
Analysis of vertical indium distribution in lattice-matched AlInN layers
Xin, Tianjiao; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Strittmatter, André
In: Konferenz: 20th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, ICMOVPE XX, Fellbach, July 10 - 14, 2022, The proceedings of the Fourteenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XX) - Stuttgart . - 2022, S. 34, Artikel MoA2.5
Heavily Ge-doped GaN films - properties and applications
Berger, Christoph; Neugebauer, S.; Dadgar, Armin; Schürmann, H.; Bläsing, Jürgen; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: The proceedings of the Fourteenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XX) - Stuttgart, 2022 . - 2022, S. 112
Epitaxy of high quality AlN and AlGaN layers on Si(111) by reactive pulsed sputtering
Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Strittmatter, André; Dadgar, Armin
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin . - 2022, S. 28, Artikel AT 018
Growth of epitaxial GaN by reactive magnetron sputtering
Borgmann, Ralf; Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Dempewolf, Anja; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Schmidt, Gordon
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022
Sputtering eptiaxy of transition metal nitrides and AlScN
Lüttich, Christoph; Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Dempewolf, Anja; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Strittmatter, André; Dadgar, Armin
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin . - 2022, S. 599, Artikel PP 256
GaN quantum dots in vertical resonant cavity structure
Schürmann, Hannes; Berger, Christoph; Kang, Gao; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Holmes, Mark; Christen, Jürgen
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin, 2022 . - 2022, S. 720
Metal micro-contacts deposited by focused electron and ion beam - impact on electrical properties
Wein, Konstantin; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Petzold, Silke; Veit, Peter; Berger, Christoph; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022
Structural and elastic properties of ScxAl1 xN
Mihalic, Saskia; Dadgar, Armin; Feil, Niclas M.; Lüttich, Christopher; Strittmatter, André; Ambacher, Oliver
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022
Optical properties of the AlScN ternary system
Grümbel, Jona; Baron, Elias; Lüttich, Christopher; Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Strittmatter, André; Goldhahn, Rüdiger; Dadgar, Armin; Feneberg, Martin
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin . - 2022, S. 263, Artikel AT 195
MOVPE-grown optoelectronic devices based on GaN:Mg/GaN:Ge tunnel junctions
Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Schmidt, Gordon; Schürmann, Hannes; Veit, Peter; Strittmatter, André
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin . - 2022, S. 731, Artikel PP 363
Alternately Si and C doped GaN layers for enhanced buffer breakdown
Dadgar, Armin; Borgmann, Ralf; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Strittmatter, André
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin, 2022 . - 2022, S. 576
Growth of epitaxial GaN by reactive magnetron sputtering
Borgmann, Ralf; Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Dempewolf, Anja; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Schmidt, Gordon
In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin . - 2022, S. 609, Artikel PP 266
Buchbeitrag
Sputter epitaxy of AlN and GaN on Si for device applications
Dadgar, Armin; Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Lüttich, Christopher; Bläsing, Jürgen; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Konferenz: 2022 Compound Semiconductor Week, CSW, Ann Arbor, MI, USA, 01-03 June 2022, 2022 Compound Semiconductor Week (CSW) - Piscataway, NJ: IEEE . - 2022
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Desorption induced formation of low-density GaN quantum dots - nanoscale correlation of structural and optical properties
Schürmann, Hannes; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Berger, Christoph; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: Journal of physics / D - Bristol : IOP Publ., Bd. 55 (2022), Heft 14, Artikel 145102, insges. 7 S.
Laser-assisted local metalorganic vapor phase epitaxy
Trippel, Max; Bläsing, Jürgen; Wieneke, Matthias; Dadgar, Armin; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Review of scientific instruments - [S.l.]: American Institute of Physics, Bd. 93 (2022), insges. 14 S.
Highly reflective and conductive AlInN/GaN distributed Bragg reflectors realized by Ge-doping
Seneza, Cleophace; Berger, Christoph; Sana, Prabha; Witte, Hartmut; Bläsing, Jürgen; Dempewolf, Anja; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Japanese journal of applied physics - Bristol: IOP Publ., Bd. 61 (2022), 1, insges. 7 S.
Defect characterization of heavy ion irradiated AllnN/GaN on Si high-electron-mobility transistors
Challa, S. R.; Witte, Hartmut; Schmidt, Gordon; Bläsing, Jürgen; Vega, N.; Kristukat, C.; Müller, N. A.; Debray, M. E.; Christen, J.; Dadgar, A.; Strittmatter, André
In: Journal of physics. D, Applied physics - Bristol : IOP Publ., Bd. 55 (2022), Heft 11, Artikel 115107, insges. 7 S.
Heavily Ge-doped GaN as transparent current spreading layer for blue tunnel junction light emitting diodes
Berger, Christoph; Neugebauer, S.; Hörich, Florian; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 132 (2022), Artikel 233103, insges. 9 S.
Dissertation
Fabrication of electrically pumped vertical cavity surface emitters employing GaN:Mg/GaN:Ge tunnel junction contacts
Seneza, Cleophace; Strittmatter, André
In: Magdeburg: Universitätsbibliothek, Dissertation Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Fakultät für Naturwissenschaften 2022, 1 Online-Ressource (xv, 93 Seiten, 3,74 MB) [Literaturverzeichnis: Seite 83-87]
Artikel in Kongressband
MOVPE-grown optoelectronic devices with GaN:Mg/GaN:Ge tunnel junctions
Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Schmidt, Gordon; Schürmann, Hannes; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG . - 2022
2021
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Demonstration of lateral epitaxial growth of AlN on Si (1 1 1) at low temperatures by pulsed reactive sputter epitaxy
Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Strittmatter, André; Dadgar, Armin
In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 571 (2021), insges. 4 S.
Low-resistivity vertical current transport across AlInN/GaN interfaces
Sana, Prabha; Seneza, Cleophace; Berger, Christoph; Witte, Hartmut; Schmidt, Marc-Peter; Bläsing, Jürgen; Neugebauer, Silvio; Hörich, Florian; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Japanese journal of applied physics - Bristol: IOP Publ., Bd. 60 (2021), 14, insges. 12 S.
Understanding high-energy 75-MeV sulfur-ion irradiation-induced degradation in GaN-based heterostructures - the role of the GaN channel layer
Challa, Seshagiri Rao; Vega, Nahuel A.; Mueller, Nahuel A.; Kristukat, Christian; Debray, Mario E.; Witte, Hartmut; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: IEEE transactions on electron devices/ Institute of Electrical and Electronics Engineers - New York, NY: IEEE, Bd. 68 (2021), 1, S. 24-28
2020
Abstrakt
GaN:Ge as transparent conductive nitride contact layer for blue tunnel-junction LEDs
Berger, Christoph; Neugebauer, Silvio; Seneza, Cleophace; Witte, Hartmut; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: DPG-Frühjahrstagung: Dresden, 15. - 20. März 2020 - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 8.3[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Dresden, 15. - 20. März 2020]
Highly reflective and conductive AlInN/GaN distributed Bragg reflectors realized by Ge-doping
Seneza, Cleophace; Berger, Christoph; Witte, Hartmut; Bläsing, Jürgen; Dempewolf, Anja; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef : DPG - 2020, Vortrag: HL 30.27 [Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Dresden, 15. - 20. März 2020]
Thermally activated spreading resistance of Si- and Ge-doped lattice matched GaN/InAlN periodic stacks
Witte, Hartmut; Seneza, Cleophace; Sana, Prabha; Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: DPG-Frühjahrstagung: Dresden, 15. - 20. März 2020 - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 68.5[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Dresden, 15. - 20. März 2020]
Buchbeitrag
Nitride microcavities and single quantum dots for classical and non-classical light emitters
Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Bertram, Frank; Veit, P.; Metzner, Susanne; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Jagsch, S. T.; Wagner, M. R.; Hoffmann, A.
In: Semiconductor Nanophotonics: Materials, Models, and Devices - Cham: Springer International Publishing, 2020; Kneissl, Michael . - 2020, S. 453-504 - (Springer series in solid-state sciences; 194)
Stressor-induced site control of quantum dots for single-photon sources
Pohl, Udo W.; Strittmatter, André; Schliwa, A.; Lehmann, M.; Niermann, T.; Heindel, T.; Reitzenstein, S.; Kantner, M.; Bandelow, U.; Koprucki, T.; Wünsche, H.-J.
In: Semiconductor Nanophotonics: Materials, Models, and Devices - Cham: Springer International Publishing, 2020; Kneissl, Michael . - 2020, S. 53-90 - ( Springer series in solid-state sciences; 194)
Submonolayer quantum dots
Owschimikow, Nina; Herzog, Bastian; Lingnau, Benjamin; Lüdge, Kathi; Lenz, Andrea; Eisele, Holger; Dähne, Mario; Niermann, Tore; Lehmann, Mario; Schliwa, Andrei; Strittmatter, André; Pohl, Udo W.
In: Semiconductor Nanophotonics: Materials, Models, and Devices - Cham: Springer International Publishing, 2020; Kneissl, Michael . - 2020, S. 13-51 - ( Springer series in solid-state sciences; 194)
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Individually resolved luminescence from closely stacked GaN/AlN quantum wells
Sheng, Bowen; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Veit, Peter; Wang, Yixin; Wang, Tao; Rong, Xin; Chen, Zhaoying; Wang, Ping; Bläsing, Jürgen; Miyake, Hideto; Li, Hongwei; Guo, Shiping; Qin, Zhixin; Strittmatter, André; Shen, Bo; Christen, Jürgen; Wang, Xinqiang
In: Photonics research - Washington, DC : OSA, Bd. 8 (2020), Heft 4, S. 610-615
Experimental re-evaluation of proton penetration ranges in GaAs and InGaP
Yaccuzzi, Exequiel; Di Napoli, Solange; Liscia, Emiliano; Suárez, Sergio; Alurralde, Martín; Strittmatter, André; Plá, Juan; Giudici, Paula
In: Journal of physics / D - Bristol: IOP Publ. . - 2020[Online first]
Interplay between emission wavelength and s-p splitting in MOCVD-grown InGaAs/GaAs quantum dots emitting above 1.3 m
Podemski, Paweł; Musiał, Anna; Gawarecki, Krzysztof; Maryński, Aleksander; Gontar, Przemysław; Bercha, Artem; Trzeciakowski, Witold A.; Srocka, Nicole; Heuser, Tobias; Quandt, David; Strittmatter, André; Rodt, Sven; Reitzenstein, Stephan; Sęk, Grzegorz
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Volume 116 (2020), issue 2, article 023102, 6 Seiten
Tools for the performance optimization of single-photon quantum key distribution
Kupko, Timm; Helversen, Martin; Rickert, Lucas; Schulze, Jan-Hindrik; Strittmatter, André; Gschrey, Manuel; Rodt, Sven; Reitzenstein, Stephan; Heindel, Tobias
In: npj Quantum information - London: Nature Publ. Group, Vol. 6(2020), article number 29, 8 Seiten
2019
Abstrakt
Small-area current injection in GaN-based light emitters with tunnel junctions
Berger, Christoph; Neugebauer, Silvio; Seneza, Cleophace; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, Andrée-Woo
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL2.5[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]
Metastable negative differential capacitances in GaN-based pn-and tunnel-junctions
Witte, Hartmut; Fariza, Aqdas; Neugebauer, Silvio; Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL2.2[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]
Nanoscale cathodoluminescence of an InGaN single quantum well intersected by individual dislocations
Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Metzner, Sebastian; Berger, Christoph; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: Konferenz: 18th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, DRIP XVIII, Berlin, September, 8-12, 2019, Microscopy and microanalysis - New York, NY : Cambridge University Press, Bd. 22 (2019), S. 602-603
Nanoscale structural and optical properties of deep UV-emitting GaN/AlN quantum well stack
Sheng, B.; Wang, Y.; Rong, X.; Chen, Z.; Wang, T.; Wang, P.; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Miyake, H.; Li, H.; Qin, Z.; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Shen, B.; Wang, X.
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2019, Art. HL31.7[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]
Highly conductive Ge doped InAIN/GaN perodic stacks: structural and electrical properties
Sana, Prabha; Berger, Christoph; Witte, Hartmut; Dabrowski, J.; Schmidt, M.P.; Metzner, Sebastian; Bläsing, Jürgen; Neugebauer, Silvio; Dempewolf, Anja; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: DGKK Workshop Epitaxie von III-V Halbleitern, Dresden, 5-6 Dezember 2019, 2019, S. -, Online
Self-organized GaN quantum dots grown on a wavelength-matched deep UV AlN/AlGaN distributed Bragg reflector
Schürmann, Hannes; Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Kalinowski, S.; Jagsch, S. T.; Callsen, G.; Wagner, M. R.; Hoffmann, A.
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL13.4[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]
Reactive pulsed sputtering of AIN and GaN
Hörich, Florian; Kahrmann, C.; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef : DPG - 2019, Art. Hl 24.9
Single Photon Emission from MOVPE grown GaN Quantum Dots on Deep UV DBR
Schürmann, Hannes; Berger, Christoph; Kang, G.; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bertram, Frank; Metzner, Sebastian; Bläsing, Jürgen; Strittmatter, André; Holmes, M.; Christen, Jürgen
In: DGKK Workshop Epitaxie von III-V Halbleitern, Dresden, 5-6 Dezember 2019, 2019, S. -, Online
Growth of desorption-induced GaN quantum-dots
Berger, Christoph; Schmidt, Gordon; Schürmann, Hannes; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André; Kalinoswki, S.; Jagsch, S. T.; Callsen, G.; Wagner, M. R.; Hoffmann, A.
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL13.3[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]
On tolerance of AlInN/GaN on Si High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) to heavy-ion irradiation
Challa, Seshagiri Rao; Vega, N.; Kristukat, C.; Müller, N.A.; Debray, M.E.; Schmidt, Gordon; Hörich, Florian; Witte, Hartmut; Christen, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: ICNS-13, 13’th International Conference on Nitride Semiconductors, Bellevue, Washington, USA, 7-12 July 2019, 2019, S. -, Online
Study of heavy-ion irradiation induced degradation on AlInN/GaN on Si High-Electron-Mobility Transistors (HEMTS)
Challa, Seshagiri Rao; Vega, N.; Kristukat, C.; Müller, N.; Debray, M.; Schmidt, Gordon; Christen, Jürgen; Hörich, Florian; Witte, Hartmut; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2019, Art. HL2.8[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]
Lattice matched InAIN/GaN 1D photonic band gap crystral (PBC) structures for single mode high-power laser diodes
Sana, Prabha; Berger, Christoph; Schmidt, Marc-Peter; Schmidt, Gordon; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Witte, Hartmut; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Konferenz: 13th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-13, Washington, July 7-12, 2019, 13th International Conference on Nitride Semiconductors - Washington . - 2019
1D photonic bandgap structures for high-power GaN/InGaN laser divices
Sana, Prabha; Berger, Christoph; Schmidt, Marc-Peter; Schmidt, Gordon; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Deckert, M.; Witte, Hartmut; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL36.10[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]
Study of AlInN/GaN on Si high-electron-mobility Transistors (HEMTs) tolerance to heavyion irradiation
Challa, Seshagiri Rao; Vega, N.; Kristukat, N.A.; Müller, N.A.; Debray, M.E.; Schmidt, Gordon; Hörich, Florian; Witte, Hartmut; Christen, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: DRIP XVIII, 18th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, Berlin, 8-12 September 2019, 2019, S. -, Online
Highly conductive Ge doped InAIN/GaN perodic stacks: structural and electrical properties
Sana, Prabha; Berger, Christoph; Witte, Hartmut; Dabrowski, J.; Schmidt, Marc-Peter; Metzner, Sebastian; Bläsing, Jürgen; Neugebauer, Silvio; Dempewolf, Anja; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Workshop der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung DGKK - Dresden . - 2019
GaN:Mg/GaN:Ge tunnel junctions for better light emitters
Berger, Christoph; Neugebauer, Silvio; Seneza, Cleophace; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: ICNS13, 13’th International Conference on Nitride Semiconductors, Bellevue, Washington, USA, 7-12 July 2019, 2019, S. -, Online
Highly reflective and conductive AlInN/GaN distributed Bragg reflectors realized by Ge-doping
Seneza, Cleophace; Berger, Christoph; Witte, Hartmut; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: DGKK Workshop Epitaxie von III-V Halbleitern, Dresden, 5-6 Dezember 2019, 2019, S. -, Online
Heavily Ge-doped GaN as transparent current spreading layer for blue tunnel junction light emitting diodes
Berger, Christoph; Neugebauer, Silvio; Seneza, Cleophace; Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: DGKK Workshop Epitaxie von III-V Halbleitern, Dresden, 5-6 Dezember 2019, 2019, S. -, Online
Buchbeitrag
Photon-number-resolving transition-edge sensors for the metrology of photonic microstructures based on semiconductor quantum dots
Schmidt, Marco; Helversen, Martin; Schlottmann, Elisabeth; López, Marco; Gericke, Fabian; Schulze, Jan-Hindrik; Strittmatter, André; Schneider, Christian; Kück, Stefan; Höfling, Sven; Heindel, Tobias; Beyer, Jörn; Reitzenstein, Stephan
In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash. : SPIE - Volume 10933 (2019) [Konferenz: Advances in Photonics of Quantum Computing, Memory, and Communication XII, San Francisco, California, United States, 2 - 7 February 2019]
Nanometer scale cathodoluminescence of GaN quantum-dots on a wavelength-matched deep-UV distributed Bragg reflector (conference presentation)
Schuermann, Hannes; Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Kalinowski, Stefan; Callsen, Gordon; Jagsch, Stefan; Wagner, Markus; Hoffmann, Axel
In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash.: SPIE, 1963, Volume 10929 (2019)
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Excitonic complexes in MOCVD-grown InGaAs/GaAs quantum dots emitting at telecom wavelengths
Mrowiński, Paweł; Musiał, Anna; Gawarecki, Krzysztof; Dusanowski, Łukasz; Heuser, Tobias; Srocka, Nicole; Quandt, David; Strittmatter, André; Rodt, Sven; Reitzenstein, Stephan; Sęk, Grzegorz
In: Physical review - Woodbury, NY: Inst., Volume 100, issue 11 (2019), article 115310
Outstanding reliability of heavy ion irradiated AlInN/GaN on silicon HFETs
Vega, Nahuel A.; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Challa, Seshagiri Rao; Ferreyra, Romualdo A.; Kristukat, Christian; Muller, Nahuel A.; Debray, Mario E.; Schmidt, Gordon; Witte, Hartmut; Christen, Jürgen
In: IEEE transactions on nuclear science : a publication of the IEEE Nuclear and Plasma Sciences Society / Institute of Electrical and Electronics Engineers - New York, NY : IEEE, Bd. 66.2019, 12, S. 2417-2421
Static and dynamic characteristics of In(AsSb)/ GaAs submonolayer lasers
Quandt, David; Arsenijevic, Dejan; Strittmatter, André; Bimberg, Dieter H.
In: IEEE journal of quantum electronics - New York, NY: IEEE, Bd. 55.2019, 3, S. 1-7
Broadband semiconductor light Sources operating at 1060 nm based on InAs - Sb/GaAs submonolayer quantum dots
Herzog, Bastian; Lingnau, Benjamin; Kolarczik, Mirco; Helmrich, Sophia; Achtstein, Alexander; Thommes, Kevin; Alhussein, Fuad; Quandt, David; Strittmatter, André; Pohl, Udo
In: IEEE journal of selected topics in quantum electronics - New York, NY: IEEE, Volume 25, issue 6 (2019), article 1900310
Intensive luminescence from a thick, indium-rich In0.7Ga0.3N film
Sheng, Bowen; Bertram, Frank; Zheng, Xiantong; Wang, Ping; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Chen, Zhaoying; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Shen, Bo; Wang, Xinqiang
In: Japanese journal of applied physics - Bristol: IOP Publ., Volume 58, issue 6 (2019), article 065503, insgesamt 6 Seiten
Quantum metrology of solid-state single-photon sources using photon-number-resolving detectors
Helversen, Martin; Böhm, Jonas; Schmidt, Marco; Gschrey, Manuel; Schulze, Jan-Hindrik; Strittmatter, André; Rodt, Sven; Beyer, Jörn; Heindel, Tobias; Reitzenstein, Stephan
In: New journal of physics - [Bad Honnef]: Dt. Physikalische Ges., Volume 21, issue 3 (2019), article 035007, insgesamt 8 Seiten
2018
Abstrakt
Self-organized GaN quantum dots on a deep UV AlN/AlGaN distributed Bragg reflector
Schürmann, H.; Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Kalinowski, S.; Hoffmann, A.
In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, November 11-16, 2018]
Impact of growth interruption on the structure and luminescence of two- and zero-dimensional GaN/AlN heterostructures
Schürmann, Hannes; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bertram, Frank; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2018, Art. HL27.3[Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V., Berlin, 2018]
Nanoscale cathodoluminescence of a narrow band distributed Bragg reflector realized by GaN - Ge modulation doping
Christen, Jürgen; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Voß, A.; Reuper, Alexander; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Wagner, Markus R.; Maultzsch, Janina; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: ICPS 2018: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, from29th July to 3rd August, 2018, Montpellier, France - Montpellier, 2018 . - 2018[Konferenz: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2018, Montpellier, France, 29.07. - 03.08.2018]
Characteristics of InAsSb/GaAs submonolayer lasers
Quandt, David; Arsenijevic, Dejan; Bimberg, Dieter; Strittmatter, André
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2018, Art. HL36.4[Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V., Berlin, 2018]
Carbon incorporation in GaN by intrinsic and extrinsic C-doping
Dadgar, Armin; Jankowski, N.; Poliani, E.; Wagner, M. R.; Fariza, Aqdas; Lesnik, Andreas; Hoffmann, Marc P.; Kahrmann, Christopher; Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Hoffmann, Axel; Strittmatter, André
In: ICPS 2018: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, from29th July to 3rd August, 2018, Montpellier, France - Montpellier, 2018 . - 2018[Konferenz: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2018, Montpellier, France, 29.07. - 03.08.2018]
Desorption induced formation of deep UV-emitting nanostructures
Schürmann, Hannes; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Kalinowski, S.; Callsen, G.; Jagsch, S. T.; Wagner, M. R.; Hoffmann, A.; Christen, Jürgen
In: International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2018: December 9-12, 2018, Kunming Yunan Conference Hotel, Kunming, China - Kunming, China, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2018, Kunming, China, December 9-12, 2018]
Nanoscale characterization of high reflectivity AIN/AlGaN deep UV Bragg reflectors
Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Schürmann, Hannes; Petzold, Silke; Bertram, Frank; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, November 11-16, 2018]
Heavy-ion induced effects on AlInN/GaN on Si High- Electron-Mobility Transistors (HEMTs)
Challa, Seshagiri Rao; Vega, N.; Kristukat, Ch.; Debrey, M. E.; Schmidt, Gordon; Hörich, Florian; Witte, Kerstin; Christen, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: 9th Wide Band Gap Semiconductor and Components Workshop: 8-9th October 2018, ECSAT, Harwell, UK - Noordwijk: ESA-ESTEC, 2018, 2018, Devises 2[Workshop: 9th Wide Band Gap Semiconductor and Components Workshop, Harwell, UK, 8 - 9 October 2018]
Self-assembled GaN quantum dots grown on a wavelength-matched deep UV AlN/AlGaN distributed Bragg reflector
Schürmann, Hannes; Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Kalinowski, S.; Jagsch, S.; Hoffmann, A.
In: DGKK Workshop on Epitaxy of III-V Compounds 2018 - Paderborn, 2018 . - 2018[Workshop: DGKK Workshop on Epitaxy of III-V Compounds 2018, Paderborn, 6. - 7. Dezember 2018]
Nanoscale investigation of GaN / AlN quantum dot formation
Schürmann, Hannes; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: ICPS 2018: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, from29th July to 3rd August, 2018, Montpellier, France - Montpellier, 2018 . - 2018[Konferenz: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2018, Montpellier, France, 29.07. - 03.08.2018]
On tolerance of AlInN/GaN on Si High-Electron-Mobility Transistors to heavy-ion irradiation
Challa, Seshagiri Rao; Vega, Nahuel; Kristukat, Christian; Müller, N. A.; Dabray, M. E.; Schmidt, Gordon; Hörich, Florian; Witte, Hartmut; Christen, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, November 11-16, 2018]
Nanoscale cathodoluminescence investigation of GaN / AlN quantum dot formation
Bertram, Frank; Schürmann, Hannes; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: Compound Semiconductor Week 2018, CSW 2018: 45th International Symposium on Compound Semiconductors, 30th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials - Cambridge, MA, 2018 . - 2018[Compound Semiconductor Week 2018, CSW 2018, Cambridge, MA, USA, May 29-June 1, 2018]
Nanoscale cathodoluminescence of a narrow band distributed Bragg reflector realized by GaN - Ge modulation doping
Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Voß, A.; Reuper, Alexander; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Poliani, E.; Wagner, M. R.; Maultzsch, J.; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Hoffmann, A.; Christen, Jürgen
In: ICPS 2018: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, from29th July to 3rd August, 2018, Montpellier, France - Montpellier, 2018 . - 2018[Konferenz: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2018, Montpellier, France, 29.07. - 03.08.2018]
Laser-assisted local metalorganic vapor phase epitaxy
Trippel, Max; Wieneke, Matthias; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: DGKK Workshop on Epitaxy of III-V Compounds 2018 - Paderborn, 2018 . - 2018[Workshop: DGKK Workshop on Epitaxy of III-V Compounds 2018, Paderborn, 6. - 7. Dezember 2018]
Amphoteric incorporation of carbon in GaN
Hoffmann, Axel; Jankowski, Nadja; Poliani, Emmanuele; Scheel, Harald; Wagner, Markus R.; Fariza, Aqdas; Lesnik, Andreas; Hoffmann, Marc P.; Kahrmann, Christopher; Hörich, Florian; Zwieryz, R.; Kachel, K.; Bieckermann, M.; Bläsing, Jürgen; Strittmatter, André; Dadgar, Armin; Siche, D.
In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, November 11-16, 2018]
Tunnel junction design for InGaN/GaN-based light emitters
Strittmatter, André
In: SPIE Photonics West: San Francisco, USA, 27 January - 1 February 2018 - SPIE, 2018 . - 2018[Biophotonics, Biomedical Optics, and Imaging Conference, BIOS, San Francisco, USA, 27-28 January 2018]
MOVPE and processing of blue micro-sized LEDs on Si(111) for optogenetic applications
Neugebauer, Silvio; Bläsing, Jürgen; Deckert, Martin; Lippert, Michael; Dadgar, Armin; Schmidt, Bertram; Ohl, Frank W.; Strittmatter, André
In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, November 11-16, 2018]
GaN-based LEDs with GaN:Mg/GaN:Ge tunnel junction grown by metalorganic vapor phase epitaxy
Berger, Christoph; Neugebauer, Silvio; Seneza, C.; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, November 11-16, 2018]
Development of high brightness (In,Ga,Al)- N laser devices - theory and experiment
Sana, Prabha; Berger, Christoph; Schmidt, Marc-Peter; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Metzner, Sebastian; Deckert, Martin; Witte, Hartmut; Strittmatter, André
In: DGKK Workshop on Epitaxy of III-V Compounds 2018 - Paderborn
Buchbeitrag
Semiconductor quantum dot to fiber coupling system for 1.3m range
Žołnacz, Kinga; Urbańczyk, Wacław; Srocka, Nicole; Heuser, Tobias; Quandt, David; Strittmatter, André; Rodt, Sven; Reitzenstein, Stephan; Musiał, Anna; Mrowiński, Paweł; Sek, Grzegorz; Poturaj, Krzysztof; Wójcik, Grzegorz; Mergo, Paweł; Dybka, Kamil; Dyrkacz, Marius; Dłubek, Michał
In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash. : SPIE - Vol. 10674.2018, Art. 106741R
Begutachteter Zeitschriftenartikel
A stand-alone fiber-coupled single-photon source
Schlehahn, Alexander; Fischbach, Sarah; Schmidt, Ronny; Kaganskiy, Arsenty; Strittmatter, André; Rodt, Sven; Heindel, Tobias; Reitzenstein, Stephan
In: Scientific reports - [London] : Macmillan Publishers Limited, part of Springer Nature - Vol. 8.2018, Art. 1340, insgesamt 7 S.
Generation of maximally entangled states and coherent control in quantum dot microlenses
Bounouar, Samir; Haye, Christoph; Strauß, Max; Schnauber, Peter; Thoma, Alexander; Gschrey, Manuel; Schulze, Jan-Hindrik; Strittmatter, André; Rodt, Sven; Reitzenstein, Stephan
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics - Vol. 112.2018, 15, Art. 153107, insgesamt 6 S.
Accurate determination of polarization fields in (0 0 0 1) c-plane InAlN/GaN heterostructures with capacitance-voltage-measurements
Susilo, Norman; Roumeliotis, Georgios G.; Narodovitch, Michael; Witzigmann, Bernd; Rychetsky, Monir; Neugebauer, Silvio; Guttmann, Martin; Enslin, Johannes; Dadgar, Armin; Niermann, Tore; Wernicke, Tim; Strittmatter, André; Lehmann, Michael; Papadimitriou, Dimitra N.; Kneissl, Michael
In: Journal of physics / D - Bristol: IOP Publ., 1968, Vol. 51.2018, 48, Art. 485103, insgesamt 6 S.
Analysis of InAsSb/GaAs submonolayer stacks
Quandt, David; Bläsing, Jürgen; Strittmatter, André
In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.] : Elsevier, Bd. 494 (2018), S. 1-7
Two charge states of the C N acceptor in GaN - evidence from photoluminescence
Reshchikov, M. A.; Vorobiov, M.; Demchenko, D. O.; Ozgur, Ü.; Morkoç, H.; Lesnik, A.; Hoffmann, M. P.; Hörich, Florian; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Physical review - Woodbury, NY : Inst. - Vol. 98.2018, 12-15, Art. 125207
Impact of AlN/Si Nucleation Layers Grown Either by NH3-MBE or MOCVD on the Properties of AlGaN/GaN HFETs
Yacoub, Hady; Zweipfennig, Thorsten; Kalisch, Holger; Vescan, Aandrei; Dadgar, Armin; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Strittmatter, André; Rennesson, Stephanie; Semond, Fabrice
In: Physica status solidi / A - Weinheim : Wiley-VCH - Vol. 215.2018, 9, Art. 1700638
Enhancing the photon-extraction efficiency of site-controlled quantum dots by deterministically fabricated microlenses
Kaganskiy, Arsenty; Fischbach, Sarah; Strittmatter, André; Rodt, Sven; Heindel, Tobias; Reitzenstein, Stephan
In: Optics communications - Amsterdam : [Verlag nicht ermittelbar], Bd. 413 (2018), S. 162-166
Enhanced photon-extraction efficiency from InGaAs/GaAs quantum dots in deterministic photonic structures at 1.3 m fabricated by in-situ electron-beam lithography
Srocka, N.; Musiał, A.; Schneider, P.-I.; Mrowiński, P.; Holewa, P.; Burger, S.; Quandt, D.; Strittmatter, André; Rodt, S.; Reitzenstein, S.; Sȩk, G.
In: AIP Advances - New York, NY : American Inst. of Physics - Vol. 8.2018, 8, Art. 085205, insgesamt 10 S.
Artikel in Kongressband
Photon noise suppression by a built-in feedback loop
Al-Ashouri, A.; Merkel, B.; Geller, M.; Ludwig, A.; Wieck, A. D.; Schulze, J.-H.; Strittmatter, André; Kurzmann, A.; Lorke, A.
In: ResearchGATE: scientific neetwork ; the leading professional network for scientists - Cambridge, Mass.: ResearchGATE Corp., 2010 . - 2018, insges. 11 S.
2017
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Properties of C-doped GaN
Lesnik, Andreas; Hoffmann, Marc P.; Fariza, Aqdas; Bläsing, Jürgen; Witte, Hartmut; Veit, Peter; Hörich, Florian; Berger, Christoph; Hennig, Jonas; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Physica status solidi. B, Basic solid state physics - Weinheim : Wiley-VCH - Vol. 254.2017, 8, Art. 1600708, insgesamt 7 S.
All metalorganic chemical vapor phase epitaxy of p/n-GaN tunnel junction for blue light emitting diode applications
Neugebauer, S.; Hoffmann, M. P.; Witte, Hartmut; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Niermann, T.; Narodovitch, M.; Lehmann, M.
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Vol. 110.2017, 10, Art. 102104, insgesamt 5 S.
Efficient single-photon source based on a deterministically fabricated single quantum dot - microstructure with backside gold mirror
Fischbach, Sarah; Kaganskiy, Arsenty; Tauscher, Esra Burcu Yarar; Gericke, Fabian; Thoma, Alexander; Schmidt, Ronny; Strittmatter, André; Heindel, Tobias; Rodt, Sven; Reitzenstein, S.
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Vol. 110.2017, 1, Art. 011106, insgesamt 5 S.
Resonance fluorescence of a site-controlled quantum dot realized by the buried-stressor growth technique
Strauß, Max; Kaganskiy, Arsenty; Voigt, Robert; Schnauber, Peter; Schulze, Jan-Hendrik; Rodt, Sven; Strittmatter, André; Reitzenstein, Stephan
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Vol. 110.2017, 11, Art. 111101, insgesamt 5 S.
A bright triggered twin-photon source in the solid state
Heindel, T.; Thoma, A.; Helversen, M.; Schmidt, M.; Schlehahn, A.; Gschrey, M.; Schnauber, P.; Schulze, J.-H.; Strittmatter, André; Beyer, J.; Rodt, S.; Carmele, A.; Knorr, A.; Reitzenstein, S.
In: Nature Communications - [London] : Nature Publishing Group UK, Vol. 8.2017, 1, Art. 14870, insgesamt 7 S.
Optimizing the InGaAs/GaAs quantum dots for 1.3 m emission
Maryński, A.; Mrowiński, P.; Ryczko, K.; Podemski, P.; Gawarecki, K.; Musiał, A.; Misiewicz, J.; Quandt, D.; Strittmatter, André; Rodt, S.; Reitzenstein, S.; Sęk, G.
In: Acta physica Polonica / A - Warsaw : Acad. Inst, Bd. 132.2017, 2, S. 386-389
Single quantum dot with microlens and 3D-printed micro-objective as integrated bright single-photon source
Fischbach, Sarah; Schlehahn, Alexander; Thoma, Alexander; Srocka, Nicole; Gissibl, Timo; Ristok, Simon; Thiele, Simone; Kaganskiy, Arsenty; Strittmatter, André; Heindel, Tobias; Rodt, Sven; Herkommer, Alois; Giessen, Harald; Reitzenstein, Stephan
In: ACS photonics / American Chemical Society - Washington, DC : ACS, Bd. 4 (2017), Heft 6, S. 1327-1332
Path-controlled time reordering of paired photons in a dressed three-level cascade
Bounouar, Samir; Strauß, Max; Carmele, Alexander; Schnauber, Peter; Thoma, Alexander; Gschrey, Manuel; Schulze, Hans-Peter; Strittmatter, André; Rodt, Sven; Knorr, Andreas; Reitzenstein, Stephan
In: Physical review letters - College Park, Md : APS, Vol. 118.2017, 23, Artikel 233601
Two-photon interference from remote deterministic quantum dot microlenses
Thoma, A.; Schnauber, P.; Böhm, J.; Gschrey, M.; Schulze, J.-H.; Strittmatter, André; Rodt, S.; Heindel, T.; Reitzenstein, S.
In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Vol. 110.2017, 1, Art. 011104
Leakage currents and fermi-level shifts in GaN layers upon iron and carbon-doping
Fariza, A.; Lesnik, A.; Neugebauer, S.; Wieneke, Matthias; Hennig, J.; Bläsing, Jürgen; Witte, Hartmut; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics - Vol. 122.2017, 2, Art. 025704, insgesamt 7 S.
Dissertation
Metallorganische Gasphasenepitaxie von nitridischen Mikrokavitäten für vertikal emittierende Laser und Einzelphotonenemitter
Berger, Christoph; Strittmatter, André
In: Magdeburg, 2017, x, 149 Seiten, Illustrationen, Diagramme, 30 cm[Literaturverzeichnis: Seite 127-144]
2016
Buchbeitrag
On current injection into single quantum dots through oxide-confined pn-diodes
Kantner, M.; Bandelow, U.; Koprucki, T.; Schulze, J.-H.; Strittmatter, A.; Wunsche, H.-J.
In: 2016, S. 215-216, unter URL: https://dx.doi.org/10.1109/NUSOD.2016.7547002, unter URL: 10.1109/TED.2016.2538561
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Efficient current injection into single quantum dots through oxide-confined p-n-diodes
Kantner, M.; Bandelow, U.; Koprucki, T.; Schulze, J.-H.; Strittmatter, A.; Wunsche, H.-J.
In: 2016, Bd. 63, S. 2036-2042, unter URL: https://dx.doi.org/10.1109/TED.2016.2538561, unter URL: 10.1109/TED.2016.2538561
Investigation of proton damage in III-V semiconductors by optical spectroscopy
Yaccuzzi, E.; Khachadorian, S.; Suárez, S.; Reinoso, M.; Goñi, A. R.; Strittmatter, André; Hoffmann, A.; Giudici, P.
In: Journal of applied physics: AIP's archival journal for significant new results in applied physics - Melville, NY: American Inst. of Physics, 1931, Vol. 119.2016, 23, Art. 235702
Impact of Phonons on Dephasing of Individual Excitons in Deterministic Quantum Dot Microlenses
Jakubczyk, T.; Delmonte, V.; Fischbach, S.; Wigger, D.; Reiter, D.E.; Mermillod, Q.; Schnauber, P.; Kaganskiy, A.; Schulze, J.-H.; Strittmatter, A.; Rodt, S.; Langbein, W.; Kuhn, T.; Reitzenstein, S.; Kasprzak, J.
In: 2016, Bd. 3, S. 2461-2466, unter URL: https://dx.doi.org/10.1021/acsphotonics.6b00707, unter URL: 10.1021/acsphotonics.6b00707
Investigation of proton damage in III-V semiconductors by optical spectroscopy
Yaccuzzi, E.; Khachadorian, S.; Suárez, S.; Reinoso, M.; Goñi, A.R.; Strittmatter, A.; Hoffmann, A.; Giudici, P.
In: 2016, Bd. 119, unter URL: https://dx.doi.org/10.1063/1.4953585, unter URL: 10.1063/1.4953585
Strong amplitude-phase coupling in submonolayer quantum dots
Herzog, B.; Lingnau, B.; Kolarczik, M.; Kaptan, Y.; Bimberg, D.; Maaßdorf, A.; Pohl, U.W.; Rosales, R.; Schulze, J.-H.; Strittmatter, A.; Weyers, M.; Woggon, U.; Lüdge, K.; Owschimikow, N.
In: 2016, Bd. 109, unter URL: https://dx.doi.org/10.1063/1.4967833, unter URL: 10.1063/1.4967833
On reduction of current leakage in GaN by carbon-doping
Fariza, Aqdas; Lesnik, Andreas; Bläsing, Jürgen; Hoffmann, Marc P.; Hörich, Florian; Veit, Peter; Witte, Hartmut; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, 1962, Vol. 109.2016, 21, Art. 212102, insgesamt 5 S.
Polarization engineering of c-plane InGaN quantum wells by pulsed-flow growth of AlInGaN barriers
Neugebauer, Silvio; Metzner, Sebastian; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, 1961, Bd. 253.2016, 1, S. 118-125
Growth and structure of In
Sala, E.M.; Stracke, G.; Selve, S.; Niermann, T.; Lehmann, M.; Schlichting, S.; Nippert, F.; Callsen, G.; Strittmatter, A.; Bimberg, D.
In: 2016, Bd. 109, unter URL: https://dx.doi.org/10.1063/1.4962273, unter URL: 10.1063/1.4962273
Properties of C-doped GaN
Lesnik, Andreas; Hoffmann, Marc P.; Fariza, Aqdas; Bläsing, Jürgen; Witte, Hartmut; Veit, Peter; Hörich, Florian; Berger, Christoph; Hennig, Jonas; Dadgar, Armin; Strittmatter, André
In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, 1961 . - 2016, insges. 7 S.
Exploring Dephasing of a Solid-State Quantum Emitter via Time- and Temperature-Dependent Hong-Ou-Mandel Experiments
Thoma, A.; Schnauber, P.; Gschrey, M.; Seifried, M.; Wolters, J.; Schulze, J.-H.; Strittmatter, A.; Rodt, S.; Carmele, A.; Knorr, A.; Heindel, T.; Reitzenstein, S.
In: 2016, Bd. 116, unter URL: https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.116.033601, unter URL: 10.1103/PhysRevLett.116.033601
Generating single photons at gigahertz modulation-speed using electrically controlled quantum dot microlenses
Schlehahn, A.; Schmidt, R.; Hopfmann, C.; Schulze, J.-H.; Strittmatter, André; Heindel, T.; Gantz, L.; Schmidgall, E. R.; Gershoni, D.; Reitzenstein, S.
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, 1962, Vol. 108.2016, 2, Art. 021104, insgesamt 6 S.
Metalorganic chemical vapor phase epitaxy of narrow-band distributed Bragg reflectors realized by GaN:Ge modulation doping
Berger, Christoph; Lesnik, Andreas; Zettler, Thomas; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Christen, Jürgen; Strittmatter, André
In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, 1967, Bd. 440.2016, S. 6-12
Heterodimensional charge-carrier confinement in stacked submonolayer InAs in GaAs
Harrison, S.; Young, M.P.; Hodgson, P.D.; Young, R.J.; Hayne, M.; Danos, L.; Schliwa, A.; Strittmatter, A.; Lenz, A.; Eisele, H.; Pohl, U.W.; Bimberg, D.
In: 2016, Bd. 93, unter URL: https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.93.085302, unter URL: 10.1103/PhysRevB.93.085302
Clustered quantum dots in single GaN islands formed at threading dislocations
Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Berger, Christoph; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen
In: Japanese journal of applied physics: JJAP - Bristol: IOP Publ., 1962, Vol. 55.2016, 5S, Art. 05FF04, insgesamt 5 S.
2015
Buchbeitrag
Indistinguishable photons from deterministically fabricated quantum dot microlenses
Thoma, A.; Schnauber, P.; Gschrey, M.; Schmidt, R.; Wohlfeil, B.; Seifried, M.; Schulze, J.-H.; Burger, S.; Schmidt, F.; Strittmatter, A.; Rodt, S.; Heindel, T.; Reitzenstein, S.
In: 2015, S. 371p, https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84938825799&partnerID=40&md5=d39f469d7a898acc9dc48272d584467d
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Advanced in-situ electron-beam lithography for deterministic nanophotonic device processing
Kaganskiy, Arsenty; Gschrey, Manuel; Schlehahn, Alexander; Schmidt, Ronny; Schulze, Jan-Hindrik; Heindel, Tobias; Strittmatter, André; Rodt, Sven; Reitzenstein, Stephan
In: Review of scientific instruments: a monthly journal devoted to scientific instruments, apparatus, and techniques - [S.l.]: American Institute of Physics, Vol. 86.2015, 7, Art. 073903, insgesamt 6 S.
Fast gain and phase recovery of semiconductor optical amplifiers based on submonolayer quantum dots
Herzog, B.; Owschimikow, N.; Schulze, J.-H.; Rosales, R.; Kaptan, Y.; Kolarczik, M.; Switaiski, T.; Strittmatter, A.; Bimberg, D.; Pohl, U.W.; Woggon, U.
In: 2015, Bd. 107, unter URL: https://dx.doi.org/10.1063/1.4935792, unter URL: 10.1063/1.4935792
Direct evidence of single quantum dot emission from GaN islands formed at threading dislocations using nanoscale cathodoluminescence - a source of single photons in the ultraviolet
Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Veit, Peter; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Callsen, Gordon; Kalinowski, Stefan; Hoffmann, Axel
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, 1962, Vol. 106.2015, 25, Art. 252101, insgesamt 5 S.
Growth of AlInN/GaN distributed Bragg reflectors with improved interface quality
Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Lesnik, Andreas; Veit, Peter; Schmidt, Gordon; Hempel, Thomas; Christen, Jürgen; Krost, Alois; Strittmatter, André
In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, 1967, Bd. 414.2015, S. 105-109
Enhanced sheet carrier densities in polarization controlled AlInN/AlN/GaN/InGaN field-effect transistor on Si (111)
Hennig, Jonas; Dadgar, Armin; Witte, Hartmut; Bläsing, Jürgen; Lesnik, Andreas; Strittmatter, André; Krost, Alois
In: AIP Advances - New York, NY: American Inst. of Physics, Vol. 5.2015, 7, Art. 077146, insgesamt 8 S.
Strain field of a buried oxide aperture
Kießling, F.; Niermann, T.; Lehmann, M.; Schulze, J.-H.; Strittmatter, A.; Schliwa, A.; Pohl, U.W.
In: 2015, Bd. 91, unter URL: https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.91.075306, unter URL: 10.1103/PhysRevB.91.075306
Strong charge-carrier localization in InAs/GaAs submonolayer stacks prepared by Sb-assisted metalorganic vapor-phase epitaxy
Quandt, D.; Schulze, J.-H.; Schliwa, A.; Diemer, Z.; Prohl, C.; Lenz, A.; Eisele, H.; Strittmatter, A.; Pohl, U.W.; Gschrey, M.; Rodt, S.; Reitzenstein, S.; Bimberg, D.; Lehmann, M.; Weyland, M.
In: 2015, Bd. 91, unter URL: https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.91.235418, unter URL: 10.1103/PhysRevB.91.235418
Desorption induced GaN quantum dots on (0001) AlN by MOVPE
Bellmann, K.; Tabataba-Vakili, F.; Wernicke, T.; Strittmatter, A.; Callsen, G.; Hoffmann, A.; Kneissl, M.
In: 2015, Bd. 9, S. 526-529, unter URL: https://dx.doi.org/10.1002/pssr.201510217, unter URL: 10.1002/pssr.201510217
Highly indistinguishable photons from deterministic quantum-dot microlenses utilizing three-dimensional in situ electron-beam lithography
Gschrey, M.; Thoma, A.; Schnauber, P.; Seifried, M.; Schmidt, R.; Wohlfeil, B.; Krüger, L.; Schulze, J.-H.; Heindel, T.; Burger, S.; Schmidt, F.; Strittmatter, A.; Rodt, S.; Reitzenstein, S.
In: 2015, Bd. 6, unter URL: https://dx.doi.org/10.1038/ncomms8662, unter URL: 10.1038/ncomms8662
230 s room-temperature storage time and 1.14 eV hole localization energy in In
Bonato, L.; Sala, E.M.; Stracke, G.; Nowozin, T.; Strittmatter, A.; Ajour, M.N.; Daqrouq, K.; Bimberg, D.
In: 2015, Bd. 106, unter URL: https://dx.doi.org/10.1063/1.4906994, unter URL: 10.1063/1.4906994
Resolution and alignment accuracy of low-temperature in situ electron beam lithography for nanophotonic device fabrication
Gschrey, M.; Schmidt, R.; Schulze, J.-H.; Strittmatter, A.; Rodt, S.; Reitzenstein, S.
In: 2015, Bd. 33, unter URL: https://dx.doi.org/10.1116/1.4914914, unter URL: 10.1116/1.4914914
Operating single quantum emitters with a compact Stirling cryocooler
Schlehahn, A.; Krüger, L.; Gschrey, M.; Schulze, J.-H.; Rodt, S.; Strittmatter, André; Heindel, T.; Reitzenstein, S.
In: Review of scientific instruments: a monthly journal devoted to scientific instruments, apparatus, and techniques - [S.l.]: American Institute of Physics, Vol. 86.2015, 1, Art. 013113, insgesamt 7 S.
Single-photon emission at a rate of 14MHz from a deterministic quantum-dot microlens triggered by a mode-locked vertical-external-cavity surface-emitting laser
Schlehahn, A.; Gaafar, M.; Vaupel, M.; Gschrey, M.; Schnauber, P.; Schulze, J.-H.; Rodt, S.; Strittmatter, André; Stolz, W.; Rahimi-Iman, A.; Heindel, T.; Koch, M.; Reitzenstein, S.
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 107.2015, 4, Art. 041105, insgesamt 5 S.
2014
Buchbeitrag
Fabrication of deterministic quantum light sources using cathodoluminescence lithography
Gschrey, M.; Gericke, F.; Schmidt, R.; Schlottmann, E.; Schüssler, A.; Schulze, J.-H.; Heindel, T.; Rodt, S.; Strittmatter, A.; Reitzenstein, S.
In: 2014, https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84899739511&partnerID=40&md5=f369483f7203ca07497948edbe9cb96a
Indistinguishable photons from deterministic quantum dot microlenses
Thoma, A.; Schnauber, P.; Gschrey, M.; Schmidt, R.; Wohlfeil, B.; Seifried, M.; Schulze, J.-H.; Burger, S.; Schmidt, F.; Strittmatter, A.; Rodt, S.; Heindel, T.; Reitzenstein, S.
In: 2014, Bd. Part F3-EQEC 2015, https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85016559968&partnerID=40&md5=bf81fc7624fc5b7556b19061c615735b
Boosting the photon-extraction efficiency of nanophotonic structures by deterministic microlenses
Gschrey, M.; Seifried, M.; Krüger, L.; Schmidt, R.; Schulze, J.-H.; Heinde, T.; Burger, S.; Rodt, S.; Schmidt, F.; Strittmatter, A.; Reitzenstein, S.
In: 2014, https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84905482276&partnerID=40&md5=0c609ea395f59badbe1622dfc87026c0
Boosting the photon-extraction efficiency of nanophotonic structures by deterministic microlenses
Gschrey, M.; Seifried, M.; Krüger, L.; Schmidt, R.; Schulze, J.-H.; Heindel, T.; Burger, S.; Rodt, S.; Schmidt, F.; Strittmatter, A.; Reitzenstein, S.
In: 2014, Bd. 2014-January, https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84944699313&partnerID=40&md5=3b9e01a819da82c754b1cc07f4c15c4a
Advanced quantum light sources: Modelling and realization by deterministic nanofabrication technologies
Gschrey, M.; Seifried, M.; Krüger, L.; Schmidt, R.; Schulze, J.-H.; Heindel, T.; Burger, S.; Rodt, S.; Schmidt, F.; Strittmatter, A.; Reitzenstein, S.
In: 2014, https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84906084663&partnerID=40&md5=bb40ca7ad3e89534dbc9e6782523fe63
Index-coupled quantum-dot distributed-feedback lasers
Stubenrauch, M.; Stracke, G.; ArsenijeviĿ, D.; Strittmatter, A.; Bimberg, D.
In: 2014, S. 240-241, unter URL: https://dx.doi.org/10.1109/IPCon.2014.6995337, unter URL: 10.1109/IPCon.2014.6995337
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Growth of AlInN/GaN distributed Bragg reflectors with improved interface quality
Berger, C.; Dadgar, A.; Bläsing, J.; Lesnik, A.; Veit, P.; Schmidt, G.; Hempel, T.; Christen, J.; Krost, A.; Strittmatter, A.
In: Journal of Crystal Growth, 2014, S. , ISSN 00220248, 10.1016/j.jcrysgro.2014.09.008
15 Gb/s index-coupled distributed-feedback lasers based on 1.3 μ m InGaAs quantum dots
Stubenrauch, M.; Stracke, G.; ArsenijeviĿ, D.; Strittmatter, A.; Bimberg, D.
In: 2014, unter URL: https://dx.doi.org/10.1063/1.4887063, unter URL: 10.1063/1.4887063
Indirect and direct optical transitions in In0.5Ga 0.5As/GaP quantum dots
Stracke, G.; Sala, E.M.; Selve, S.; Niermann, T.; Schliwa, A.; Strittmatter, A.; Bimberg, D.
In: 2014, Bd. 104, unter URL: https://dx.doi.org/10.1063/1.4870087, unter URL: 10.1063/1.4870087
2013
Buchbeitrag
Self-aligned quantum-dot growth for single-photon sources
Pohl, U.W.; Strittmatter, A.; Schulze, J.-H.; Quandt, D.; Germann, T.D.; Unrau, W.; Heindel, T.; Hitzemann, O.; Bimberg, D.; Reitzenstein, S.
In: 2013, unter URL: https://dx.doi.org/10.1109/ICIPRM.2013.6562566, unter URL: 10.1109/ICIPRM.2013.6562566
Begutachteter Zeitschriftenartikel
In situ electron-beam lithography of deterministic single-quantum-dot mesa-structures using low-temperature cathodoluminescence spectroscopy
Gschrey, M.; Gericke, F.; Schüßler, A.; Schmidt, R.; Schulze, J.-H.; Heindel, T.; Rodt, S.; Strittmatter, A.; Reitzenstein, S.
In: 2013, Bd. 102, unter URL: https://dx.doi.org/10.1063/1.4812343, unter URL: 10.1063/1.4812343
Carrier dynamics in InAs/GaAs submonolayer stacks coupled to Stranski-Krastanov quantum dots
Switaiski, T.; Woggon, U.; Alden Angeles, D.E.; Hoffmann, A.; Schulze, J.-H.; Germann, T.D.; Strittmatter, A.; Pohl, U.W.
In: 2013, Bd. 88, unter URL: https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.88.035314, unter URL: 10.1103/PhysRevB.88.035314
Spatial structure of In
Prohl, C.; Lenz, A.; Roy, D.; Schuppang, J.; Stracke, G.; Strittmatter, A.; Pohl, U.W.; Bimberg, D.; Eisele, H.; Dähne, M.
In: 2013, Bd. 102, unter URL: https://dx.doi.org/10.1063/1.4798520, unter URL: 10.1063/1.4798520
2012
Buchbeitrag
Site-selective growth of single quantum dots
Strittmatter, A.
In: 2012, Bd. 209, S. 2378, unter URL: https://dx.doi.org/10.1002/pssa.201221943, unter URL: 10.1002/pssa.201221943
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Site-controlled quantum dot growth on buried oxide stressor layers
Strittmatter, A.; Holzbecher, A.; Schliwa, A.; Schulze, J.-H.; Quandt, D.; Germann, T.D.; Dreismann, A.; Hitzemann, O.; Stock, E.; Ostapenko, I.A.; Rodt, S.; Unrau, W.; Pohl, U.W.; Hoffmann, A.; Bimberg, D.; Haisler, V.
In: 2012, Bd. 209, S. 2411-2420, unter URL: https://dx.doi.org/10.1002/pssa.201228407, unter URL: 10.1002/pssa.201228407
Growth of In
Stracke, G.; Glacki, A.; Nowozin, T.; Bonato, L.; Rodt, S.; Prohl, C.; Lenz, A.; Eisele, H.; Schliwa, A.; Strittmatter, A.; Pohl, U.W.; Bimberg, D.
In: 2012, Bd. 101, unter URL: https://dx.doi.org/10.1063/1.4768294, unter URL: 10.1063/1.4768294
High-power low-divergence 1060nm photonic crystal laser diodes based on quantum dots
Posilovic, K.; Kalosha, V.P.; Winterfeldt, M.; Schulze, J.-H.; Quandt, D.; Germann, T.D.; Strittmatter, A.; Bimberg, D.; Pohl, J.; Weyers, M.
In: 2012, Bd. 48, S. 1419-1420, unter URL: https://dx.doi.org/10.1049/el.2012.3174, unter URL: 10.1049/el.2012.3174
Electrically driven single photon source based on a site-controlled quantum dot with self-aligned current injection
Unrau, W.; Quandt, D.; Schulze, J.-H.; Heindel, T.; Germann, T.D.; Hitzemann, O.; Strittmatter, A.; Reitzenstein, S.; Pohl, U.W.; Bimberg, D.
In: 2012, Bd. 101, unter URL: https://dx.doi.org/10.1063/1.4767525, unter URL: 10.1063/1.4767525
Lateral positioning of InGaAs quantum dots using a buried stressor
Strittmatter, A.; Schliwa, A.; Schulze, J.-H.; Germann, T.D.; Dreismann, A.; Hitzemann, O.; Stock, E.; Ostapenko, I.A.; Rodt, S.; Unrau, W.; Pohl, U.W.; Hoffmann, A.; Bimberg, D.; Haisler, V.
In: 2012, Bd. 100, unter URL: https://dx.doi.org/10.1063/1.3691251, unter URL: 10.1063/1.3691251
Electro-optical resonance modulation of vertical-cavity surface-emitting lasers
Germann, T.D.; Hofmann, W.; Nadtochiy, A.M.; Schulze, J.-H.; Mutig, A.; Strittmatter, A.; Bimberg, D.
In: 2012, Bd. 20, S. 5099-5107, unter URL: https://dx.doi.org/10.1364/OE.20.005099, unter URL: 10.1364/OE.20.005099
Atomic structure of closely stacked InAs submonolayer depositions in GaAs
Niermann, T.; Kieling, F.; Lehmann, M.; Schulze, J.-H.; Germann, T.D.; Pötschke, K.; Strittmatter, A.; Pohl, U.W.
In: 2012, Bd. 112, unter URL: https://dx.doi.org/10.1063/1.4758301, unter URL: 10.1063/1.4758301
2011
Buchbeitrag
InAlGaN optical emitters: Laser diodes with non-epitaxial cladding layers and ultraviolet light-emitting diodes
Chua, C.; Yang, Z.; Knollenberg, C.; Teepe, M.; Cheng, B.; Strittmatter, A.; Bour, D.; Johnson, N.M.
In: 2011, Bd. 7939, unter URL: https://dx.doi.org/10.1117/12.875188, unter URL: 10.1117/12.875188
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Coalescence during epitaxial lateral overgrowth of (Al,Ga)N(1 1 .2) layers
Strittmatter, A.; Teepe, M.; Knollenberg, C.; Johnson, N.M.
In: 2011, Bd. 314, S. 1-4, unter URL: https://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.09.064, unter URL: 10.1016/j.jcrysgro.2010.09.064
Semi-polar nitride surfaces and heterostructures
Strittmatter, A.; Northrup, J.E.; Johnson, N.M.; Kisin, M.V.; Spiberg, P.; El-Ghoroury, H.; Usikov, A.; Syrkin, A.
In: 2011, Bd. 248, S. 561-573, unter URL: https://dx.doi.org/10.1002/pssb.201046422, unter URL: 10.1002/pssb.201046422
In-well pumping of InGaN/GaN vertical-external-cavity surface-emitting lasers
Wunderer, T.; Northrup, J.E.; Yang, Z.; Teepe, M.; Strittmatter, A.; Johnson, N.M.; Rotella, P.; Wraback, M.
In: 2011, Bd. 99, unter URL: https://dx.doi.org/10.1063/1.3663575, unter URL: 10.1063/1.3663575
Atomic structure and optical properties of InAs submonolayer depositions in GaAs
Lenz, A.; Eisele, H.; Becker, J.; Schulze, J.-H.; Germann, T.D.; Luckert, F.; Pötschke, K.; Lenz, E.; Ivanova, L.; Strittmatter, A.; Bimberg, D.; Pohl, U.W.; Dähne, M.
In: 2011, Bd. 29, unter URL: https://dx.doi.org/10.1116/1.3602470, unter URL: 10.1116/1.3602470
2010
Buchbeitrag
Optically-pumped lasing of semi-polar InGaN/GaN(1122) heterostructures
Strittmatter, A.; Teepe, M.; Yang, Z.; Chua, C.; Northrup, J.; Johnson, N.M.; Spiberg, P.; Brown, R.G.W.; Ivantsov, V.; Syrkin, A.; Shapovalov, L.; Usikov, A.
In: 2010, Bd. 7, S. 1814-1816, unter URL: https://dx.doi.org/10.1002/pssc.200983557, unter URL: 10.1002/pssc.200983557
Lasing of semi-polar InGaN/GaN(1122) heterostructures grown on m-plane sapphire substrates
Strittmatter, A.; Teepe, M.; Knollenberg, C.; Yang, Z.; Chua, C.; Johnson, N.M.; Spiberg, P.; Ivantsov, V.; Syrkin, A.; Shapovalov, L.; Usikov, A.
In: 2010, Bd. 7616, unter URL: https://dx.doi.org/10.1117/12.842177, unter URL: 10.1117/12.842177
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Nitride laser diodes with nonepitaxial cladding layers
Cheng, B.; Chua, C.L.; Yang, Z.; Teepe, M.; Knollenberg, C.; Strittmatter, A.; Johnson, N.
In: 2010, Bd. 22, S. 329-331, unter URL: https://dx.doi.org/10.1109/LPT.2009.2039564, unter URL: 10.1109/LPT.2009.2039564
Structural characterization of thick (112Ì¿2) GaN layers grown by HVPE on m-plane sapphire
Usikov, A.; Soukhoveev, V.; Shapovalov, L.; Syrkin, A.; Ivantsov, V.; Scanlan, B.; Nikiforov, A.; Strittmatter, A.; Johnson, N.; Zheng, J.-G.; Spiberg, P.; El-Ghoroury, H.
In: 2010, Bd. 207, S. 1295-1298, unter URL: https://dx.doi.org/10.1002/pssa.200983655, unter URL: 10.1002/pssa.200983655
Large internal dipole moment in InGaN/GaN quantum dots
Ostapenko, I.A.; Hönig, G.; Kindel, C.; Rodt, S.; Strittmatter, A.; Hoffmann, A.; Bimberg, D.
In: 2010, Bd. 97, unter URL: https://dx.doi.org/10.1063/1.3477952, unter URL: 10.1063/1.3477952
Atomic Structure of buried InAs sub-monolayer depositions in GaAs
Lenz, A.; Eisele, H.; Becker, J.; Ivanova, L.; Lenz, E.; Luckert, F.; Pötschke, K.; Strittmatter, A.; Pohl, U.W.; Bimberg, D.; Dähne, M.
In: 2010, Bd. 3, unter URL: https://dx.doi.org/10.1143/APEX.3.105602, unter URL: 10.1143/APEX.3.105602
Optical properties of InN grown on templates with controlled surface polarities
Kirste, R.; Wagner, M.R.; Schulze, J.H.; Strittmatter, A.; Collazo, R.; Sitar, Z.; Alevli, M.; Dietz, N.; Hoffmann, A.
In: 2010, Bd. 207, S. 2351-2354, unter URL: https://dx.doi.org/10.1002/pssa.201026086, unter URL: 10.1002/pssa.201026086
Monolithic electro-optically modulated vertical cavity surface emitting laser with 10 Gb/s open-eye operation
Germann, T.D.; Strittmatter, A.; Mutig, A.; Nadtochiy, A.M.; Lott, J.A.; Blokhin, S.A.; Karachinsky, L.Y.; Shchukin, V.A.; Ledentsov, N.N.; Pohl, U.W.; Bimberg, D.
In: 2010, Bd. 7, S. 2552-2554, unter URL: https://dx.doi.org/10.1002/pssc.200983889, unter URL: 10.1002/pssc.200983889
2009
Buchbeitrag
Quantum dot insertions in VCSELs from 840 to 1300 nm: Growth, characterization, and device performance
Ledentsov, N.N.; Lott, J.A.; Shchukin, V.A.; Quast, H.; Hopfer, F.; Fiol, G.; Mutig, A.; Moser, P.; Germann, T.; Strittmatter, A.; Karachinsky, L.Y.; Blokhin, S.A.; Novikov, I.I.; Nadtochi, A.M.; Zakharov, N.D.; Werner, P.; Bimberg, D.
In: 2009, Bd. 7224, unter URL: https://dx.doi.org/10.1117/12.810192, unter URL: 10.1117/12.810192
2008
Buchbeitrag
Phonon interaction in InGaAs/GaAs quantum dots
Werner, S.; Zimmer, P.; Strittmatter, A.; Hoffmann, A.
In: 2008, Bd. 1053, S. 12-16, https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-67649215426&partnerID=40&md5=ae07d1daa1a65b1dc22bd975d6c00c02
Characterisation of an InAs quantum dot semiconductor disk laser
Schlosser, P.; Calvez, S.; Hastie, J.E.; Jin, S.; Germann, T.D.; Strittmatter, A.; Pohl, U.W.; Bimberg, D.; Dawson, M.D.
In: 2008, unter URL: https://dx.doi.org/10.1109/CLEO.2008.4551842, unter URL: 10.1109/CLEO.2008.4551842
High-speed directly and indirectly modulated VCSELs
Hopfer, F.; Mutig, A.; Strittmatter, A.; Fiol, G.; Moser, P.; Bimberg, D.; Shchukin, V.A.; Ledentsov, N.N.; Lott, J.A.; Quast, H.; Kuntz, M.; Mikhrin, S.S.; Krestnikov, I.L.; Livshits, D.A.; Kovsh, A.R.; Bornholdt, C.
In: 2008, unter URL: https://dx.doi.org/10.1109/ICIPRM.2008.4703064, unter URL: 10.1109/ICIPRM.2008.4703064
Quantum-dot semiconductor disk-lasers
Germann, T.D.; Strittmatter, A.; Pohl, J.; Pohl, U.W.; Bimberg, D.; Rautiainen, J.; Guina, M.; Okhotnikov, O.G.
In: 2008, S. 197-198, unter URL: https://dx.doi.org/10.1109/INOW.2008.4634508, unter URL: 10.1016/j.jcrysgro.2008.07.004
Ultrahigh-speed electrooptically-modulated VCSELs: Modeling and experimental results
Shchukin, V.A.; Ledentsov, N.N.; Lott, J.A.; Quast, H.; Hopfer, F.; Karachinsky, L.Ya.; Kuntz, M.; Moser, P.; Mutig, A.; Strittmatter, A.; Kalosha, V.P.; Bimberg, D.
In: 2008, Bd. 6889, unter URL: https://dx.doi.org/10.1117/12.784371, unter URL: 10.1117/12.784371
Origin of the broad lifetime distribution of localized excitons in InGaN/GaN quantum dots
Winkelnkemper, M.; Dworzak, M.; Battel, T.P.; Strittmatter, A.; Hoffmann, A.; Bimberg, D.
In: 2008, Bd. 245, S. 2766-2770, unter URL: https://dx.doi.org/10.1002/pssb.200844129, unter URL: 10.1002/pssb.200844129
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