Prof. Goldhahn

Prof. Dr. rer. nat. habil. Rüdiger Goldhahn
Abteilung Materialphysik
Aktuelle Projekte
- Koordinationschemie von Übergangsmetallen mit Alkinylamidinat-Liganden
Laufzeit: 01.01.2020 - 31.12.2026 - Synthese und Struktur von Polysulfiden
Laufzeit: 01.01.2019 - 31.12.2025 - Wachstum und fundamentale Eigenschaften von Oxiden für elektronische Anwendungen - GraFOx II
Laufzeit: 01.07.2020 - 30.06.2024 - Fortsetzung: Wachstum und fundamentale Eigenschaften von Oxiden für elektronische Anwendungen - GraFOx II
Laufzeit: 01.07.2020 - 30.06.2024
Abgeschlossene Projekte
- Wachstum und fundamentale Eigenschaften von Oxiden für elektronische Anwendungen - GraFOx
Laufzeit: 01.07.2016 - 30.06.2020 - Optische Eigenschaften und Bandstruktur von halbleitenden Metalloxiden
Laufzeit: 01.01.2014 - 31.10.2018 - Photokatalytische Aktivität und Wasserstoffgeneration durch InGaN-Legierungen
Laufzeit: 01.07.2015 - 30.06.2017 - Exzitonen-Feinstruktur und Spin-Austausch-Aufspaltung in AlN und Al-reichen AlGaN-Legierungen mit Wurtzitstruktur
Laufzeit: 01.05.2014 - 28.02.2017 - Exzitonen und Austausch-/Korrelationseffekte in "neuen" Metalloxiden: Die dielektrische Funktion von SnO2 und Cu2O
Laufzeit: 01.03.2013 - 28.02.2014 - Elektronische und optische Eigenschaften von Gruppe-III-Nitriden: Kombinierte theoretische und experimentelle Untersuchungen
Laufzeit: 01.04.2013 - 15.12.2013 - EU Marie-Curie-ITN: Herstellung und grundlegende Eigenschaften von Indiumnitrid und indiumreichen Legierungen (RAINBOW); Teilprojekt (TU Ilmenau): Ellipsometrie an Nitridhalbleitern
Laufzeit: 01.10.2008 - 30.09.2012
2022
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Synthesis and structural characterization of a series of homoleptic firstrow transition metal tris(alkynylamidinates)
In: Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie - Weinheim: Wiley-VCH . - 2022, insges. 26 S.
Delocalization of dark and bright excitons in flat-band materials and the optical properties of V 2O 5
In: npj computational materials - London: Nature Publ. Group, Bd. 8 (2022), insges. 9 S.
Anharmonicity of lattice vibrations in thin film α-Ga 2O 3 investigated by temperature dependent Raman spectroscopy
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 120 (2022), 2, insges. 7 S.
Remote epitaxy of InxGa1-xAs (0 0 1) on graphene covered GaAs(0 0 1) substrates
In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 593 (2022)
Small compound - big colors - synthesis and structural investigation of brightly colored alkaline earth metal 1,3-dimethylviolurates
In: Dalton transactions - London: Soc. . - 2022, insges. 13 S.
Molecular beam epitaxy of single-crystalline bixbyite (In 1 xGax) 2O 3 films (x≤0.18) - structural properties and consequences of compositional inhomogeneity
In: Physical review materials - College Park, MD: APS, Bd. 6 (2021), 3, insges. 11 S., 2022
Enhanced light extraction efficiency of UV LEDs by encapsulation with UV-transparent silicone resin
In: Semiconductor science and technology - Bristol: IOP Publ., Bd. 37 (2022), 6, insges. 6 S.
Nicht begutachteter Zeitschriftenartikel
Delocalization of dark and bright excitons in flat-band materials and the optical properties of V 2O 5
In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2022, insges. 14 S.
2021
Abstract
Free-carrier concentration and many-body effects in cubic Al xGa 1-xN
In: WSE 11 - Linz: Johannes Kepler University Linz, 2021 . - 2021, S. 12
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Optical evidence of many-body effects in the zincblende AlxGa1-xN alloy system
In: Journal of physics / D - Bristol: IOP Publ., Volume 54 (2021), isuue 2, article 025101, 12 Seiten
Bandgap widening and behavior of Raman-active phonon modes of cubic single-crystalline (In,Ga) 2O 3 alloy films
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 119 (2021), 4, insges. 6 S.
Origin of defect luminescence in ultraviolet emitting AlGaN diode structures
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 118 (2021), 20, insges. 6 S.
Selective area growth of cubic gallium nitride on silicon (001) and 3C-silicon carbide (001)
In: AIP Advances - New York, NY: American Inst. of Physics, Bd. 11 (2021), 7, insges. 7 S.
Nicht begutachteter Zeitschriftenartikel
Molecular beam epitaxy of single-crystalline bixbyite (In 1 xGa x) 2O 3 films (x≤0.18) - structural properties and consequences of compositional inhomogeneity
In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2021, insges. 15 S.
2020
Abstract
Impact of high free-carrier concentrations on optical properties of cubic GaN
In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 68.1
Raman-Spectroscopy of corundum-like α-Ga 2O 3 grown by HVPE
In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 72.2
Size-effect of donors on the lattice parameters of wurtzite GaN
In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 68.3
Phonons and free-carrier contributions of spinel ZnGa 2O 4 by spectroscopic ellipsometry
In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 72.4
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Rubidium and cesium enediamide complexes derived from bulky 1,4-diazadienes
In: ACS omega - Washington, DC: ACS Publications, Bd. 5 (2020), 30, S. 19061-19069
Polarization fields in semipolar (2021) and (2021) InGaN light emitting diodes
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Volume 116(2020), Issue 6, Article 062106
The impurity size-effect and phonon deformation potentials in wurtzite GaN
In: Semiconductor science and technology - Bristol: IOP Publ., Volume 35 (2020), issue 9, 9 Seiten
Lattice vibrations and optical properties of α-Ga 2O 3 films grown by halide vapor phase epitaxy
In: Semiconductor science and technology - Bristol: IOP Publ., Volume 35 (2020), issue 9, article 095001, 7 Seiten
2019
Abstract
All-optical determination of free-carrier concentration and composition in cubic GaN and AlGaN
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL24.4
Effective electron mass anisotropy in [alpha]-Ga 2O 3
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL9.2
IR-Vis-UV optical properties of [alpha]-Ga 2O 3 films grown by halide vapor phase epitaxy
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL16.12
Orbital contributions to the electron g-factor in semiconductor nanowires
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL31.6
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Influence of the free-electron concentration on the optical properties of zincblende GaN up to 1×10 20cm -3
In: Physical review materials - College Park, MD: APS, Volume 3 (2019), Issue 10, Article 104603, insgesamt 11 Seiten
Photoluminescence line shape analysis of highly ntype doped zincblende GaN
In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH . - 2019, insges. 5 S.
Anisotropic optical properties of highly doped rutile SnO 2 - valence band contributions to the Burstein-Moss shift
In: APL materials - Melville, NY: AIP Publ., Vol. 7.2019, 2, Art. 022508
Anisotropic phonon properties and effective electron mass in α-Ga 2O 3
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 114.2019, 4, Art. 142102, insgesamt 5 Seiten
Catenated and spirocyclic polychalcogenides from potassium carbonate and elemental chalcogens
In: Chemical communications - Cambridge: Soc., Bd. 55 (2019), 99, S. 14965-14967
2018
Abstract
Plasmonic properties of degenerately Ge-Doped Cubic GaN
In: WSE 10: Workshop Ellipsometry, March 19 - 21, 2018, Chemnitz, Germany : abstract-book - Chemnitz, 2018 . - 2018, S. 36
Revision of the TO phonon frequencies in wurtzite and zincblende GaN
In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018
Ellipsometry of transparent conducting oxides from mid-infrared into vacuum-ultraviolet
In: WSE 10: Workshop Ellipsometry, March 19 - 21, 2018, Chemnitz, Germany : abstract-book - Chemnitz, 2018 . - 2018, S. 40
Characterization of the dielectric function of RScO3 type scandates
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2018, Art. DS 3.10
Structural, optical and electronic properties of single-crystalline (In1-xGax)2O3 thin films in the low-x bixbyite phase end
In: 7th International Symposium Transparent Conductive Materials, E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium Advanced Oxides and Wide Bandgap Semiconductors: 14-19 October 2018, Crete, Greece ; Abstract book - TCM, 2018, 2018, TCM-O45.ID-10, S. 171
Parametric model for the anisotropic dielectric function of m-plane AlGaN up to 20eV
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2018, Art. HL27.10
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Structural, optical, and electrical properties of unintentionally doped NiO layers grown on MgO by plasma-assisted molecular beam epitaxy
In: Journal of applied physics - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 123.2018, 19, Art. 195301, insgesamt 19 S.
Ordinary dielectric function of corundumlike α Ga 2O 3 from 40 meV to 20 eV
In: Physical review materials - College Park, MD: APS, Vol. 2.2018, 4, Art. 044601
Valence band tomography of wurtzite GaN by spectroscopic ellipsometry
In: Applied physics express: APEX - Tokyo: Ōyō Butsuri-Gakkai, Vol. 11.2018, 10, Art. 101001
Anisotropic optical properties of metastable (0112)α Ga2O3 grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
In: Physical review applied - College Park, Md. [u.a.]: American Physical Society, Vol. 10.2018, 2, Art. 024047
Optical properties of In 2O 3 from experiment and first-principles theory - influence of lattice screening
In: New journal of physics - [Bad Honnef]: Dt. Physikalische Ges., Vol. 20.2018, Art. 053016, insgesamt 13 S.
2017
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Band gap of corundumlike α-Ga 2O 3 determined by absorption and ellipsometry determined by absorption and ellipsometry
In: Physical review materials - College Park, MD: APS, Vol. 1.2017, 2, Art. 024604
2016
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Optical properties of the organic-inorganic hybrid perovskite CH3NH3PbI3 - theory and experiment
In: Physical review - Woodbury, NY: Inst., Bd. 94 (2016), 7
Erratum: Many-electron effects on the dielectric function of cubic In 2O 3 - effective electron mass, band nonparabolicity, band gap renormalization, and Burstein-Moss shift
In: Physical review - Woodbury, NY: Inst., Vol. 93.2016, 23, Art. 239905
Many-electron effects on the dielectric function of cubic In 2 O 3 - effective electron mass, band nonparabolicity, band gap renormalization, and Burstein-Moss shift
In: Physical review - Woodbury, NY: Inst., Bd. 93 (2016), 4
Unintentional indium incorporation into barriers of InGaN/GaN multiple quantum wells studied by photoreflectance and photoluminescence excitation spectroscopy
In: Journal of applied physics - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 120.2016, 1, Art. 015703
Stimulated emission via electron-hole plasma recombination in fully strained single InGaN/GaN heterostructures
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 109.2016, 22, Art. 221106
Inversion of absorption anisotropy and bowing of crystal field splitting in wurtzite MgZnO
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 108.2016, 22, Art. 221105, insgesamt 6 S.
2015
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Electroreflectance characterization of AlInGaN/GaN high-electron mobility heterostructures
In: Semiconductor science and technology: devoted exclusively to semiconductor research and applications - Bristol: IOP Publ, Vol. 30.2015, 8, Art. 085014, insgesamt 6 S.
Anisotropic optical properties of semipolar AlGaN layers grown on m-plane sapphire
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 106.2015, 18, Art. 182102, insgesamt 5 S.
Effect of carrier gas in hydride vapor phase epitaxy on optical and structural properties of GaN
In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 252.2015, 5, S. 1180-1188
Strongly transverse-electric-polarized emission from deep ultraviolet AlGaN quantum well light emitting diodes
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 107.2015, 14, Art. 142101, insgesamt 6 S.
Carrier-induced refractive index change observed by a whispering gallery mode shift in GaN microrods
In: New journal of physics - [Bad Honnef]: Dt. Physikalische Ges., Vol. 17.2015, 8, Art. 083047, insgesamt 9 S.
Structural and optical properties of MBE-grown asymmetric cubic GaN/Al x Ga 1- x N double quantum wells
In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 252.2015, 5, S. 873-878
Buchbeitrag
Optical properties and band structure of highly doped gallium nitride
In: Proceedings of SPIE/ SPIE - Bellingham, Wash.: SPIE, Vol. 9363.2015, Art. 93630G
Habilitation
Untersuchungen des Kornwachstums nanokristalliner Materialien durch Computersimulationen und analytische Theorien
In: Magdeburg Univ., Fak. für Naturwiss., Habil.-Schr., 2015, 70 S., graph. Darst., 30 cm
2014
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Anisotropy of the electron effective mass in rutile SnO2 determined by infrared ellipsometry
In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / A, Bd. 211.2014, 1, S. 82-86
Band gap renormalization and Burstein-Moss effect in silicon- and germanium-doped wurtzite GaN up to 1020 cm-3
In: Physical review. - College Park, Md : APSPhysical review / B; Vol. 90.2014, 7, Art. 075203, insgesamt 10 S.
Optical properties of magnesium doped Al x Ga1 x N (0.61 ≤ x ≤ 0.73)
In: Journal of applied physics. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 114.2014, Art. 143103, insgesamt 8 S.
Ordinary and extraordinary dielectric functions of rutile SnO2 up to 20 eV
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 104.2014, Art. 231106, insgesamt 5 S.
Temperature dependent dielectric function and reflectivity spectra of nonpolar wurtzite AlN
In: Thin solid films: international journal on the science and technology of condensed matter films - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, 1967, Vol. 571.2014, part 3, S. 502-595
Polarization of photoluminescence emission from semi-polar (1122) AlGaN layers
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 104.2014, 5, Art. 051906
2013
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Impact of AlN Spacer on metalsemiconductormetal PtInAlGaN/GaN heterostructures for ultraviolet detection
In: Japanese journal of applied physics. - Tokyo : Inst. of Pure and Applied Physics; Vol. 52.2013, Art. 08jk04, insgesamt 4 S.
Anisotropic absorption and emission of bulk (1-100) AlN
In: Physical review. - College Park, Md : APSPhysical review / B; Vol. 87.2012, 23, Art. 235209, insgesamt 9 S., 2013
Anisotropy of effective electron masses in highly doped nonpolar GaN
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, 23, Art. 232104, insgesamt 5 S.
Negative spin-exchange splitting in the exciton fine structure of AlN
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 102.2013, 5, Art. 052112, insgesamt 4 S.
N-type conductivity and properties of carbon-doped InN(0001) films grown by molecular beam epitaxy
In: Journal of applied physics - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 113 (2013), 3, S. 033501, insges. 11 S.
Transition energies and direct-indirect band gap crossing in zinc-blende Al_{x}Ga_{1 x}N
In: Physical review. - College Park, Md : APSPhysical review / B; Vol. 87.2013, 19, Art. 195210, insgesamt 21 S.
Multivalence-band calculation of the excitonic dielectric function for hexagonal GaN
In: Journal of physics / Condensed matter - Bristol: IOP Publ., Bd. 25 (2013), 17
Direct determination of the silicon donor ionization energy in homoepitaxial AlN from photoluminescence two-electron transitions
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, 12, Art. 122105, insgesamt 5 S.
Excitonic recombination in epitaxial lateral overgrown AlN on sapphire
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, 21, Art. 212108, insgesamt 5 S.
Systematic optical characterization of two-dimensional electron gases in InAlN/GaN-based heterostructures with different in content
In: Japanese journal of applied physics - Bristol: IOP Publ, Vol. 52.2013, Art. 08jk02, insgesamt 4 S.
Ge as a surfactant in metal-organic vapor phase epitaxy growth of a-plane GaN exceeding carrier concentrations of 10 20 cm -3
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, Art. 012103, insgesamt 4 S.
Habilitation
Hochauflösende Emissions- und Absorptionsspektroskopie an Halbleitern mit großer Bandlücke
In: Magdeburg, Univ., Fak. für Naturwiss., Habil.-Schr., 2013, II, 49 S., graph. Darst., 30 cm
2012
Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Growth of AlInN/AlGaN distributed Bragg reflectors for high quality microcavities
In: Physica status solidi: pss: pss - Berlin: Wiley-VCH, 2002, Bd. 9.2012, 5, S. 1253-1258
Optical properties of cubic GaN from 1 to 20 eV
In: Physical review / B - College Park, Md.: APS, 85.2012, 15, Art. 155207, insgesamt 7 S.
Growth studies on quaternary AlInGaN layers for HEMT application
In: Journal of electronic materials: a joint publication of The Minerals, Metals & Materials Society and the Institute of Electrical and Electronics Engineers - Warrendale, Pa.: TMS, Bd. 41 (2012), 5, S. 905-909
Luminescence from two-dimensional electron gases in InAlN/GaN heterostructures with different In content
In: Applied physics letters. - Melville, NY : AIP, Bd. 100.2012, 21, insges. 4 S.
Luminescence from two-dimensional electron gases in InAlN/GaN heterostructures with different In content
In: Applied physics letters. - Melville, NY : AIP, Bd. 100.2012, 21, insges. 4 S.
Optical anisotropy of a-plane Al0.8In0.2N grown on an a-plane GaN pseudosubstrate
In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / A, Bd. 209.2012, 1, S. 29-32
Dielectric function and bowing parameters of InGaN alloys
In: Physica status solidi: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 249 (2012), 3, S. 485-488
2011
Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Sharp bound and free exciton lines from homoepitaxial AlN
In: Physica status solidi / A: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 208.2011, 7, S. 1520-1522
Synchrotron-based photoluminescence excitation spectroscopy applied to investigate the valence band splittings in AlN and Al 0.94Ga 0.06N
In: Applied physics letters - Melville, NY: AIP, 99.2011, 2, Art. 021903, insgesamt 3 S.
Investigation of the excitonic luminescence band of CdTe solar cells by photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy
In: Thin solid films: international journal on the science and technology of condensed matter films - Amsterdam [u.a.] Elsevier, Bd. 519.2011, 21, S. 7173-7175
Phosphorus implanted cadmium telluride solar cells
In: Thin solid films: international journal on the science and technology of condensed matter films - Amsterdam [u.a.] Elsevier, Bd. 519.2011, 21, S. 7153-7155
Growth and characterization of InGaN by RF-MBE
In: Journal of crystal growth / ed. N. Cabrera [u.a.] - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 323 (2011), 1, S. 72-75
Band structure and optical properties of hexagonal In-rich In xAl 1-xN alloys
In: Journal of physics / Condensed matter: a journal recognized by the European Physical Society - Bristol: IOP Publ. Ltd., 23.2011, 47, Art. 475801
Electrical properties of Al xGa 1- xN/GaN heterostructures with low Al content
In: Journal of applied physics / publ. of the American Institute of Physics, AIP. Elmer Hutchisson, ed - Melville, NY: AIP, Bd. 109 (2011), 5, S. 053705, insges. 5 S.
Optical properties of MgZnO alloys - excitons and exciton-phonon complexes
In: Journal of applied physics - Melville, NY: AIP, 110.2011, 1, Art. 013520, insgesamt 8 S.
Interplay of excitonic effects and van Hove singularities in optical spectra: CaO and AlN polymorphs
In: Physical review / B - Ridge, NY: APS, 84.2011, 7, Art. 075218, insgesamt 13 S.
Influence of exciton-phonon coupling and strain on the anisotropic optical response of wurtzite AlN around the band edge
In: Physical review / B - Ridge, NY: APS, 83.2011, 19, Art. 195202, insgesamt 7 S.
Dielectric function and optical properties of quaternary AlInGaN alloys
In: Journal of applied physics - Melville, NY: AIP, 110.2011, 1, Art. 013102, insgesamt 9 S.
Dielectric function of Al-rich AlInN in the range 1 - 18 eV
In: Physica status solidi / A: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 208.2011, 7, S. 1517-1519
Optical anisotropy of a-plane Al0.8In0.2N grown on an a-plane GaN pseudosubstrate
In: Physica status solidi / A - Weinheim: Wiley-VCH, insges. 4 S., 2011
2010
Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Structural characterization of sputtered indium oxide films deposited at room temperature
In: Thin solid films . - Amsterdam [u.a.] Elsevier, Bd. 518.2010, 16, S. 4508-4511
Comprehensive photoluminescence study of chlorine activated polycrystalline cadmium telluride layers
In: Journal of applied physics / publ. of the American Institute of Physics, AIP. Elmer Hutchisson, ed - Melville, NY: AIP, Bd. 108.2010, 12, S. 124503, insges. 8 S.
Influence of the surface potential on electrical properties of Al x Ga1-x N/GaN heterostructures with different Al-content - effect of growth method
In: Journal of applied physics . - Melville, NY : AIP, Bd. 107.2010, 5, insges. 5 S.
Valence-band splitting and optical anisotropy of AlN
In: Physica status solidi . - Weinheim : Wiley-VCH, insges. 4 S.
Dielectric function and optical properties of Al-rich AlInN alloys pseudomorphically grown on GaN
In: Journal of physics / Institute of Physics ; Institute of Metals ; Institution of Metallurgists - Bristol: IOP Publ., Bd. 43 (2010), 36, S. 365102, insges. 10 S.
Optical properties of InN grown on Si(111) substrate
In: Physica status solidi: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 207 (2010), 5, S. 1066-1069
Optical anisotropy of A- and M-plane InN grown on free-standing GaN substrates
In: Physica status solidi / A - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 207 (2010), 5, S. 1062-1065
MBE growth of cubic AlN on 3C-SiC substrate
In: Physica status solidi . - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 207.2010, 6, S. 1365-1368
Originalartikel in begutachteter zeitschriftenartiger Reihe
Growth of atomically smooth cubic AlN by molecular beam epitaxy
In: Physica status solidi . - Berlin : Wiley-VCH, Bd. 7.2010, 1, S. 17-20
Development of rugged 2 GHz power bars delivering more than 100 W and 60% power added efficiency
In: Physica status solidi: pss - Berlin: Wiley-VCH, 2002, Bd. 7 (2010), 10, S. 2398-2403
2009
Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Influence of anisotropic strain on excitonic transitions in a-plane GaN films
In: Microelectronics journal - Oxford: Elsevier Advanced Technology, Bd. 40 (2009), 2, S. 322-324
2007
Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Modulation spectroscopy of AlGaN/GaN heterostructures - the influence of electron-hole interaction
In: Physica status solidi: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 204 (2007), 2, S. 447-458
2006
Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Electroreflectance spectroscopy of Pt/AlGaN/GaN heterostructures exposed to gaseous hydrogen
In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 88 (2006), 2, S. 024101, insges. 3 S.
Influence of excitons and electric fields on the dielectric function of GaN: theory and experiment
In: Physical review / B - College Park, Md.: APS, Bd. 74 (2006), 12, S. 125207, insges. 10 S.
2004
Begutachteter Zeitschriftenartikel
Temperature dependence of the built-in electric field strength of AlGaN/GaN heterostructures on Si(111) substrate
In: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, Vol. 36, Issue 4-6, S. 693--700, 2004, 10.1016/j.spmi.2004.09.025
- Prof. Donat J. As, Universität Paderborn
- Prof. Martin Eickhoff, Universität Bremen
- Prof. Norbert Esser, Leibniz-Institut für Analytische Wissenschaften Berlin
- Dr. Sudhir Kumar, M.J.P. Rohilkhand University Bareilly, Appl. Phys. Dept., India
- Prof. Matthias Bickermann, Leibniz-Institut für Kristallzüchtung Berlin
- Dr. Z. Galazka, Leibniz-Institut für Kristallzüchtung Berlin
- Prof. S. Fischer, Humboldt-Universität zu Berlin
- Leibniz-Institut für Kristallzüchtung Berlin
- Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik
- Humboldt-Universität zu Berlin
- Fritz-Haber-Institut Berlin
- Prof. M. Grundmann, Universität Leipzig
- TU Berlin
- Ferdinand-Braun-Institut - Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
- Optische Prozesse in Halbleitern und niederdimensionalen Halbleiterheterostrukturen basierend auf Verbindungshalbleitern
- Neuartige Materialien für die Elektronik, Optoelektronik und Sensorik (Nitride, Arsenide, Metalloxide)
- Chalkopyrite und Nitride für die Photovoltaik
- Entwicklung und Anwendung hochauflösender Spektroskopiemethoden unter Verwendung von Synchrotronstrahlung
- Spektroskopische Ellipsometrie vom IR bis VUV
- Elektro-optische Effekte
- Photolumineszenz-Spektroskopie
- Optische Prozesse in Halbleitern und niederdimensionalen Halbleiterheterostrukturen
- Ellipsometrie
- Photolumineszenz
- Neuartige Materialien für die Elektronik, Optoelektronik und Sensorik
- Entwicklung und Anwendung hochauflösender Spektroskopiemethoden unter Verwendung von Synchrotronstrahlung
- Charakterisierung und Vergröberungskinetik fraktaler Phasengrenzen und Grenzflächen in metallischen Legierungen
1981-1986 | Studium an der TH Ilmenau, Fachrichtung Elektronische Bauelemente |
1986 | Diplomarbeit auf dem Gebiet Hableiterphysik, Forschungspreis der TH Ilmenau |
1985-1988 | Forschungsstudium an der TH Ilmenau |
1989 | Dissertation (Promotion A) auf dem Gebiet Halbleiterphysik zum Thema Elektroreflexions-Tiefenprofilanalyse von III-V-Halbleiterschichtstrukturen |
1988-1993 | Wissenschaftlicher Assistent |
1993 | Förderpreis der Deutschen Akademie der Naturforscher - Leopoldina |
1993-1994 | Gastwissenschaftler am Physics Department der Universität Nottingham |
1994-2010 | Wissenschaftlicher Mitarbeiter am Institut für Physik der TU Ilmenau, Leiter der Labore für Optische Spektroskopie |
2009 | Habilitation und Ernennung zum Privatdozenten für das Gebiet "Experimentalphysik" |
seit Februar 2010 | W3-Professur für Experimentalphysik/Materialphysik an der Otto-von-Guericke Universität Magdeburg |
seit Februar 2010 | Gastprofessur am Institut für Physik der TU Ilmenau |