Prof. Christen

Prof. Dr. rer. nat. Jürgen Christen

Fakultät für Naturwissenschaften (FNW)
Institut für Physik (IfP)
Gebäude 16, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg, G16-221
Sprechzeiten: Di: 10:00 - 13:00 Uhr; Mi: nach Vereinbarung; Do: 10:00 - 13:00 Uhr
Projekte

Aktuelle Projekte

Planare und Vertikale Homo- und Heteroübergänge für Innovative GaN-basierte Leistungsbauelemente
Laufzeit: 01.01.2022 bis 31.12.2024

Die Entwicklung der Gruppe III-Nitride hat eine neue Ära in der Hochfrequenz- und Hochleistungselektronik eingeleitet. Unter anderem durch den Übergang zu regenerativen Energiequellen und zur Elektromobilitiät werden effizientere, kompaktere und wirtschaftlichere Energiewandlungssysteme benötigt. Das große Potenzial der GaN-Leistungselektronik wird durch eine hohe Baliga Figure of Merit eindrucksvoll belegt.Aktuelles Arbeitspferd ist der laterale AlGaN/GaN-HFET, der bis 600 V kommerzialisiert ist. Im Allgemeinen wird jedoch eine vertikale Bauelementgeometrie aufgrund signifikanter Skalierungsvorteile und verbesserter Isolationseigenschaften bevorzugt. Elektrische Feldstärkespitzen liegen im Volumen, wodurch vertikale Bauelemente weniger anfällig für oberflächenbedingte Durchschläge und parasitäre Effekte wie Current Collapse sind. Vertikale Leistungsbauelemente sind auf 3D-Feldformungs- und Stromführungsstrukturen (Heterostrukturen) angewiesen, um niedrige Leckströme und hohe Durchbruchspannungen zu gewährleisten. Da Dotierstoff-Implantation und -Diffusion in GaN nicht einsetzbar sind, werden Selective-Area Growth (SAG)-Prozesse benötigt. SAG hat bereits vielversprechende Ergebnisse gezeigt, der technologische Reifegrad ist für eine Kommerzialisierung jedoch nicht ausreichend. Problematisch ist die nicht optimale Materialqualität, insbesondere in Bezug auf Kristalldefekte und defektreiche Grenzflächen. Neben den hohen Kosten von nativen GaN-Substraten verhindern mangelnde Kenntnisse von Mikrostruktur und Defekteigenschaften sowie unausgereifte Herstellungsprozesse die Entwicklung konkurrenzfähiger vertikaler GaN-Bauelemente.In diesem Projekt wird eine systematische Analyse von Wachstums- und Prozess-bedingten Defekten und der mikroskopischen Eigenschaften von p-n-Übergängen und Heteroübergängen durchgeführt. Die Compound Semiconductor Technology (CST, RWTH Aachen) wird SAG-Prozesse einsetzen, um planare und vertikale p-n-Übergänge und Heteroübergänge in spezifischen Teststrukturen zu implementieren. Die Halbleiterphysik (OvGU Magdeburg) wird auf dieser Basis detaillierte mikro- und nanoskopische Studien mittels (Raster-)Transmissions-elektronenmikroskopie ((S)TEM), Kathodolumineszenz (STEM-CL)-Spektroskopie, "elektronen-strahlinduziertem Strom" (STEM-EBIC)-Messungen sowie Time-of-Flight-Analysen durchführen, um Defekte zu identifizieren, Ladungsträger- und Exzitonentransport/-dynamik zu charakterisieren und diese mit elektrischen Daten und Wachstums-/Prozessbedingungen zu verknüpfen. Dies, ergänzt durch physikalische Modellierung, wird ein tieferes Verständnis der Auswirkungen von Defekten und Prozessen auf die makroskopischen Material-, Grenzflächen- und Bauelementeigenschaften erlauben und zu neuen Strategien zur Herstellung von Leistungsbauelementen führen. Schließlich werden verbesserte Junction-Barrier-Schottky-Dioden (JBS), Vertical-Channel-Junction-FET (vc-JFET) oder Current-Aperture-Vertical-Electron-Transistoren (CAVET) demonstriert.

Projekt im Forschungsportal ansehen

Abgeschlossene Projekte

Elektron-Phonon Wechselwirkung in Halbleiter Nanostrukturen
Laufzeit: 01.01.2016 bis 31.12.2019

Als zentrale Fragestellung wird die Elektron-Phonon Wechselwirkung, hauptsächlich in Nitrid-Einzelquanten-punkten, untersucht.Dazu werden nanoskopische Methoden wie spitzenverstärkte Ramanspektroskopie, Kathodolumineszenz-Spekroskopie imTransmissionselektronenmikroskop, örtlich- und zeitaufgelöste Photo- und Kathodolumineszenzspektroskopie in Verbindung mitKreuz- und Autokorrelation Experimenten ausgenutzt. Diese einmalige Kombination von hochentwickelten spektroskopischenMethoden ermöglicht es uns, die Elektron-Phonon Wechselwirkung mit einer örtlichen Auflösung besser als 20 nm (5 nm)nachzuweisen. Als Anwendungspotenzial werden Nitrid-Raumtemperatur-Einzelphotonenemitter und Laser im ultravioletten
Spektralgebiet charakterisiert.

Projekt im Forschungsportal ansehen

Integriertes Graduiertenkolleg "School of Nanophotonics" (MGK)
Laufzeit: 01.01.2016 bis 31.12.2019

Ziel des integrierten Graduiertenkollegs (iGRK) "School of Nanophotonics" des Sonderforschungsbereichs SFB 787 ist, dieEntwicklung junger Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler zu fördern. Der SFB 787 bietet einerseits mit den exzellenten Forschungsprojekten eine passende Umgebung, um eine tiefgehende fachliche Ausbildung der Doktorandinnen undDoktoranden zu gewährleisten, andererseits bietet das iGRK eine Struktur für überfachliche Angebote zur professionellenWeiterbildung. Das iGRK fördert die wissenschaftliche Unabhängigkeit und internationale Sichtbarkeit seiner Mitglieder sowie den wissenschaftlichen Austausch untereinander.

Projekt im Forschungsportal ansehen

Nitrid-basierte Einzelphotonenquellen mit optischen Resonatoren
Laufzeit: 01.01.2016 bis 31.12.2019

Im Fokus dieses Teilprojektes stehen blau und UV emittierende GaN-basierte VCSEL-Strukturen. Mit einer analogenepitaktischen Schichtfolge können durch Adaption des photonic crystal bandgap (PBC) Konzepts hochbrillante Kantenlaserrealisiert werden. Insbesondere die große Bandlücke und hohe Exzitonenbindungs-energie in GaN eröffnen neue Perspektivenfür starke Licht-Materie-Kopplung, Polaritonen-Laser, Bose-Einstein-Kondensation und insbesondere Einzel- verschränktePhotonenemission bei Raumtemperatur. Die in GaAs bereits erfolgreich realisierten Konzepte sollen auf die breitbandigen Gruppe-III-Nitride übertragen werden.

Projekt im Forschungsportal ansehen

Mikroskopisches Transportmodell für reale Solarzellenstrukturen: Einfluss struktureller Unordnung und Defekte auf Ladungsträgertransport und -dynamik in CuIn1-xGaxSe2
Laufzeit: 01.08.2015 bis 31.07.2018

Das vorgestellte Projekt hat zum Ziel, die Mikrostruktur in dünnen Schichten des Chalkopyrithalbleiters Cu(In,Ga)Se2aufzuklären und ein Mikrostrukturmodell aufzustellen. Das Mikrostrukturmodell beschreibt die lokalen optoelektronischen Eigenschaften dieses Verbindungshalbleiters, der durch einen hohen Unordnungsgrad charakterisiert ist. Das Mikrostrukturmodell soll verifiziert werden, indem die Ergebnisse im Rahmen des Projektes durchgeführter orts-zeit-spektralaufgelöste Lumineszenzexperimente sowie Ladungstransportexperimente mit der Methode der Finiten-Elemente simuliert werden. Durch die Kombination von Experiment und Simulation soll die Beeinflussung des Ladungsträgertransports durch den Unordnungsgrad des Mischsystems Cu(In,Ga)Se2 eingehend erforscht werden. Die Arbeiten zum Einfluss von Unordnung sind grundlegender Natur und lassen sich auf andere Materialsysteme übertragen.

Projekt im Forschungsportal ansehen

Sonderforschungsbereich 787; Halbleiter-Nanophotonik: Materialien, Modelle, Bauelemente; Teilprojekt A8: GaN basierte 'resonant cavity' Strukturen
Laufzeit: 01.01.2012 bis 31.12.2015

Im Fokus dieses Teilprojektes stehen blau und UV emittierende GaN-basierte VCSEL-Strukturen. Mit einer analogen epitaktischen Schichtfolge können durch Adaption des „photonic crystal bandgap“ (PBC) Konzepts hochbrillante Kantenlaser realisiert werden. Insbesondere die große Bandlücke und hohe Exzitonenbindungsenergie in GaN eröffnen neue Perspektiven für starke Licht-Materie-Kopplung, Polaritonen-Laser, Bose-Einstein-Kondensation und insbesondere Einzel- verschränkte Photonenemission bei Raumtemperatur. Die in GaAs bereits erfolgreich realisierten Konzepte sollen auf die breitbandigen Gruppe-III-Nitride übertragen werden.

Projekt im Forschungsportal ansehen

Materials World Network: Growth of nonpolar and semipolar GaN on Si and sapphire substrates and investigation of optical processes for high efficiency
Laufzeit: 01.11.2012 bis 31.10.2015

The objective of this proposal is to investigate the fundamentals of nonpolar and semipolar GaN growth with the aim of understanding the mechanisms governing defect formation and impurity incorporation as well as processes responsible for radiative recombination. Insight into mechanisms responsible for the defect formation will make it possible to elaborate approaches for reducing defect density and produce the high-optical-quality material for light-emitting diodes and laser diodes with enhanced brightness. The lack of polarization in nonpolar GaN and substantially reduced polarization in semipolar GaN will allow higher recombination efficiencies and eliminate the dependence of emission energy on injection level. The choice of Si and sapphire substrates is motivated by their high quality and wide availability, particularly in the context of cost cutting practices in high brightness LEDs for lighting applications. A multiinstitutional/multidisciplinary program bringing together unique expertise in growth, based at Virginia Commonwealth University, extensive capabilities of precision optical measurements at University of Magdeburg (Germany), and demonstrated experience in theoretical modeling based at University of Montpellier 2 (France) is proposed for understanding the synthesis and properties of transformative nonpolar and semipolar nitride semiconductor structures.

Projekt im Forschungsportal ansehen

DFG- FG 957: Polarcon: Kontrolle der Polarisationsfelder in GaN basierten Lichtemittern: Mikroskopische Korrelation der elektronischen und optischen Eigenschaften mit der kristallinen Realstruktur von Polarisations-Feld-kontrollierten Gruppe-III-Nitriden
Laufzeit: 01.01.2012 bis 31.12.2014

For a detailed understanding of complex semiconductor heterostructures and the physics of devices based on them, a systematic determination and correlation of the structural, chemical, electronic, and optical properties on a micro- or nano-scale is mandatory. Luminescence techniques belong to the most sensitive, non-destructive methods of semiconductor research, and the combination of time-resolved luminescence spectroscopy with the high spatial resolution of a scanning electron microscope, as realized by the technique of cathodoluminescence microscopy, provides a powerful tool for the optical nano-characterization of semiconductors, their heterostructures as well as their interfaces. As part of the research group proposal “Polarization field control in nitride light emitters” we shall correlate the electronic and optical properties of non- and semipolar epitaxial nitride structures on a micro- and nano-scale with the crystalline real structure. Morphological defects like dislocations and – in particular in non-c-axis grown material – stacking faults and spontaneous and piezo-electric polarization fields are the major problems in group-III-nitrides. In ternary and quaternary alloys as well as in their hetero-structures nano-scale fluctuations of stoichiometry and/or interfaces have strong impact on the radiative recombination in light emitters. In close collaboration with the growth projects (UUlm, TUBs, OvG-D, and TUB) and perfectly complementing the experimental techniques by exchange with the TEM, µPL, and µEL project (URgb), we will address these problems.

Projekt im Forschungsportal ansehen

GRACIS "Chemische Gradienten in Cu(In,Ga)(S, Se)2: Ursachen und Konsequenzen"; Teilvorhaben: Lumineszenz Charakterisierung von Cu(In,Ga)(S,Se)2 - mikroskopische (In-)Homogenität, Gradienten, Phasen und Grenzflächen
Laufzeit: 01.07.2009 bis 30.06.2012

Die Herstellungskosten von Solarmodulen mit Absorbern aus Cu(In,Ga)(S,Se)2 (CIS) können durch eine schnellere Abscheidung des CIS-Absorbers und höhere Wirkungsgrade bei vereinfachter Prozessführung weiter gesenkt werden. Eine schnellere Herstellung des Absorbers ist vor allem durch die Kinetik der Bildung der Chalkopyritphase und ausreichend großer Körner limitiert. Beide Prozesse sind entscheidend von der Diffusion von Spezies während des Wachstums abhängig. Höchste Wirkungsgrade von CIS-Solarzellen sind mit einem dreistufigen Verdampfungsprozess zu erreichen. Hierbei bilden sich Gradienten im In/Ga-Verhältnis und eine kupferarme Oberflächenphase aus, die wahrscheinlich essentiell für hohe Wirkungsgrade sind. Die Oberfläche kann sich im Verlauf der Grenzflächenbildung mit dem Puffermaterial noch deutlich verändern. Entscheidend hierbei ist die Diffusion von Kupfer und möglicherweise die Interdiffusion zwischen Absorber und Puffermaterial. Das Gesamtziel des Projektes besteht darin, Gradienten der chemischen Zusammensetzung in CIS-Absorbern in Abhängigkeit der Schichtherstellung und der Ausbildung der Grenzfläche zum Puffermaterial zu analysieren. Darüber hinaus sollen die Ursachen chemischer Gradienten und die unmittelbar damit verbundene Diffusion von Spezies aufgeklärt werden. Andererseits sollen die Konsequenzen dieser Zusammenhänge für das Schichtwachstum, die elektronischen Eigenschaften des Absorbers und Auswirkung auf die Effizienz der Solarzellen verstanden werden. Hieraus werden Strategien zur schnelleren Herstellung von CIS-Absorbern sowie zur effizienten Herstellung von Pufferschichten entwickelt und die damit verbundenen Erkenntnisse der zugrundeliegenden physikalischen Zusammenhänge Produzenten von CIS-Solarmodulen im Rahmen von Industrieworkshops zur Verfügung gestellt werden.

Projekt im Forschungsportal ansehen

BMBF Verbundprojekt: "Effiziente, kostengünstige InGaN-Lichtquellen auf Silizium-Substraten für die Allgemeinbeleuchtung"
Laufzeit: 01.02.2009 bis 30.04.2012

Teilvorhaben: "Mikro-optische und strukturelle Charakterisierung von GaN-auf-Silizium Strukturen und HVPE Wachstum von GaN-auf-Silizium"
Die Arbeiten an der Otto-von-Guericke-Universität beinhalten drei wesentliche Arbeitspakete, welche von 2 Arbeitsgruppen (Prof. Krost, Prof. Christen) gemeinsam bearbeitet werden sollen: Einerseits wird Expertise und Methodik umfangreicher, im Detail aufeinander abgestimmter und sich gegenseitig ergänzender Charkterisierungsmethoden eingebracht, die zugleich auch allen Partnern zur Verfügung gestellt wird. Dies beinhaltet zum einen die detaillierte strukturelle Schicht-charakterisierung mittels röntgenographischer Verfahren wie beispielsweise hochauflösende XRD, grazing incidence diffraction, tiefenaufgelöste Röntgenbeugung, Reflektometrie, wafer-mapping,
hoch-ortsaufgelöste XRD (dx < 1µm), reciprocal space mapping, u.a.. Hierzu stehen neun speziell ausgerüstete Röntgensysteme zur Verfügung (Arbeitsgruppe Krost). Zum anderen werden diese komplenentär ergänzt optische und insbesondere hochortsaufgelöster optische Methoden wie spektral-ortsaufgelöste Raster-µ-Elektrolumineszenz (dx < 1 µm), spektral-ortsaufgelöste Raster- Photolumineszenz (µ-PL: dx < 500 nm, PL-wafer-mapping: 6-Zoll wafer), spektral-orts-zeit-aufgelöste
Kathodolumineszenz (dt < 35 ps, dx < 45nm), (Arbeitsgruppe Christen).

Projekt im Forschungsportal ansehen

Integriertes Graduiertenkolleg Halbleiter-Nanophotonik: Materialien, Modelle, Bauelemente
Laufzeit: 01.01.2008 bis 31.12.2011

Ziel des im SFB 787 integrierten Graduiertenkollegs Halbleiter-Nanophotonik: Materialien, Modelle, Bauelemente ist die besondere Förderung des wissenschaftlichen Nachwuchses durch Kombination der exzellenten Forschungsmöglichkeiten im Rahmen des SFBs mit einer vertieften wissenschaftlichen Ausbildung und strukturierten Promotionsförderung. Das mehrgliedrige Qualifizierungskonzept beruht auf Interdisziplinarität, intensiver Einführung und kontinuierlicher Weiterbildung, Vermittlung von Teamfähigkeit und Schlüsselqualifikationen sowie engen Industriekooperation und nutzt Synergien von Hochschule und externen Forschungseinrichtungen.

Projekt im Forschungsportal ansehen

Lumineszenz Charakterisierung von Cu(In,Ga)(S,Se)2
Laufzeit: 01.01.2008 bis 31.12.2011

Das quaternäre chalkopyridische Halbleitermischsystem Cu(In,Ga)(S,Se)2 (CIS) bildet die Grundlage für die derzeit effizientesten Dünnschicht-Solarzellen mit einem Laborwirkungsgrad um 20 %. Die Produktion von CIS-Solarmodulen im industriellen Maßstab erlangt zunehmende ökonomische Bedeutung. Die effiziente und reproduzierbare Nutzung eines Materials für die Massenproduktion von elektronischen Bauelementen hängt jedoch direkt von der verfügbaren Wissensbasis über dessen strukturelle, chemische und elektronische Eigenschaften ab. Die Arbeiten beinhalten Untersuchungen hinsichtlich der mikroskopischen Charakterisierung, insbesondere der höchst-ortsaufgelösten Analyse der optischen Eigenschaften der CIS-Schichten: Kathodolumineszenz, EBIC/EBIC, µ-Photo-lumineszenz und µ-Elektrolumineszenz sowie LBIC.

Projekt im Forschungsportal ansehen

Sonderforschungsbereich 762; Funktionalität Oxidischer Grenzflächen, Teilprojekt B4: Lateraler Transport in oxidischen Feldeffekt-Strukturen
Laufzeit: 01.01.2008 bis 31.12.2011

Es soll der laterale Transport in Oxid-Heterostrukturen untersucht werden. Durch Korrelation der aus elektrischen Kennlinienfeldern bestimmten Parameter mit mikroskopischen Transporteigenschaften auf µm- (Mikro-Photolumineszenz) und nm- (Katho­do­lumineszenz) Längenskala soll ein konsistentes Ver­ständnis der elektronischen sowie der ambipolaren Transportmechanismen erarbeitet werden. Die charakteristischen Temperatur- und Energieabhängigkeiten ergeben Aufschluss über die zu Grunde liegenden Streumechanismen. Die Transport-Eigen­schaf­ten sollen auf strukturelle (ideale und nicht-ideale) Eigenschaften der Gate-Hetero­struktur und ihrer Grenzfläche, des Kanals und seiner Grenzflächen sowie das Banddiagramm, eingebaute Ver­spannun­gen und Punktdefekte (Dotierung und Defekte) zurückgeführt werden. Die Prototyp-Struktur für die geplanten Untersuchungen ist ein Feldeffekt-Transistor mit isolierendem Gate (MISFET). Der Leitungskanal soll aus ZnO sowie ZnO-basierten Hetero­strukturen in verschiedener kristallographischer Orien­tie­rung, d.h. mit verschiedener Orien­tierung der spontanen Polarisation, bestehen. Neben dem sich an der/den Hetero-Grenz­fläche(n) ausbildenden zwei-dimen­sio­nalen Elektronengas (2DEG) ist die unter dem Gate ver­gra­bene ZnO-Oberfläche selbst ebenfalls von Interesse, da diese, abhängig von ihrer Vor­ge­schichte (Temperatur, Gasatmosphäre), auch einen leitfähigen Kanal darstellen kann. Als Gate-Material sollen verschiedene Oxide ohne elektrische Polarisation (z.B. Al­2O3­), mit spontaner Polari­sa­tion (z.B. MgxZn1-xO) sowie schaltbarer Polarisation (z.B. BaTiO3) untersucht werden. Perspektivisch sollen als Kanalmaterial auch ferromagnetische, halbleitende Oxide eingesetzt werden, um eine grenzflächenbestimmte Struktur mit schaltbaren und gekoppelten ferromagnetischen und ferroelektrischen Eigenschaften zu erhalten.

Projekt im Forschungsportal ansehen

Sonderforschungsbereich 787; Halbleiter-Nanophotonik: Materialien, Modelle, Bauelemente; Teilprojekt C4: GaN-basierte Einzelphotonenemitter und VCSEL
Laufzeit: 01.01.2008 bis 31.12.2011

Ziel der ersten Periode ist das Wachstum von riss- und spannungsfreien InAIN/AlGaN VCSEL-Strukturen. Ausgehend von einem Gruppe-III-basierten unteren und einem Oxidbasierten oberen Bragg-Spiegel soll zunächst ein (InGaN/GaN) MQW mit einem pn-Übergang und einer Tunnelbarriere hergestellt und getestet werden. Neben den grundlegenden Untersuchungen zur Photon-Exziton-Kopplung, dem Purcell-Effekt bzw. der Rabi-Aufspaltung und dem Ausmessen der Dispersion der Kavitäts-Polarisationen sowie deren Bose-Einstein-Kondensation bei Zimmertemperatur sollen hierauf basierende Bauelemente realisiert und charakterisiert werden. Die p-Dotierung hoch-aluminiumreicher AlInN- und AlGaN-Schichten soll untersucht werden, um anschließend auch den oberen Bragg-Spiegel auf Nitrid-Basis herzustellen. GaN-basierte Quantenpunkte für Einzelphotonenemitter sind herzustellen.

Projekt im Forschungsportal ansehen

Mikroskopische Korrelation der elektronischen und optischen Eigenschaften mit der kristallinen Realstruktur von Polarisations-Feld-kontrollierten Gruppe-III-Nitriden
Laufzeit: 01.05.2008 bis 30.04.2011

Für ein umfassendes Verständnis komplexer Halbleiter-Heterostrukturen und der  zugrundeliegenden Physik ist eine systematische Analyse und Korrelation der strukturellen, chemischen, elektronischen und optischen Eigenschaften auf Mikro- bzw. Nanoskala zwingend erforderlich. Lumineszenzuntersuchungen gehören zu den empfindlichsten zerstörungungsfreien Methoden in der Halbleiterforschung. Die Kombination von zeitaufgelöster Spektroskopie mit der hohen Ortsauflösung des Raster-Elektronenmikroskops, wie es durch die Kathodolumineszenz-Mikroskopie realisiert wird, liefert ein potentes Instrumentarium für die optische Nanocharakterisierung von Halbleitern, Heterostrukturen und ihren inneren Grenzflächen. Als Teil des Gruppenantrages Polarisations-Feld-Kontrolle in Nitrid-Licht-Emittern werden wir die elektronischen und optischen Eigenschaften von nicht- bzw. semipolaren Gruppe-III-Nitrid-Strukturen auf Mikro- und Nanoskala mit der kristallinen Realstruktur korrelieren. Morphologische Defekte wie Versetzungen und insbesondere in nicht c-Achsen gewachsenem Material Stapelfehler sowie spontane und piezoelektrische Polarisationsfelder sind die Hauptprobleme in den Gruppe-III-Nitriden. In ternären und quaternären Verbindungen sowie deren Heterostrukturen haben Fluktuationen der Stoichiometrie und/oder Grenzflächen auf Nanometerskale einen entscheidenden Einfluss auf die strahlende Rekombination in Lichtemittern. In enger Zusammenarbeit mit den Epitaxieprojekten (UUlm, TUBs, OvG-D, and TUB) und in optimaler Ergänzung zu den anderen Charakterisierungsmethoden wie TEM, µPL, und µEL im Projekt des Partners URgb werden wir diese Problematik angehen.

Projekt im Forschungsportal ansehen

Untersuchung der strukturellen und optischen Eigenschaften von GaN-Quasi-Substraten
Laufzeit: 01.01.2006 bis 31.12.2009

Das Projekt befasst sich mit der Verbesserung der strukturellen und optischen Eigenschaften von GaN-Quasi-Substraten. Zwei Ansätze werden dabei verfolgt: Zum einen die Optimierung von HVPE Volumenschichten durch die Verwendung von GaN Niedertemperatur Pufferschichten im HVPE Prozess, zur Reduzierung der thermisch induzierten Verspannungen zwischen Substrat und Schicht. Zum anderen das laterale epitaktische Überwachsen von mit SiO2 strukturierten GaN Schichten mittels HVPE, welches zusätzlich eine Reduzierung der Versetzungsdichte bewirkt. Der mögliche Einbau von Störstellen aus den SiO2 Masken soll dabei bestimmt werden. Ebenso der Einfluss der reduzierten Versetzungsdichte auf die optischen Eigenschaften.

Projekt im Forschungsportal ansehen

Verbundprojekt: LED-Module mit primärer Optik für die Anwendung im Automobilbau (MOPO) - Teilvorhaben: Mikro-optische Charakterisierung von LEDs und COB-Modulen
Laufzeit: 01.10.2005 bis 31.03.2009

Ziel des Teilvorhabens ist die Entwicklung und Optimierung eines Chip-On-Board (COB) basierten Leuchtmoduls für die Außenbeleuchtung im Automobilbereich. Beginnend mit der Evaluation der Leuchtdiodenchips über die, die Prozessentwicklung und -optimierung begleitende Mikrocharakterisierung von Chip-Montage sowie Applikation des Lumineszenz-Konvertermaterials, bis hin zur Qualitätssicherung des kompletten COB+Converter-Packages soll ein optimierter Aufbau als Zwischenstufe für die anschließende Komplettierung mit einer monolithisch integrierten Primäroptik entwickelt werden.

Projekt im Forschungsportal ansehen

DFG Schwerpunktprogramm SPP 1032: Gruppe III-Nitride und ihre Heterostrukturen: Wachstum, materialwissenschaftliche Grundlagen und Anwendungen
Laufzeit: 01.01.1997 bis 31.12.2000

Projekt:"Störstellen und Grenzflächendefekte in auf GaN-basierenden Bauelementestrukturen,
untersucht mit elektrischen und photoelektrischen Spektroskopieverfahren"
In zunehmendem Maße verlagert sich die Forschung am Halbleitermaterial GaN auf die Integration des Materials in komplexe Schichtstrukturen. Mit diesen Bemühungen erlangen die Grenzflächen-eigenschaften und die Störstellenstruktur in den einzelnen Schichten eine wachsende Bedeutung. Ziel des vorgesehenen Projekts ist es, auf der Grundlage der bisher vorrangig mit der optischen Admittanzspektroskopie gewonnenen Erkenntnisse zu tiefen Störstellen in GaN-Schichten, elektrisch wirksame Defektzustände und Grenzflächendefekte in Heterostrukturen sowie deren Einfluß auf die Bauelementeeigenschaften nachzuweisen. Die Untersuchung der Grenzflächen erfolgt über die
Spannungs- und Frequenzabhängigkeit der Admittanzspektroskopie im auszubauenden Frequenz-bereich bis zu 30 MHz. Der Störstellennachweis wird vorrangig durch die optische Admittanz-spektroskopie in einem zu erweiternden Spektralbereich von 190nm bis 5µm durchgeführt. Als weitere Meßmethoden werden zusätzlich die thermische Admittanzspektroskopie und die DLTS eingesetzt. Der Einfluß von Defektzuständen auf die Bauelementeeigenschaften soll u.a. an Hand des Frequenzverhaltens, der Spannungsfestigkeit, der photoelektrischen Empfindlichkeit und dem
Auftreten von transienten Speichereffekten nachgewiesen werden.

Projekt im Forschungsportal ansehen

Nachweis tiefer Störstellen un GaN und in GaN-basierten Mischsystemen mit Photokapazitäts-und optischen Admittanzspektroskopie
Laufzeit: 01.01.1997 bis 31.12.1998

Das Halbleitermaterial GaN ist in das Zentrum des wissenschaftlichen und kommerziellen Interesses als Basismaterial für blaue LED- und Laserdioden gerückt. Besonders wichtig für die Eigenschaften dieses Materials, insbesondere für jegliche Bauelementeanwendungen, sind tiefe Störstellen. Ziel unserer Untersuchungen ist es, tiefe Störstellen in der Nähe der Gapmitte im GaN und in GaN-basierten Mischsystemen nachzuweisen und zu charakterisieren. Der Nachweis tiefer Störstellen erfolgt mittels Photokapazitätsmessungen und mit Hilfe der optischen Admittanzspektroskopie. Die gefundenen Störstellen sollen hinsichtlich ihrer optischen Übergangsenergien, ihrer Photoionisationsquerschnitte, sowie deren spektralen Abhängigkeit charakterisiert werden. Die Kinetik dieser Störstellen wird hinsichtlich ihres Umladungsverhaltens, bestehender Ladungs- und metastabiler Zustände, sowie hinsichtlich der Bedingungen zu deren Bildung und Vernichtung untersucht. Weitergehende Messungen erfolgen zudem an GaN-basierten Mischsystemen, wie AlGaN und InGaN und an darauf aufbauenden optoelektronischen Bauelementen.

Projekt im Forschungsportal ansehen

Publikationen

2024

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Origin of the parasitic luminescence of 235 nm UVC LEDs grown on different AlN templates

Hagedorn, Sylvia; Kolbe, Tim; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Netzel, Carsten; Knauer, Arne; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Weyers, Markus

In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 124 (2024), Heft 6, Artikel 063506, insges. 8 S.

2023

Abstract

Advanced cathodoluminescence microscopy of a cascaded InGaN/GaN LED

Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Veit, Peter; Wein, Konstantin; Christen, Jürgen; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André

In: Konferenz: 65th Electronic Materials Conference, Santa Barbara, June 28-30, 2023,, 65th Electronic Materials Conference - Santa Barbara, California : University . - 2023, S. 57, Artikel M07

Abstract

Carrier capture into individual InP quantum dots directly imaged by nanoscale cathodoluminescence microscopy

Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Christen, Jürgen; Veit, Peter; Kernchen, Julie; Schürmann, Hannes; Jetter, Michael; Cutuk, Ana; Michler, Peter

In: Konferenz: 65th Electronic Materials Conference, Santa Barbara, June 28-30, 2023,, 65th Electronic Materials Conference - Santa Barbara, California : University . - 2023, S. 158-159, Artikel jj01

Abstract

(Late news) characterization of the space-charge region of a GaN pn-junction and pin-drift-diode using EBIC and CL

Eisele, Holger; Wein, Konstantin; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Christen, Jürgen; Dadgar, Armin; Berger, Christoph; Strittmatter, André; Debald, Arne; Heuken, Michael; Zweipfennig, Thorsten; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei; Faber, Samuel; Witzigmann, Bernd

In: Konferenz: 65th Electronic Materials Conference, Santa Barbara, June 28-30, 2023,, 65th Electronic Materials Conference - Santa Barbara, California : University . - 2023, S. 116-117, Artikel W04

Abstract

Origin of the parasitic luminescence of 235 nm UVC LEDs grown on MOVPE-AIN and high-tempertatur-annealed AIN templates

Hagedorn, Sylvia; Kolbe, Tim; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Netzle, Carsten; Bertram, Frank; Knauer, Arne; Christen, Jürgen; Weyers, Markus

In: DGKK/DEMBE 2023 - Stuttgart : Universität, S. 85

Abstract

GaN quantum dots in resonant cavity micropillars as deep UV single photon sources

Christen, Jürgen; Schuermann, Hannes; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; August, Olga; Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Gao, Kong; Holmes, Marc; Arakawa, Yasuhiko

In: Konferenz: 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023, ICNS-14 - Fukuoka, Japan . - 2023, Artikel CH13-2

Abstract

Cubic GaN epilayers grown by remote epitaxy on graphene covered 3C-SiC (001)/Si(001) substrates

Littmann, Mario; August, Olga; Harnisch, Karsten; Halle, Thorsten; Bertram, Frank; Christen, Jürgen

In: Konferenz: 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023, ICNS-14 - Fukuoka, Japan . - 2023, Artikel TuP-GR-7

Abstract

Optical an structural characterization of an 'AlInN/GaN-based longitudinal photonic bandgap crystal laser structure

Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen

In: Konferenz: 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023, ICNS-14 - Fukuoka, Japan . - 2023, Artikel CH13-4

Abstract

Epitaxial growth of GaN buffer layers on Si(111) by reactive magnetron sputtering

Borgmann, Ralf; Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Dempewolf, Anja; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Strittmatter, André; Dadgar, Armin

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 7.6

Abstract

Optical Nano-Charakterization of a Cascaded InGaN/GaN LED

Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen

In: Konferenz: 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023, ICNS-14 - Fukuoka, Japan . - 2023, Artikel CH3-2

Abstract

Highly spatially resolved STEM-CL characterization of GaN–based power devices

Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Christen, Jürgen

In: CSW 2023 - Jeju, Korea, S. 96, Artikel TuB3-1

Buchbeitrag

Optical and structural nano-characterization of GaN-based power devices

Christen, Jürgen; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Debald, Arne; Heuken, Michael; Zweipfennig, Thorsten; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei

In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash. : SPIE, Bd. 12421 (2023)

Buchbeitrag

Nano-characterization of a space-charge region in a pn-diode with long drift layer: detailed cathodoluminescence and EBIC correlation

Wein, Konstantin; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Faber, Samuel; Witzigmann, Bernd; Heuken, Michael; Zweipfennig, Thorsten; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei; Debald, Arne

In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash. : SPIE, Bd. 12421 (2023)

Buchbeitrag

Vertical and lateral carrier transport into InP quantum dots of a membrane external-cavity surface-emitting laser structure

Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Veit, Peter; Kernchen, Julie; Christen, Jürgen; Ćutuk, Ana; Jetter, Michael; Michler, Peter

In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash. : SPIE, Bd. 12421 (2023)

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Interaction of catalysts for unitized regenerative fuel cells

Maletzko, Annabelle; Gomez Villa, Eduardo Daniel; Kintzel, Birgit; Fietzek, Harald; Schmidt, Gordon; Christen, Jürgen; Veit, Peter; Kühne, Philipp; Melke, Julia

In: ECS transactions / Electrochemical Society - Pennington, NJ, Bd. 112 (2023), Heft 4, S. 185-197

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Nitride semiconductors

Kneissl, Michael; Christen, Jürgen; Hoffmann, Axel; Monemar, Bo; Wernicke, Tim; Schwarz, Ulrich; Haglund, Åsa; Meneghini, Matteo

In: Physica status solidi. A, Applications and materials science - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 220 (2023), Heft 16, Artikel 2300484

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Sputter epitaxy of AlN and GaN on Si(111)

Dadgar, Armin; Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Strittmatter, André

In: Physica status solidi / A - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 220 (2023), Heft 8, Artikel 2200609, insges. 6 S.

2022

Abstract

Heavily Ge-doped GaN films - properties and applications

Berger, Christoph; Neugebauer, S.; Dadgar, Armin; Schürmann, H.; Bläsing, Jürgen; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Strittmatter, André

In: The proceedings of the Fourteenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XX) - Stuttgart, 2022 . - 2022, S. 112

Abstract

Nanoscale characterization of novel AlGaN/GaN-based nanostructures

Christen, Jürgen; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon

In: 4th International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2022 - Jeju, Korea, 2022 . - 2022

Abstract

Growth of epitaxial GaN by reactive magnetron sputtering

Borgmann, Ralf; Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Dempewolf, Anja; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Schmidt, Gordon

In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin . - 2022, S. 609, Artikel PP 266

Abstract

Sputtering eptiaxy of transition metal nitrides and AlScN

Lüttich, Christoph; Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Dempewolf, Anja; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Strittmatter, André; Dadgar, Armin

In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin . - 2022, S. 599, Artikel PP 256

Abstract

Epitaxy of high quality AlN and AlGaN layers on Si(111) by reactive pulsed sputtering

Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Strittmatter, André; Dadgar, Armin

In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin . - 2022, S. 28, Artikel AT 018

Abstract

Direct probing of the internal electrical field of a pn-GaN-junction

Wein, Konstantin; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Debald, A.; Heuken, M.; Zweipfennig, T.; Kalsich, H.; Vescan, A.

In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin, 2022 . - 2022, S. 33

Abstract

Influence of space-charge region on luminescence in a lateral GaN superjunction

Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Debald, A.; Heuken, M.; Zweipfennig, T.; Kalsich, H.; Vescan, A.

In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin, 2022 . - 2022, S. 291

Abstract

Direct identification of the 2DEG emission of a eterostructure field-effect transistor

Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Debald, A.; Heuken, M.; Zweipfennig, T.; Kalsich, H.; Vescan, A.

In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin . - 2022, S. 140, Artikel AT 022

Abstract

2DEG emission in an AlGaN/GaN HFET

Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Debald, Arne; Heuken, Michael; Zweipfennig, Thorsten; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei

In: The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022) - Taoyuan, 2022 . - 2022

Abstract

Optical nano-characterization of a lateral GaN superjunction

Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Debald, Arne; Heuken, Michael; Zweipfennig, Thorsten; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei

In: The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022) - Taoyuan, 2022 . - 2022

Abstract

Laser-assisted local eptiaxy of ///-V compound semiconductors

Trippel, Max; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Strittmatter, André

In: The proceedings of the Fourteenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XX) - Stuttgart, 2022 . - 2022

Abstract

Influence of space-charge region on luminescence in lateral GaN superjunction

Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Debald, A.; Heuken, M.; Zweipfennig, T.; Kalisch, H.; Vescan, A.

In: The proceedings of the Fourteenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XX) - Stuttgart, 2022 . - 2022, S. 85

Abstract

Nano-characterization of structural and optical properties of an AlGaN/GaN HFET - direct identification of 2DEG emission

Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Debald, Arne; Heuken, Michael; Zweipfennig, Thorsten; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei

In: The proceedings of the Fourteenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XX) - Stuttgart, 2022 . - 2022, S. 35

Abstract

GaN quantum dots in vertical resonant cavity structure

Schürmann, Hannes; Berger, Christoph; Kang, Gao; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Holmes, Mark; Christen, Jürgen

In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin, 2022 . - 2022, S. 720

Abstract

Influence of space-charge region on luminescence in a lateral GaN superjunction

Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Debald, Arne; Heuken, Michael; Zweipfennig, Thorsten; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022

Abstract

Growth of epitaxial GaN by reactive magnetron sputtering

Borgmann, Ralf; Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Dempewolf, Anja; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Schmidt, Gordon

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022

Abstract

Metal micro-contacts deposited by focused electron and ion beam - impact on electrical properties

Wein, Konstantin; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Petzold, Silke; Veit, Peter; Berger, Christoph; Strittmatter, André; Christen, Jürgen

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022

Buchbeitrag

Sputter epitaxy of AlN and GaN on Si for device applications

Dadgar, Armin; Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Lüttich, Christopher; Bläsing, Jürgen; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Strittmatter, André

In: Konferenz: 2022 Compound Semiconductor Week, CSW, Ann Arbor, MI, USA, 01-03 June 2022, 2022 Compound Semiconductor Week (CSW) - Piscataway, NJ: IEEE . - 2022

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Defect characterization of heavy ion irradiated AllnN/GaN on Si high-electron-mobility transistors

Challa, S. R.; Witte, Hartmut; Schmidt, Gordon; Bläsing, Jürgen; Vega, N.; Kristukat, C.; Müller, N. A.; Debray, M. E.; Christen, J.; Dadgar, A.; Strittmatter, André

In: Journal of physics / D - Bristol : IOP Publ., Bd. 55 (2022), Heft 11, Artikel 115107, insges. 7 S.

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Desorption induced formation of low-density GaN quantum dots - nanoscale correlation of structural and optical properties

Schürmann, Hannes; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Berger, Christoph; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen

In: Journal of physics / D - Bristol : IOP Publ., Bd. 55 (2022), Heft 14, Artikel 145102, insges. 7 S.

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Highly reflective and conductive AlInN/GaN distributed Bragg reflectors realized by Ge-doping

Seneza, Cleophace; Berger, Christoph; Sana, Prabha; Witte, Hartmut; Bläsing, Jürgen; Dempewolf, Anja; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André

In: Japanese journal of applied physics - Bristol: IOP Publ., Bd. 61 (2022), 1, insges. 7 S.

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Laser-assisted local metalorganic vapor phase epitaxy

Trippel, Max; Bläsing, Jürgen; Wieneke, Matthias; Dadgar, Armin; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Strittmatter, André

In: Review of scientific instruments - [S.l.]: American Institute of Physics, Bd. 93 (2022), insges. 14 S.

Artikel in Kongressband

MOVPE-grown optoelectronic devices with GaN:Mg/GaN:Ge tunnel junctions

Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Schmidt, Gordon; Schürmann, Hannes; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Strittmatter, André

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG . - 2022

2021

Abstract

Characteristic emission from quantum dot-like intersection nodes of dislocations in GaN

Shapenkov, S. V.; Vyvenko, O. F.; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Christen, Jürgen

In: Journal of physics / Conference Series - Bristol: IOP Publ., 2004, Bd. 1851 (2021)

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Demonstration of lateral epitaxial growth of AlN on Si (1 1 1) at low temperatures by pulsed reactive sputter epitaxy

Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Strittmatter, André; Dadgar, Armin

In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 571 (2021), insges. 4 S.

2020

Abstract

Highly reflective and conductive AlInN/GaN distributed Bragg reflectors realized by Ge-doping

Seneza, Cleophace; Berger, Christoph; Witte, Hartmut; Bläsing, Jürgen; Dempewolf, Anja; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André

In: DPG-Frühjahrstagung: Dresden, 15. - 20. März 2020 - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 30.27[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Dresden, 15. - 20. März 2020]

Buchbeitrag

Nitride microcavities and single quantum dots for classical and non-classical light emitters

Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Bertram, Frank; Veit, P.; Metzner, Susanne; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Jagsch, S. T.; Wagner, M. R.; Hoffmann, A.

In: Semiconductor Nanophotonics: Materials, Models, and Devices - Cham: Springer International Publishing, 2020; Kneissl, Michael . - 2020, S. 453-504 - (Springer series in solid-state sciences; 194)

Buchbeitrag

Optical and structural properties of nitride based nanostructures

Bertram, Frank; Berger, Christoph; Christen, Jürgen; Eisele, Holger; Greif, Ludwig A. Th.; Hoffmann, Axel; Maultzsch, Janina; Müller, Marcus; Poliani, Emanuele; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Wagner, Markus R.

In: Semiconductor Nanophotonics: Materials, Models, and Devices - Cham: Springer International Publishing, 2020; Kneissl, Michael . - 2020, S. 135-201 - (Springer series in solid-state sciences; 194)

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Individually resolved luminescence from closely stacked GaN/AlN quantum wells

Sheng, Bowen; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Veit, Peter; Wang, Yixin; Wang, Tao; Rong, Xin; Chen, Zhaoying; Wang, Ping; Bläsing, Jürgen; Miyake, Hideto; Li, Hongwei; Guo, Shiping; Qin, Zhixin; Strittmatter, André; Shen, Bo; Christen, Jürgen; Wang, Xinqiang

In: Photonics research - Washington, DC : OSA, Bd. 8 (2020), Heft 4, S. 610-615

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Cathodoluminescence nano-characterization of individual GaN/AlN quantum disks embedded in nanowires

Sheng, Bowen; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Müller, Marcus; Wang, Ping; Sun, Xiaoxiao; Qin, Zhixin; Shen, Bo; Wang, Xinqiang; Christen, Jürgen

In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics - Volume 117(2020), article 133106, 6 Seiten

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Color-tunable 3D InGaN/GaN multi-quantum-well light-emitting-diode based on microfacet emission and programmable driving power supply

Wang, Lai; Wang, Xun; Bertram, Frank; Sheng, Bowen; Hao, Zhibiao; Luo, Yi; Sun, Changzheng; Xiong, Bing; Han, Yanjun; Wang, Jian; Li, Hongtao; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Wang, Xinqiang

In: Advanced optical materials - Weinheim: Wiley-VCH . - 2020[Online first]

2019

Abstract

Characterization of 3D semiconductor nanostructures using ultra-high-resolution STEM-CL

Christen, Jürgen; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Veit, Peter

In: EUROMAT 2019 - European Congress and Exhibition on Advanced Materials and Processes: 1-5 September 2019, Stockholm, Sweden ; abstract book - Stockholm, S. 108

Abstract

Nanoscale structural and optical properties of deep UV-emitting GaN/AlN quantum well stack

Sheng, B.; Wang, Y.; Rong, X.; Chen, Z.; Wang, T.; Wang, P.; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Miyake, H.; Li, H.; Qin, Z.; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Shen, B.; Wang, X.

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2019, Art. HL31.7[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]

Abstract

Study of heavy-ion irradiation induced degradation on AlInN/GaN on Si High-Electron-Mobility Transistors (HEMTS)

Challa, Seshagiri Rao; Vega, N.; Kristukat, C.; Müller, N.; Debray, M.; Schmidt, Gordon; Christen, Jürgen; Hörich, Florian; Witte, Hartmut; Dadgar, Armin; Strittmatter, André

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2019, Art. HL2.8[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]

Abstract

Self-organized GaN quantum dots grown on a wavelength-matched deep UV AlN/AlGaN distributed Bragg reflector

Schürmann, Hannes; Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Kalinowski, S.; Jagsch, S. T.; Callsen, G.; Wagner, M. R.; Hoffmann, A.

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL13.4[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]

Abstract

AlGaN-based deep UV LEDs grown on high temperature annealed epitaxially laterally overgrown AlN/sapphire

Susilo, N.; Ziffer, E.; Cancellara, L.; Metzner, Sebastian; Belde, B.; Bertram, Frank; Walde, S.; Sulmoni, L.; Guttmann, M.; Wernicke, T.; Christen, Jürgen; Albrecht, M.; Weyers, M.; Kneisel, M.

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2019, Art. HL2.11[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]

Abstract

Small-area current injection in GaN-based light emitters with tunnel junctions

Berger, Christoph; Neugebauer, Silvio; Seneza, Cleophace; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, Andrée-Woo

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL2.5[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]

Abstract

1D photonic bandgap structures for high-power GaN/InGaN laser divices

Sana, Prabha; Berger, Christoph; Schmidt, Marc-Peter; Schmidt, Gordon; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Deckert, M.; Witte, Hartmut; Christen, Jürgen; Strittmatter, André

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL36.10[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]

Abstract

Highly conductive Ge doped InAIN/GaN perodic stacks: structural and electrical properties

Sana, Prabha; Berger, Christoph; Witte, Hartmut; Dabrowski, J.; Schmidt, Marc-Peter; Metzner, Sebastian; Bläsing, Jürgen; Neugebauer, Silvio; Dempewolf, Anja; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André

In: Workshop der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung DGKK - Dresden . - 2019

Abstract

Lattice matched InAIN/GaN 1D photonic band gap crystral (PBC) structures for single mode high-power laser diodes

Sana, Prabha; Berger, Christoph; Schmidt, Marc-Peter; Schmidt, Gordon; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Witte, Hartmut; Christen, Jürgen; Strittmatter, André

In: Konferenz: 13th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-13, Washington, July 7-12, 2019, 13th International Conference on Nitride Semiconductors - Washington . - 2019

Abstract

Growth of desorption-induced GaN quantum-dots

Berger, Christoph; Schmidt, Gordon; Schürmann, Hannes; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André; Kalinoswki, S.; Jagsch, S. T.; Callsen, G.; Wagner, M. R.; Hoffmann, A.

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL13.3[Tagung: DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, 31. März - 05. April 2019]

Abstract

Characterization of 3D semiconductor nanostructures using ultra-high-resolution STEM-CL at He-temperatures

Christen, Jürgen

In: SFU spezial seminar 2019: Vancouver, Canada, July, 23, 2019 - Vancouver: Simon Fraser University Department of Physics[Seminar: SFU spezial seminar 2019, Vancouver, Canada, July, 23, 2019]

Abstract

Nanoscale cathodoluminescence of an InGaN single quantum well intersected by individual dislocations

Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Metzner, Sebastian; Berger, Christoph; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen

In: Konferenz: 18th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, DRIP XVIII, Berlin, September, 8-12, 2019, Microscopy and microanalysis - New York, NY : Cambridge University Press, Bd. 22 (2019), S. 602-603

Buchbeitrag

Nanometer scale cathodoluminescence of GaN quantum-dots on a wavelength-matched deep-UV distributed Bragg reflector (conference presentation)

Schuermann, Hannes; Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Kalinowski, Stefan; Callsen, Gordon; Jagsch, Stefan; Wagner, Markus; Hoffmann, Axel

In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash.: SPIE, 1963, Volume 10929 (2019)

Buchbeitrag

Probing the homogeneity of an In-rich InGaN layer by nanoscale cathodoluminescence

Sheng, B.; Zheng, X.; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Wang, P.; Bertram, Frank; Chen, Z.; Christen, Jürgen; Shen, B.; Wang, X.

In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash. : SPIE - Volume 10918 (2019), article 109180L

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Nanoscale mapping of carrier recombination in GaAs/AlGaAs core-multishell nanowires by cathodoluminescence imaging in a scanning transmission electron microscope

Müller, Marcus; Bertram, Frank; Veit, Peter; Loitsch, Bernhard; Winnerl, Julia; Matich, Sonja; Finley, Jonathan J.; Koblmüller, Gregor; Christen, Jürgen

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Volume 115, issue 24 (2019), article 243102

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Ordered arrays of defect-free GaN nanocolumns with very narrow excitonic emission line width

Fernando-Saavedra, A.; Albert, S.; Bengoechea-Encabo, A.; Lopez-Romero, D.; Niehle, M.; Metzner, Sebastian; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Sánchez-García, M. A.; Trampert, A.; Christen, Jürgen; Calleja, E.

In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.] : Elsevier - Volume 525 (2019), article 125189

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Intensive luminescence from a thick, indium-rich In0.7Ga0.3N film

Sheng, Bowen; Bertram, Frank; Zheng, Xiantong; Wang, Ping; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Chen, Zhaoying; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Shen, Bo; Wang, Xinqiang

In: Japanese journal of applied physics - Bristol: IOP Publ., Volume 58, issue 6 (2019), article 065503, insgesamt 6 Seiten

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Outstanding reliability of heavy ion irradiated AlInN/GaN on silicon HFETs

Vega, Nahuel A.; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Challa, Seshagiri Rao; Ferreyra, Romualdo A.; Kristukat, Christian; Muller, Nahuel A.; Debray, Mario E.; Schmidt, Gordon; Witte, Hartmut; Christen, Jürgen

In: IEEE transactions on nuclear science : a publication of the IEEE Nuclear and Plasma Sciences Society / Institute of Electrical and Electronics Engineers - New York, NY : IEEE, Bd. 66.2019, 12, S. 2417-2421

Dissertation

Untersuchungen von Inhomogenitäten und kompositionellen Gradienten in Cu(In, Ga)Se2 mittels hoch orts-, hoch spektral- und hoch zeitaufgelöster Kathodolumineszenz

Müller, Mathias; Christen, Jürgen

In: Magdeburg, Dissertation Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Fakultät für Naturwissenschaften 2019, 115 Seiten [Literaturverzeichnis: Seite 103-114]

2018

Abstract

Heavy-ion induced effects on AlInN/GaN on Si High- Electron-Mobility Transistors (HEMTs)

Challa, Seshagiri Rao; Vega, N.; Kristukat, Ch.; Debrey, M. E.; Schmidt, Gordon; Hörich, Florian; Witte, Kerstin; Christen, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André

In: 9th Wide Band Gap Semiconductor and Components Workshop: 8-9th October 2018, ECSAT, Harwell, UK - Noordwijk: ESA-ESTEC, 2018, 2018, Devises 2[Workshop: 9th Wide Band Gap Semiconductor and Components Workshop, Harwell, UK, 8 - 9 October 2018]

Abstract

Direct comparison of structural and optical properties of GaN fin LED microstructure with nonpolar sidewalls

Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Petzold, Silke; Dempewolf, Anja; Hempel, Thomas; Bertram, Frank; Harmann, J.; Zhou, H.; Steib, F.; Ledig, J.; Fündling, S.; Wehmann, H.-H.; Waag, A.; Christen, Jürgen

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2018, Art. HL 27.6[Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V., Berlin, 2018]

Abstract

Deep ultraviolet light source from ultra-confined GaN quantum wells grown on thermally annealed AlN template

Wang, Y.; Wang, X.; Qin, Z.; Guo, S.; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Ivanov, S. V.; Miyake, H.; Kozlovsky, V. I.; Li, H.; Rong, X.; Chen, Z.; Wang, T.; Sheng, B.; Shen, B.

In: International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2018: December 9-12, 2018, Kunming Yunan Conference Hotel, Kunming, China - Kunming, China, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2018, Kunming, China, December 9-12, 2018]

Abstract

Impact of growth interruption on the structure and luminescence of two- and zero-dimensional GaN/AlN heterostructures

Schürmann, Hannes; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bertram, Frank; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2018, Art. HL27.3[Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V., Berlin, 2018]

Abstract

Nanoscale cathodoluminescence of a narrow band distributed Bragg reflector realized by GaN - Ge modulation doping

Christen, Jürgen; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Voß, A.; Reuper, Alexander; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Wagner, Markus R.; Maultzsch, Janina; Dadgar, Armin; Strittmatter, André

In: ICPS 2018: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, from29th July to 3rd August, 2018, Montpellier, France - Montpellier, 2018 . - 2018[Konferenz: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2018, Montpellier, France, 29.07. - 03.08.2018]

Abstract

Microstructure of GaN fin LEDs: characterization of Structural and Optical Properties by STEM-CL

Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Veit, Peter; Hempel, Thomas; Hartmann, J.; Steib, F.; Zhou, H.; Ledig, J.; Fündling, S.; Wehmann, H.-H.; Waag, A.; Christen, Jürgen

In: OPIC 2018: Optics & Photonics International Congress, 23-27 April 2018, Pacifica Yokohama, Yokohama, Japan : congress programm - Yokohama, 2018 . - 2018, S. 105

Abstract

Nanoscale investigation of GaN / AlN quantum dot formation

Schürmann, Hannes; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen

In: ICPS 2018: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, from29th July to 3rd August, 2018, Montpellier, France - Montpellier, 2018 . - 2018[Konferenz: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2018, Montpellier, France, 29.07. - 03.08.2018]

Abstract

Cathodoluminescence investigations of the uniformity of monolayer-thick (In,Ga)N quantum wells

Anikeeva, M.; Schulz, T.; Chèze, C.; Calarco, R.; Jahn, U.; Wolny, P.; Sawicka, M.; Siekacz, M.; Schmidt, Gordon; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Albrecht, M.

In: ICPS 2018: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, from29th July to 3rd August, 2018, Montpellier, France - Montpellier, 2018 . - 2018[Konferenz: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2018, Montpellier, France, 29.07. - 03.08.2018]

Abstract

InGaN still to be discovered

Anikeeva, M.; Schulze, T.; Lymperakis, L.; Freysoldt, C.; Wolny, P.; Sawicka, M.; Cheze, C.; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Mahler, F.; Tomm, J.; Skierbiszewski, C.; Christen, Jürgen; Neugebauer, J.; Albrecht, M.

In: International Symposium on Growth of III-Nitrides, ISGN-7: August 5-10, 2018, Warsaw, Poland : [book of abstract] - Warsaw, 2018, 2018, Abstract Fr1.1[Symposium: International Symposium on Growth of III-Nitrides, ISGN-7, Warsaw, Poland, August 5-10, 2018]

Abstract

Nanoscale structural and optical properties of deep UV-emitting GaN/AlN MQW-stack

Sheng, B.; Wang, Y.; Rong, X.; Chen, Z.; Wang, T.; Wang, P.; Miyake, H.; Li, H.; Guo, S.; Qin, Z.; Christen, Jürgen; Wang, Z.; Shen, B.

In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, November 11-16, 2018]

Abstract

On tolerance of AlInN/GaN on Si High-Electron-Mobility Transistors to heavy-ion irradiation

Challa, Seshagiri Rao; Vega, Nahuel; Kristukat, Christian; Müller, N. A.; Dabray, M. E.; Schmidt, Gordon; Hörich, Florian; Witte, Hartmut; Christen, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André

In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, November 11-16, 2018]

Abstract

Nanoscale characterization of high reflectivity AIN/AlGaN deep UV Bragg reflectors

Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Schürmann, Hannes; Petzold, Silke; Bertram, Frank; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen

In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, November 11-16, 2018]

Abstract

Nanoscale cathodoluminescence of a narrow band distributed Bragg reflector realized by GaN - Ge modulation doping

Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Voß, A.; Reuper, Alexander; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Poliani, E.; Wagner, M. R.; Maultzsch, J.; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Hoffmann, A.; Christen, Jürgen

In: ICPS 2018: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, from29th July to 3rd August, 2018, Montpellier, France - Montpellier, 2018 . - 2018[Konferenz: 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2018, Montpellier, France, 29.07. - 03.08.2018]

Abstract

Self-organized GaN quantum dots on a deep UV AlN/AlGaN distributed Bragg reflector

Schürmann, H.; Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Kalinowski, S.; Hoffmann, A.

In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, November 11-16, 2018]

Abstract

Cathodoluminescence characteristics of high indium contenting InGaN film

Sheng, B.; Zheng, X.; Liang, H.; Wang, P.; Bertram, Frank; Chen, Z.; Christen, Jürgen; Wang, X.; Shen, B.

In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, November 11-16, 2018]

Abstract

GaN-based LEDs with GaN:Mg/GaN:Ge tunnel junction grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Berger, Christoph; Neugebauer, Silvio; Seneza, C.; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André

In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, November 11-16, 2018]

Abstract

Self-assembled GaN quantum dots grown on a wavelength-matched deep UV AlN/AlGaN distributed Bragg reflector

Schürmann, Hannes; Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Kalinowski, S.; Jagsch, S.; Hoffmann, A.

In: DGKK Workshop on Epitaxy of III-V Compounds 2018 - Paderborn, 2018 . - 2018[Workshop: DGKK Workshop on Epitaxy of III-V Compounds 2018, Paderborn, 6. - 7. Dezember 2018]

Abstract

Correlation of structural and optical properties of GaN/AlN quantum disks embedded in nanowires by highly spatially cathodoluminescence microscopy

Sheng, B.; Bertram, Frank; Wang, P.; Sun, X.; Schmidt, Gordon; Müller, M.; Veit, Peter; Hempel, Thomas; Christen, Jürgen; Wang, X.

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2018, Art. HL 22.3[Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V., Berlin, 2018]

Abstract

Desorption induced formation of deep UV-emitting nanostructures

Schürmann, Hannes; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Kalinowski, S.; Callsen, G.; Jagsch, S. T.; Wagner, M. R.; Hoffmann, A.; Christen, Jürgen

In: International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2018: December 9-12, 2018, Kunming Yunan Conference Hotel, Kunming, China - Kunming, China, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2018, Kunming, China, December 9-12, 2018]

Abstract

Nanoscale investigation of a deep UV-emitting GaN/AlN quantum well stack

Sheng, B.; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Wang, Y.; Rong, X.; Chen, Z.; Wang, T.; Wang, P.; Miyake, H.; Li, H.; Guo, S.; Qin, Z.; Christen, Jürgen; Shen, B.; Wang, X.

In: International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2018: December 9-12, 2018, Kunming Yunan Conference Hotel, Kunming, China - Kunming, China, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2018, Kunming, China, December 9-12, 2018]

Abstract

Growth of sp2-BN thin films by MBE: effect of post thermal annealing

Liu, F.; Rong, X.; Wang, T.; Sheng, B.; Zheng, X.; Sheng, S.; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Xu, F.; Shen, B.; Wang, X.

In: International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2018: December 9-12, 2018, Kunming Yunan Conference Hotel, Kunming, China - Kunming, China, 2018 . - 2018[Workshop: International Workshop on UV Materials and Devices, IWUMD 2018, Kunming, China, December 9-12, 2018]

Abstract

Nanoscale cathodoluminescence investigation of GaN / AlN quantum dot formation

Bertram, Frank; Schürmann, Hannes; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen

In: Compound Semiconductor Week 2018, CSW 2018: 45th International Symposium on Compound Semiconductors, 30th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials - Cambridge, MA, 2018 . - 2018[Compound Semiconductor Week 2018, CSW 2018, Cambridge, MA, USA, May 29-June 1, 2018]

Buchbeitrag

Recent progress in nonpolar and semi-polar GaN light emitters on patterned Si substrates

Ding, K.; Avrutin, V.; Izyumskaya, N.; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Ozgur, U.; Morkoc, H.

In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash. : SPIE - Vol. 10532.2018, Art. 1053208

Buchbeitrag

Nanoscopic insights into the structural and optical properties of a thick InGaN shell grown coaxially on GaN microrod

Bertram, Frank; Müller, Marcus; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Hartmann, Jana; Zhou, Hao; Wehmann, H.-H.; Waag, Anadreas

In: Proceedings of SPIE/ SPIE - Bellingham, Wash.: SPIE, 1963, Vol. 10532.2018, Art. 105321E[SPIE OPTO, 2018, San Francisco, California, United States, 27 January - 1 February 2018]

Buchbeitrag

A-plane GaN epitaxial lateral overgrowth structures: growth domains, morphological defects, and impurity incorporation directly imaged by cathodoluminescence microscopy

Hogan, Kasey; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Mahaboob, Isra; Rocco, Emma; Shahedipour-Sandvik, F.; Dempewolf, Anja; Christen, Jürgen

In: Proceedings of SPIE/ SPIE - Bellingham, Wash.: SPIE, 1963, Vol. 10532.2018, Art. 105320V[SPIE OPTO, 2018, San Francisco, California, United States, 27 January - 1 February 2018]

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Direct imaging of Indium-rich triangular nanoprisms self-organized formed at the edges of InGaN/GaN core-shell nanorods

Schmidt, Gordon; Müller, Marcus; Veit, Peter; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Hartmann, Jana; Zhou, Hao; Wehmann, Hergo-Heinrich; Waag, Andreas; Christen, Jürgen

In: Scientific reports - [London]: Macmillan Publishers Limited, part of Springer Nature, 2011, 2018, Artikelnummer 16026, insgesamt 8 Seiten

Dissertation

Nanocharakterisierung optischer und struktureller Eigenschaften von GaN-basierten Nano- und Mikrosäulen

Müller, Marcus; Christen, Jürgen

In: Magdeburg, Dissertation Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Fakultät für Naturwissenschaften 2018, 182 Seiten [Literaturverzeichnis: Seite 161-178]

2017

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Compositionally graded InGaN layers grown on vicinal N-face GaN substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Hestroffer, Karine; Lund, Cory; Koksaldi, Onur; Li, Haoran; Schmidt, Gordon; Trippel, Max; Veit, Peter; Bertram, Frank; Lu, Ning; Wang, Qingxiao; Christen, Jürgen; Kim, Moon J.; Mishra, Umesh K.; Keller, Stacia

In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, 1967, Bd. 465.2017, S. 55-59

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Emission of linearly polarized single photons from quantum dots contained in nonpolar, semipolar, and polar sections of pencil-Like InGaN/GaN nanowires

Gačević, Žarko; Holmes, Mark; Chernysheva, Ekaterina; Müller, Marcus; Torres-Pardo, Almudena; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; González Calbet, José María; Arakawa, Yasuhiko; Calleja, Enrique; Lazić, Snežana

In: ACS photonics - Washington, DC: ACS, 2014, Bd. 4.2017, 3, S. 657-664

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Effect of nano-porous SiNx interlayer on propagation of extended defects in semipolar (1122)-orientated GaN

Monavarian, Morteza; Izyumskaya, Natalia; Müller, Mathias; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Das, Saikat; Özgür, Ümit; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Morkoç, Hadis; Avrutin, Vitaly

In: Physica status solidi / C : pss - Berlin : Wiley-VCH, Vol. 14.2017, 8, Art. 1700024, insgesamt 5 S. [Special Issue: 9 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)]

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Selective area growth of AlN/GaN nanocolumns on (0001) and (1122) GaN/sapphire for semi-polar and non-polar AlN pseudo-templates

Bengoechea-Encabo, A; Albert, S.; Müller, Mathias; Xie, M.-Y.; Veit, Peter; Bertram, Frank; Sanchez-Garcia, M. A.; Zúñiga-Pérez, J.; Mierry, P.; Christen, Jürgen; Calleja, E.

In: Nanotechnology - Bristol : IOP Publ, Vol. 36.2017, 36, Art. 365704, insgesamt 6 S.

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Exciton emission of quasi-2D InGaN in GaN matrix grown by molecular beam epitaxy

Ma, Dingyu; Rong, Xin; Zheng, Xiantong; Wang, Weiying; Wang, Ping; Schulz, Tobias; Albrecht, Martin; Metzner, Sebastian; Müller, Mathias; August, Olga; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Jin, Peng; Liu, Mohan; Zhang, Jian; Yang, Xuelin; Xu, Fujun; Qin, Zhixin; Ge, Weikun; Shen, Bo; Wang, Xinqiang

In: Scientific reports - [London] : Macmillan Publishers Limited, part of Springer Nature - Vol. 7.2017, Art. 46420, insgesamt 6 S.

Dissertation

Hoch orts-zeitaufgelöste optische Untersuchungen zum exzitonischen Transport in GaN und ZnO

Noltemeyer, Martin; Christen, Jürgen

In: Magdeburg, Dissertation Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Fakultät für Naturwissenschaften 2017, x, 161 Seiten, Illustrationen, Diagramme, 30 cm [Literaturverzeichnis: Seite 155-162]

2016

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Defect reduced selectively grown GaN pyramids as template for green InGaN quantum wells

Wagner, J.; Wächter, C.; Wild, J.; Müller, M.; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Schmidt, Gordon; Jetter, M.; Bertram, Frank; Zweck, J.; Christen, Jürgen; Michler, P.

In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, 1961, Bd. 253.2016, 1, S. 67-72

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Direct correlations of structural and optical properties of three-dimensional GaN/InGaN core/shell micro-light emitting diodes

Mohajerani, Martin Sadat; Müller, Marcus; Hartmann, Jana; Zhou, Hao; Wehmann, Hergo-H.; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Waag, Andreas

In: Japanese journal of applied physics - Bristol: IOP Publ, 1962, Vol. 55.2016, 5S, Art. 05FJ09, insgesamt 5 S.

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Clustered quantum dots in single GaN islands formed at threading dislocations

Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Berger, Christoph; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen

In: Japanese journal of applied physics: JJAP - Bristol: IOP Publ., 1962, Vol. 55.2016, 5S, Art. 05FF04, insgesamt 5 S.

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Structural and optical nanoscale analysis of GaN core-shell microrod arrays fabricated by combined top-down and bottom-up process on Si(111)

Müller, Marcus; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bertram, Frank; Krylyuk, Sergiy; Debnath, Ratan; Ha, Jong-Yoon; Wen, Baomei; Blanchard, Paul; Motayed, Abhishek; King, Matthew R.; Davydov, Albert V.; Christen, Jürgen

In: Japanese journal of applied physics: JJAP - Bristol: IOP Publ., 1962, Vol. 55.2016, 5S, Art. 05FF02, insgesamt 6 S.

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Improvement of optical quality of semipolar (1122) GaN on m-plane sapphire by in-situ epitaxial lateral overgrowth

Monavarian, Morteza; Izyumskaya, Natalia; Müller, Marcus; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Can, Nuri; Das, Saikat; Özgür, Ümit; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Morkoç, Hadis; Avrutin, Vitaly

In: Journal of applied physics - Melville, NY: American Inst. of Physics, 1931, Vol. 119.2016, 14, Art. 145303, insgesamt 7 S.

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Phosphor-converted white light from blue-emitting InGaN microrod LEDs

Schimpke, Tilman; Mandl, Martin; Stoll, Ion; Pohl-Klein, Bianca; Bichler, Daniel; Zwaschka, Franz; Strube-Knyrim, Johanna; Huckenbeck, Barbara; Max, Benjamin; Müller, Marcus; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Hartmann, Jana; Waag, Andreas; Lugauer, Hans-Jürgen; Strassburg, Martin

In: Physica status solidi / A - Weinheim: Wiley-VCH, 1970, Bd. 213.2016, 6, S. 1577-1584

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Nanoscopic insights into InGaN/GaN core-shell nanorods - structure, composition, and luminescence

Müller, Markus; Veit, Peter; Krause, Florian F.; Schimpke, Tilman; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Mehrtens, Thorsten; Müller-Caspary, Knut; Avramescu, Adrian; Strassburg, Martin; Rosenauer, Andreas; Christen, Jürgen

In: Nano letters: a journal dedicated to nanoscience and nanotechnology - Washington, DC: ACS Publ., 2001, Bd. 16.2016, 9, S. 5340-5346

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Microscopic nature of crystal phase quantum dots in ultrathin GaAs nanowires by nanoscale luminescence characterization

Loitsch, Bernhard; Müller, Marcus; Winnerl, Julia; Veit, Peter; Rudolph, Daniel; Abstreiter, Gerhard; Finley, Janathan J.; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Koblmüller, Gregor

In: New journal of physics - [Bad Honnef]: Dt. Physikalische Ges, 1999, Bd. 18.2016, 6, insges. 11 S.

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Influence of composition, strain, and electric field anisotropy on different emission colors and recombination dynamics from InGaN nanodisks in pencil-like GaN nanowires

Gačević, Ž.; Vukmirović, N.; García-Lepetit, N.; Torres-Pardo, A.; Müller, M.; Metzner, Sebastian; Albert, S.; Bengoechea-Encabo, A.; Bertram, Frank; Veit, Peter; Christen, Jürgen; González-Calbet, J. M.; Calleja, E.

In: Physical review - Woodbury, NY: Inst., 2016, Vol. 93.2016, 12-15, Art. 125436

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Metalorganic chemical vapor phase epitaxy of narrow-band distributed Bragg reflectors realized by GaN:Ge modulation doping

Berger, Christoph; Lesnik, Andreas; Zettler, Thomas; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Christen, Jürgen; Strittmatter, André

In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, 1967, Bd. 440.2016, S. 6-12

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Nanoscale cathodoluminescence of stacking faults and partial dislocations in a-plane GaN

Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Wieneke, Matthias; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Christen, Jürgen

In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, 1961, Bd. 253.2016, 1, S. 73-77

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Polarization engineering of c-plane InGaN quantum wells by pulsed-flow growth of AlInGaN barriers

Neugebauer, Silvio; Metzner, Sebastian; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Strittmatter, André

In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, 1961, Bd. 253.2016, 1, S. 118-125

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Nanoscale cathodoluminescene imaging of III-nitride-based LEDs with semipolar quantum wells in a scanning transmission electron microscope

Müller, Marcus; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bertram, Frank; Leute, Robert Anton Richard; Heinz, Dominic; Wang, Junjun; Meisch, Tobias; Scholz, Ferdinand; Christen, Jürgen

In: Physica status solidi - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 253.2016, 1, S. 112-117

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Embedded GaN nanostripes on c-sapphire for DFB lasers with semipolar quantum wells

Leute, Robert A. R.; Heinz, Dominik; Wang, Yunjun; Meisch, Tobias; Müller, Mathias; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Martens, Martin; Wernicke, Tim; Kneissl, Michael; Jenisch, Stefan; Strehle, Steffen; Rettig, Oliver; Thonke, Klaus; Scholz, Ferdinand

In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, 1961, Bd. 253.2016, 1, S. 180-185

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Direct microscopic correlation of real structure and optical properties of semipolar GaN based on pre-patterned r-plane sapphire

Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Hempel, Thomas; Meisch, Tobias; Schwaiger, Stephan; Scholz, Ferdinand; Christen, Jürgen

In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, 1961, Bd. 253.2016, 1, S. 54-60

2015

Artikel in Zeitschrift

Gallium gradients in Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells

Witte, Wolfram; Abou-Ras, Daniel; Albe, Karsten; Bauer, Gottfried H.; Bertram, Frank; Boit, Christian; Brüggemann, Rudolf; Christen, Jürgen; Dietrich, Jens; Eicke, Axel

In: Progress in photovoltaics: research and applications - Chichester: Wiley, 1993, Bd. 23.2015, 6, S. 717-733[Article first published online: 28 MAR 2014]

Buchbeitrag

Indium-incorporation efficiency in semipolar (11-22) oriented InGaN-based light emitting diodes

Monavarian, Morteza; Metzner, Sebastian; Izyumskaya, Natalia; Okur, Serdal; Zhang, Fan; Can, Nuri; Das, Saikat; Avrutin, Vitaliy; Özgür, Ümit; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Morkoç, Hadis

In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash: SPIE, Bd. 9363.2015

Buchbeitrag

Strong exciton-photon coupling in hybrid InGaN-based microcavities on GaN substrates

Okur, Serdal; Franke, Alexander; Zhang, Fan; Avrutin, Vitaliy; Morkoç, Hadis; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Özgür, Ümit

In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash: SPIE, Bd. 9363.2015

Buchbeitrag

Ordered arrays of InGaN/GaN dot-in-a-wire nanostructures as single photon emitters

Lazić, Snežana; Chernysheva, Ekaterina; Gačević, Žarko; García-Lepetit, Noemi; Meulen, Herko P.; Müller, Marcus; Bertram, Frank; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Torres-Pardo, Almudena; González Calbet, José M.; Calleja, Enrique; Calleja, José M.

In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash: SPIE, Bd. 9363 (2015)

Buchbeitrag

Enhancement of optical and structural quality of semipolar (11-22) GaN by introducing nanoporous SiN x interlayers

Monavarian, Morteza; Metzner, Sebastian; Izyumskaya, Natalia; Müller, Marcus; Okur, Sserdal; Zhang, Fan; Can, Nuri; Das, Saikat; Avrutin, Vitaliy; Özgür, Ümit; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Morkoç, Hadis

In: Proceedings of SPIE - Bellingham, Wash: SPIE, Bd. 9363 (2015)

Buchbeitrag

Spatially resolved optical emission of cubic GaN/AIN multi-quantum well structures

As, D. J.; Kemper, R.; Mietze, C.; Wecker, T.; Lindner, J. K. N.; Veit, Peter; Dempewolf, Anja; Bertram, Frank; Christen, Jürgen

In: MRS online proceedings library - Warrendale, Pa: MRS, Bd. 1736.2015, S. 25-30

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Determination of carrier diffusion length in GaN

Hafiz, Shopan; Zhang, Fan; Monavarian, Morteza; Avrutin, Vitaliy; Morkoç, Hadis; Özgür, Ümit; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Gil, Bernard

In: Journal of applied physics: AIP's archival journal for significant new results in applied physics - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 117.2015, 1, Art. 013106, insgesamt 4 S.

Begutachteter Zeitschriftenartikel

About the practical implementation of same time-of-flight measurements scheme in cathodoluminescence microscopy

Polyakov, A. N.; Noltemeyer, M.; Hempel, Thomas; Christen, Jürgen; Stepovich, M. A.

In: Prikladnaja fizika: naučno-techničeskij žurnal - Moskva, 4, S. 16-20, 2015

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Blue-to-green single photons from InGaN/GaN dot-in-a-nanowire ordered arrays

Chernysheva, E.; Gačević, Ž.; García-Lepetit, N.; Van Der Meulen, H. P.; Müller, M.; Bertram, Frank; Veit, Peter; Torres-Pardo, A.; González Calbet, J. M.; Christen, Jürgen; Calleja, E.; Calleja, J. M.; Lazić, S.

In: epl: a letters journal exploring the frontiers of physics - Les Ulis: EDP Sciences, Bd. 111.2015, 2, insges. 7 S.

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Optical emission of individual GaN nanocolumns analyzed with high spatial resolution

Urban, Arne; Müller, Marcus; Karbaum, C.; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Malindretos, Joerg; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Rizzi, A.

In: Nano letters - Washington, DC: ACS Publ, Bd. 15 (2015), 8, S. 5105-5109

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Direct evidence of single quantum dot emission from GaN islands formed at threading dislocations using nanoscale cathodoluminescence - a source of single photons in the ultraviolet

Schmidt, Gordon; Berger, Christoph; Veit, Peter; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Strittmatter, André; Christen, Jürgen; Callsen, Gordon; Kalinowski, Stefan; Hoffmann, Axel

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, 1962, Vol. 106.2015, 25, Art. 252101, insgesamt 5 S.

Begutachteter Zeitschriftenartikel

STEM-CL investigations on the influence of stacking faults on the optical emission of cubic GaN epilayers and cubic GaN/AlN multi-quantum wells

Kemper, R. M.; Veit, Peter; Mietze, C.; Dempewolf, Anja; Wecker, T.; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Lindner, J. K. N.; As, D. J.

In: Physica status solidi / C: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 12.2015, 4/5, S. 469-472

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Growth of AlInN/GaN distributed Bragg reflectors with improved interface quality

Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Lesnik, Andreas; Veit, Peter; Schmidt, Gordon; Hempel, Thomas; Christen, Jürgen; Krost, Alois; Strittmatter, André

In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, 1967, Bd. 414.2015, S. 105-109

2014

Buchbeitrag

Impact of extended defects on optical properties of (1-101)GaN grown on patterned Si

Okur, S.; Izyumskaya, N.; Zhang, F.; Avrutin, V.; Metzner, Sebastian; Karbaum, Christopher; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Morkoç, H.; Özgür, Ü.

In: Proceedings of SPIE/ SPIE - Bellingham, Wash.: SPIE, 1963, Bd. 8986/2014

Buchbeitrag

Determination of carrier diffusion length in p- and n-type GaN

Hafiz, Shopan; Metzner, Sebastian; Zhang, Fan; Monavarian, Morteza; Avrutin, Vitaliy; Morkoç, Hadis; Karbaum, Christopher; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Gil, Bernard; Özgür, Ümit

In: Proceedings of SPIE/ SPIE - Bellingham, Wash.: SPIE, 1963, Vol. 8986.2014, Art. 89862C

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Symmetry dependent optoelectronic properties of grain boundaries in polycrystalline Cu(In,Ga)Se 2 thin films

Müller, Mathias; Abou-Ras, Daniel; Rissom, Thorsten; Bertram, Frank; Christen, Jürgen

In: Journal of applied physics. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Bd. 115.2014, 2, Art. 023514, insgesamt 7 S.

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Nano-scale luminescence characterization of individual InGaN/GaN quantum wells stacked in a microcavity using scanning transmission electron microscope cathodoluminescence

Schmidt, Gordon; Müller, Marcus; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Glauser, Marlene; Carlin, Jean-François; Cosendey, Gatien; Butté, Raphael; Grandjean, Nicolas

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, 1962, Vol. 105.2014, 3, Art. 032101, insgesamt 5 S.

Begutachteter Zeitschriftenartikel

InGaN - direct correlation of nanoscopic morphology features with optical and structural properties

Koch, Holger; Bertram, Frank; Pietzonka, Ines; Ahl, Jan-Philipp; Strassburg, Martin; August, Olga; Christen, Jürgen; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei; Lugauer, Hans-Jürgen

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, 1962, Vol. 105.2014, 7, Art. 072108, insgesamt 5 S.

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Growth of InGaN/GaN core-shell structures on selectively etched GaN rods by molecular beam epitaxy

Albert, S.; Bengoechea-Encabo, A.; Sabido-Siller, M.; Müller, Marcus; Schmidt, Gordon; Metzner, Sebastian; Veit, Peter; Bertram, Frank; Sánchez-García, M. A.; Christen, Jürgen; Calleja, E.

In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, 1967, Bd. 392.2014, S. 5-10

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Extended defects in GaN nanocolumns characterized by cathodoluminescence directly performed in a transmission electron microscope

Bertram, Frank; Müller, Marcus; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Urban, Arne; Malindretos, Joerg; Rizzi, Angela

In: Turkish journal of physics - Ankara: Tübitak, 1996 . - 2014

2013

Buchbeitrag

GaN laser structure with semipolar quantum wells and embedded nanostripes

Leute, R. A. R.; Meisch, T.; Wang, J.; Biskupek, J.; Kaiser, U.; Muller, M.; Veit, Peter; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Scholz, F.

In: 2013 Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR). - IEEE, insges. 2 S.Kongress: CLEO-PR; (Kyoto, Japan) : 2013.06.30-07.04

Buchbeitrag

Depth distribution of carrier lifetimes in semipolar (11macron01) GaN grown by MOCVD on patterned Si substrates

Izyumskaya, N.; Okur, S.; Zhang, F.; Avrutin, V.; Özgür, Ü.; Metzner, Sebastian; Karbaum, Christopher; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Morkoc, H.

In: Gallium nitride materials and devices VIII. - Bellingham, Wash. : SPIE, 2013 - (Proceedings of SPIE; 8625)Kongress: Symposium on Gallium Nitride Materials and Devices; (San Francisco, Calif.) : 2013.02.04-07

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Growth and characterization of stacking fault reduced GaN(101̄3) on sapphire

Bläsing, Jürgen; Holý, Vaclav; Dadgar, Armin; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Ploch, Simon; Frentrup, Martin; Wernicke, Tim; Kneissl, Michael; Krost, Alois

In: Journal of physics. - Bristol : IOP PublJournal of physics / D, Bd. 46.2013, 12, insges. 4 S.

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Group III nitride coreshell nano- and microrods for optoelectronic applications

Mandl, Martin; Wang, Xue; Schimpke, Tilman; Kölper, Christopher; Binder, Michael; Ledig, Johannes; Waag, Andreas; Kong, Xiang; Trampert, Achim; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Barbagini, Francesca; Calleja, Enrique; Strassburg, Martin

In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / Rapid research letters, Bd. 7.2013, 10, S. 800-814

Begutachteter Zeitschriftenartikel

MOVPE growth of semi-polar GaN light-emitting diode structures on planar Si(112) and Si(113) substrates

Ravash, Roghaiyeh; Dadgar, Armin; Bertram, Frank; Dempewolf, Anja; Metzner, Sebastian; Hempel, Thomas; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Journal of crystal growth. - Amsterdam [u.a.] : Elsevier, Bd. 370.2013, S. 288-292

Begutachteter Zeitschriftenartikel

GaN-based vertical cavities with all dielectric reflectors by epitaxial lateral overgrowth

Okur, Serdal; Shimada, Ryoko; Zhang, Fan; Hafiz, Shopan Din Ahmad; Lee, Jaesoong; Avrutin, Vitaliy; Morkoç, Hadis; Franke, Alexander; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Özgür, Ümit

In: Japanese journal of applied physics. - Tokyo : Inst. of Pure and Applied Physics; 52.2013, Art. 08JH03, insgesamt 4 S.

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Microscopic distribution of extended defects and blockage of threading dislocations by stacking faults in semipolar (1101) GaN revealed from spatially resolved luminescence

Okur, S.; Metzner, Sebastian; Izyumskaya, N.; Zhang, F.; Avrutin, V.; Karbaum, Christopher; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Morkoç, H.; Özgür, Ü.

In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, Art.211908, insgesamt 6 S.

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Optical studies of strain and defect distribution in semipolar (1 1 01) GaN on patterned Si substrates

Izyumskaya, N.; Zhang, F.; Okur, S.; Selden, T.; Avrutin, V.; Özgür, Ü.; Metzner, Sebastian; Karbaum, Christopher; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Morkoç, H.

In: Journal of applied physics. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 114.2013, Art. 113502, insgesamt 10 S.

2012

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Optical characterization of a InGaN/GaN microcavity with epitaxial AlInN/GaN bottom DBR

Franke, Alexander; Bastek, B.; Sterling, Stefan; August, Olga; Petzold, Silke; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Moser, P.; Wieneke, Matthias; Berger, Christoph; Bläsing, J.; Dadgar, Armin; Krost, Alois

In: MRS online proceedings library - Warrendale, Pa.: MRS, 1998, Bd. 1396.2012[MRS Fall Meeting 2011]

Begutachteter Zeitschriftenartikel

Cathodoluminescence directly performed in a transmission electron microscope - nanoscale correlation of structural and optical properties

Christen, Jürgen; Bertram, Frank; Schmidt, Gordon; Veit, Peter; Petzold, S.; Ravash, R.; Dadgar, Armin; Krost, A.

In: Microscopy and microanalysis - New York, NY: Cambridge University Press, Bd. 18 (2012), S2, S. 1834-1835

Begutachteter Zeitschriftenartikel

An improved carrier rate model to evaluate internal quantum efficiency and analyze efficiency droop origin of GaN based light-emitting diodes

Wang, Jiaxing; Wang, Lai; Wang, Lei; Hao, Zhibiao; Luo, Yi; Dempewolf, Anja; Müller, Mathias; Bertram, Frank; Christen, Jürgen

In: Journal of applied physics. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 112.2012, 2, Art. 023107, insgesamt 6 S.

Habilitation

Optische Mikro-Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem ZnO und ZnO-basierten Heterostrukturen

Bertram, Frank; Christen, Jürgen

In: Magdeburg, Univ., Fak. für Naturwiss., Habil.-Schr., 2012, 75 S., Ill., graph. Darst., 21 cm

Artikel in Kongressband

Chemical gradients in Cu(In,Ga)(S,Se)2 thin-film solar cells - results of the GRACIS project

Witte, Wolfram; Powalla, Michael; Hariskos, D.; Eicke, A.; Botros, M.; Schock, H.-W.; Abou-Ras, D.; Mainz, R.; Rodríguez-Alvarez, H.; T., Unold.; Bauer, G. H.; Brüggemann, R.; Heise, S. J.; Neumann, O.; Meessen, M.; Christen, Jürgen; Bertram, Frank; Müller, Mathias; Klein, A.; Adler, T.; Albe, K.; Pohl, J.; Martin, M.; De Souza, R. A.; Nagarajan, L.; Beckers, T.; Boit, C.; Dietrich, J.; Hetterich, M.; Zhang, Z.; Scheer, R.; Kempa, H.; Orgis, T.

In: EU PVSEC proceedings. - Munich : WIP-Renewable Energies; 2012, Session 3BO.4.1, S. 2166-2176

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Semipolar GaInN quantum well structures on large area substrates

Scholz, Ferdinand; Schwaiger, Stephan; Däubler, Jürgen; Tischer, Ingo; Thonke, Klaus; Neugebauer, Silvio; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Lengner, Holger; Thalmair, Johannes; Zweck, Josef

In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / B, Bd. 249.2012, 13, S. 464-467

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Growth and stacking fault reduction in semi-polar GaN films on planar Si(112) and Si(113)

Ravash, Roghaiyeh; Veit, Peter; Müller, Mathias; Schmidt, Gordon; Dempewolf, Anja; Hempel, Thomas; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Physica status solidi. - Berlin : Wiley-VCHPhysica status solidi / C, Bd. 9.2012, 3/4, S. 507-510

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Growth of AlInN/AlGaN distributed Bragg reflectors for high quality microcavities

Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Franke, Alexander; Hempel, Thomas; Goldhahn, Rüdiger; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Physica status solidi: pss: pss - Berlin: Wiley-VCH, 2002, Bd. 9.2012, 5, S. 1253-1258[Special Issue: 9th International Symposium on Crystalline Organic Metals, Superconductors and Ferromagnets (ISCOM 2011)]

Originalartikel in begutachteter zeitschriftenartiger Reihe

Excitonic transport in ZnO

Noltemeyer, Martin; Bertram, Frank; Hempel, Thomas; Bastek, Barbara; Christen, Jürgen; Brandt, Matthias; Lorenz, Michael; Grundmann, Marius

In: Oxide-based materials and devices III: 22 - 25 January 2012, San Francisco, California, United States ; [part of SPIE photonics west] - Bellingham, Wash.: SPIE, 2012, 2012, Art. 82630X - (Proceedings of SPIE; 8263)Kongress: Oxide-based materials and devices (San Francisco, Calif. : 2012.01.22-25)

Originalartikel in begutachteter zeitschriftenartiger Reihe

Effect of MOCVD growth conditions on the optical properties of semipolar (1-101) GaN on Si patterned substrates

Izyumskaya, N.; Liu, S. J.; Avrutin, V.; Okur, S.; Zhang, F.; Özgür, Ü.; Morkoç, H.; Metzner, S.; Karbaum, Christopher; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Smith, D. J.

In: Gallium nitride materials and devices VII. - Bellingham, Wash. : SPIE; 2012, Art. 826224 - (Proceedings of SPIE; 8262)Kongress: SPIE Photonics West; (San Francisco, Calif.) : 2012.01.23-26

2011

Anderes Material

Heavy Si doping - the key in heteroepitaxial growth of a-plane GaN without basal plane stacking faults?

Wieneke, Matthias; Noltemeyer, Martin; Bastek, Barbara; Rohrbeck, Antje; Witte, Hartmut; Veit, Peter; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 3, S. 578-582

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

MOVPE of CuGaSe 2 on GaAs in the presence of a Cu xSe secondary phase

Gütay, Levent; Larsena, Jes K.; Guillot, Jerome; Müller, Mathias; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Siebentritt, Susanne

In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 315.2011, 1, S. 82-86

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Epitaxial lateral overgrowth of non-polar GaN(1 1 ̄0 0) on Si(1 1 2) patterned substrates by MOCVD

Izyumskaya, N.; Liu, S. J.; Avrutin, V.; Ni, X. F.; Wu, M.; Özgür, Ü.; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Zhou, L.; Smith, David J.; Morkoça, H.

In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 314.2011, 1, S. 129-135

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Eliminating stacking faults in semi-polar GaN by AlN interlayers

Dadgar, Armin; Ravash, Roghaiyeh; Veit, Peter; Schmidt, G.; Müller, Mathias; Dempewolf, Anja; Bertram, Frank; Wieneke, Matthias; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Applied physics letters - Melville, NY: AIP, 99.2011, 2, Art. 021905, insgesamt 3 S.

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Spectrally and time-resolved cathodoluminescence microscopy of semipolar InGaN SQW on (112̄2) and (101̄1) pyramid facets

Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Karbaum, Christopher; Hempel, Thomas; Wunderer, Thomas; Schwaiger, Stephan; Lipski, Frank; Scholz, Ferdinand; Wächter, Clemens; Jetter, Michael; Michler, Peter; Christen, Jürgen

In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 3, S. 632-637

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

High wavelength tunability of InGaN quantum wells grown on semipolar GaN pyramid facets

Wächter, Clemens; Meyer, Alexander; Metzner, Sebastian; Jetter, Michael; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Michler, Peter

In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 3, S. 605-610

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Three-dimensional GaN for semipolar light emitters

Wunderer, T.; Feneberg, Martin; Lipski, F.; Wang, J.; Leute, R. A. R.; Schwaiger, S.; Thonke, K.; Chuvilin, A.; Kaiser, U.; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Beirne, G. J.; Jetter, M.; Michler, P.; Schade, L.; Vierheilig, C.; Schwarz, U. T.; Dräger, A. D.; Hangleiter, A.; Scholz, F.

In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 3, S. 549-560

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Indium incorporation in GaInN/GaN quantum well structures on polar and nonpolar surfaces

Jönen, Holger; Rossow, Uwe; Bremers, Heiko; Hoffmann, Lars; Brendel, Moritz; Dräger, Alexander Daniel; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Schwaiger, Stephan; Scholz, Ferdinand; Thalmair, Johannes; Zweck, Josef; Hangleiter, Andreas

In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 3, S. 600-604

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Stress relaxation in low-strain AlInN/GaN bragg mirrors

Moser, Pascal; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Hempel, Thomas; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Japanese journal of applied physics: JJAP - Tokyo: IOP Publ, 50.2011, 3, Art. 031002, insgesamt 6 S.

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Optical investigation of a hybrid GaN based microcavity with AlInN/GaN bottom and dielectric top distributed Bragg mirror

Franke, Alexander; Bastek, B.; Krimmling, J.; Christen, Jürgen; Moser, Pascal; Dadgar, Armin; Krost, Alois

In: Superlattices and microstructures: a journal devoted to the science and technology of synthetic microstructures, microdevices, surfaces and interfaces - Oxford [u.a.]: Elsevier Science, Academic Press, Bd. 49.2011, 3, S. 187-192[Special issue: Proceedings of the 10th International Conference on the Physics of LightMatter Coupling in Nanostructures, PLMCN 2010 (Cuernavaca, Mexico), 12-16 April, 2010]

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Impact of AlN seeding layer growth rate in MOVPE growth of semi-polar gallium nitride structures on high index silicon

Ravash, Roghaiyeh; Bläsing, Jürgen; Hempel, Thomas; Noltemeyer, Martin; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 3, S. 594-599

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Growth and coalescence behavior of semipolar (112̄2) GaN on pre-structured r-plane sapphire substrates

Schwaiger, Stephan; Metzner, Sebastian; Wunderer, Thomas; Argut, Ilona; Thalmair, Johannes; Lipski, Frank; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Bertram, Frank; Zweck, Josef; Krost, Alois; Christen, Jürgen; Scholz, Ferdinand

In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 3, S. 588-593

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

StranskiKrastanov transition and self-organized structures in low-strained AlInN/GaN multilayer structures

Krost, Alois; Berger, C.; Moser, Pascal; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Hums, C.; Hempel, Thomas; Bastek, Barbara; Veit, Peter; Christen, Jürgen

In: Semiconductor science and technology - Bristol: IOP Publ., Bd. 26.2011, 1, insges. 8 S.

Originalartikel in begutachteter zeitschriftenartiger Reihe

Improving GaN-on-silicon properties for GaN device epitaxy

Dadgar, Armin; Hempel, Thomas; Bläsing, Jürgen; Schulz, O.; Fritze, Stephanie; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Physica status solidi / C: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 8.2011, 5, S. 1503-1508[Special Issue: 3rd International Symposium on Growth of Group III-Nitrides (ISGN 3) E-MRS 2010 Spring Meeting Symposium G: Physics and Applications of Novel Gain Materials Based on IIIVN Compounds 14th International Conference on High Pressure Semiconductor Physics (HPSP14)]

2010

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Strain evaluation in AlInN/GaN Bragg mirrors by in situ curvature measurements and ex situ x-ray grazing incidence and transmission scattering

Krost, Alois; Berger, C.; Bläsing, Jürgen; Franke, Alexander; Hempel, Thomas; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen

In: Applied physics letters. - Melville, NY : AIP, Bd. 97.2010, 18, S. 181105-1-181105-3

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Three-dimensional GaN for semipolar light emitters

Wunderer, Thomas; Feneberg, Martin; Lipski, Frank; Wang, Junjun; Leute, Robert; Schwaiger, Stephan; Thonke, Klaus; Chuvilin, Andrei; Kaiser, Ute; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Beirne, Gareth; Jetter, Michael; Michler, Peter; Schade, Lukas; Vierheilig, Clemens; Schwarz, Ulrich; Dräger, Alexander; Hangleiter, Andreas; Scholz, Ferdinand

In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / B, insges. 12 S., 2010

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Luminescence properties of photonic crystal InGaN/GaN light emitting layers on silicon-on-insulator

Lin, Vivian K. X.; Tripathy, S.; Teo, S. L.; Dolmanan, S. B.; Dadgar, Armin; Noltemeyer, Martin; Franke, Alexander; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Electrochemical and solid-state letters: a joint publication of the Electrochemical Society and the Institute of Electrical and Electronics Engineers - Pennington, NJ: Soc., 13.2010, 10, S. H343-H345

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

GaInN-based LED structures on selectively grown semi-polar crystal facets

Scholz, Ferdinand; Wunderer, Thomas; Feneberg, Martin; Thonke, Klaus; Chuvilin, Andrei; Kaiser, Ute; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen

In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / A, 2010

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Direct microscopic correlation of crystal orientation and luminescence in spontaneously formed nonpolar and semipolar GaN growth domains

Bastek, Barbara; August, Olga; Hempel, Thomas; Christen, Jürgen; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Wendt, Ulrich

In: Applied physics letters. - Melville, NY : AIP; 96.2010, 17, Art. 172102, insges. 3 S.

Originalartikel in begutachteter zeitschriftenartiger Reihe

Semipolar GaInN/GaN light-emitting diodes grown on honeycomb patterned substrates

Wunderer, T.; Wang, J.; Lipski, F.; Schwaiger, S.; Chuvilin, A.; Kaiser, U.; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Shirokov, S. S.; Yunovich, A. E.; Scholz, F.

In: Physica status solidi. - Berlin : Wiley-VCHPhysica status solidi / C, Bd. 7.2010, 7/8, S. 2140-2143

Originalartikel in begutachteter zeitschriftenartiger Reihe

Light extraction from GaN-based LED structures on silicon-on-insulator substrates

Tripathy, S.; Teo, S. L.; Lin, V. K. X.; Chen, M. F.; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Physica status solidi. - Berlin : Wiley-VCHPhysica status solidi / C, Bd. 7.2010, 1, S. 88-91

2009

Begutachteter Zeitschriftenartikel

InGaN/GaN light-emitting diodes on Si(1 1 0) substrates grown by metalorganic vapour phase epitaxy

Reiher, F.; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Wieneke, Matthias; Müller, M.; Franke, A.; Reißmann, L.; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Journal of physics / D - Bristol: IOP Publ., 1968, Vol. 42.2009, 5, Art. 055107, insgesamt 5 S.

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

MOVPE growth of high-quality Al 0.1 Ga 0.9 N on Si(111) substrates for UV-LEDs

Saengkaew, Phannee; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Bastek, Barbara; Bertram, Frank; Reiher, Fabian; Hums, Christoph; Noltemeyer, Martin; Hempel, Thomas; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Physica status solidi / C - Berlin: Wiley-VCH . - 2009, insges. 4 S.

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Analysis of point defects in AlN epilayers by cathodoluminescence spectroscopy

Bastek, Barbara; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Hempel, Thomas; Dadgar, Armin; Krost, Alois

In: Applied physics letters . - Melville, NY : AIP, Bd. 95.2009, 3, insges. 3 S.

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Metal organic vapor phase epitaxy growth of single crystalline GaN on planar Si(211) substrates

Ravash, Roghaiyeh; Bläsing, Jürgen; Hempel, Thomas; Noltemeyer, Martin; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Applied physics letters / publ. by the American Institute of Physics - Melville, NY: AIP, Bd. 95.2009, 24, Art. 242101

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Low-temperature/high-temperature AlN superlattice buffer layers for high-quality Al x Ga 1-x N on Si (111)

Saengkaew, Phannee; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Hempel, Thomas; Veit, Peter; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Journal of crystal growth . - Amsterdam : North-Holland Publ. Co., Bd. 311.2009, 14, S. 3742-3748

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Fabrication, self-assembly, and properties of ultrathin AlN/GaN porous crystalline nanomembranes - tubes, spirals, and curved sheets

Mei, Yongfeng; Thurmer, Dominic J.; Deneke, Christoph; Kiravittaya, Suwit; Chen, Yuan-Fu; Dadgar, Armin; Bertram, Frank; Bastek, Barbara; Krost, Alois; Christen, Jürgen; Reindl, Thomas; Stoffel, Mathieu; Coric, Emica; Schmidt, Oliver G.

In: American Chemical Society : ACS nano . - Washington, DC : ACS, Bd. 3.2009, 7, S. 1663-1668

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

AllnN/GaN based multi quantum well structures - growth and optical proberties

Hums, Christoph; Gadanecz, Aniko; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Lorenz, Pierre; Krischok, Stefan; Bertram, Frank; Franke, Alexander; Schäfer, Jürgen A.; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Physica status solidi / C - Berlin: Wiley-VCH . - 2009, insges. 4 S.

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Micro-structural anisotropy of a-plane GaN analyzed by high resolution X-ray diffraction

Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Veit, Peter; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Physica status solidi . - Berlin : Wiley-VCH, insges. 4 S.; Abstract

Originalartikel in begutachteter zeitschriftenartiger Reihe

Effect of growth conditions on vacancy defects in MOVPE grown AlN thin layers

Mäki, J.-M.; Tuomisto, F.; Bastek, Barbara; Bertam, Frank; Christen, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois

In: Physica status solidi . - Berlin : Wiley-VCH, Bd. 6.2009, 11, S. 2575-2577[Special Issue: 15th International Conference on Positron Annihilation (ICPA-15)]

Originalartikel in begutachteter zeitschriftenartiger Reihe

GaN-based deep green light emitting diodes on silicon-on-insulator substrates

Tripathy, S.; Dadgar, Armin; Zang, K. Y.; Lin, V. K. X.; Liu, Y. C.; Teo, S. L.; Yong, A. M.; Soh, C. B.; Chua, S. J.; Bläsing, Jürgen; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Physica status solidi . - Berlin : Wiley-VCH, Bd. 6.2009, 2, S. 822-825[Supplement: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2008)]

2008

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Effect of the growth temperature and the AlN mole fraction on In incorporation and properties of quaternary III-nitride layers grown by molecular beam epitaxy

Fernández-Garrido, S.; Redondo-Cubero, A.; Gago, R.; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Luna, E.; Trampert, A.; Pereiro, J.; Muñoz, E.; Calleja, E.

In: Journal of applied physics / publ. of the American Institute of Physics, AIP. Elmer Hutchisson, ed - Melville, NY: AIP, Bd. 104 (2008), 8, S. 083510-1-083510-7

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Structural and optical proberties of nonpolar GaN thin films

Wu, Z. H.; Fischer, A. M.; Ponce, F. A.; Bastek, Barbara; Christen, Jürgen; Wernicke, T.; Weyers, M.; Kneisel, M.

In: Applied physics letters . - Melville, NY : AIP, Bd. 92.2008, 17, S. 171904-1-171904-3

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

A-plane GaN epitaxial lateral overgrowth structures - growth domains, morphological defects, and impurity incorporation directly imaged by cathodoluminescence microscopy

Bastek, Barbara; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Wernicke, T.; Weyers, M.; Kneissl, M.

In: Applied physics letters . - Melville, NY : AIP, Bd. 92.2008, 21, insges. 3 S.

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Time-resolved cathodoluminescence of Mg-doped GaN

Fischer, A. M.; Srinivasan, S.; Ponce, F. A.; Monemar, B.; Bertram, Frank; Christen, Jürgen

In: Applied physics letters / publ. by the American Institute of Physics - Melville, NY: AIP, Bd. 93 (2008), 15, S. 151901-1-151901-3

Originalartikel in begutachteter zeitschriftenartiger Reihe

MOVPE growth of blue In xGa 1-x/GaN LEDs on 150 mm Si(001)

Schulze, Fabian; Dadgar, Armin; Krtschil, André; Hums, Christoph; Reißmann, Lars; Diez, Annette; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Physica status solidi . - Berlin : Wiley-VCH, Bd. 5.2008, 6, S. 2238-2240

Originalartikel in begutachteter zeitschriftenartiger Reihe

MOVPE growth and characterization of AllnN FET structures on Si(1 1 1)

Hums, Christopher; Gadanecz, Aniko; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Witte, Hartmut; Hempel, Thomas; Dietz, Annette; Lorenz, Pierre; Krischok, Stefan; Schäfer, Jürgen A.; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Advances in GaN, GaAs, SiC and related alloys on silicon substrates: symposium held March 24 - 28, 2008, San Francisco, California, U.S.A. ; [papers presented at Symposium C, "Advances in GaN, GaAs, SiC and Related Alloys on Silicon Substrates", was held ... at the 2008 MRS spring meeting] / ed.: Tingkai Li ...: symposium held March 24 - 28, 2008, San Francisco, California, U.S.A. ; [papers presented at Symposium C, "Advances in GaN, GaAs, SiC and Related Alloys on Silicon Substrates", was held ... at the 2008 MRS spring meeting] - Warrendale, Pa.: MRS, 2008; Li, Tingkai, 2008, Kap. 1068-C04-03, insges. 6 S. - (Materials Research Society symposium proceedings; 1068)Kongress: MRS Spring Meeting (San Francisco, Calif. : 2008.03.24-28)

2007

Herausgeberschaft

Zinc oxide and related materials - symposium held November 27 - 30, 2006, Boston, Massachusetts, U.S.A. ; [Symposium K, "Zinc Oxide and Related Materials", held ... at the 2006 MRS fall meeting]

Christen, Jürgen

In: Warrendale, Pa.: Materials Research Society, 2007; XV, 440 S.: Ill., graph. Darst. - (Materials Research Society symposium proceedings; 957), ISBN 978-1-558-99914-5Kongress: Symposium K: Zinc Oxide and Related Materials; (Boston, Mass.) : 2006.11.27-30MRS fall meeting; (Boston, Mass.) : 2006.11.27-30

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Crystallographic and electric proberties of MOVPE-grown AlGaN/GaN-based FETs on Si(001) substrates

Schulze, Fabian; Kisel, Olga; Dadgar, Armin; Krtschil, André; Bläsing, Jürgen; Kunze, M.; Daumiller, I.; Hempel, Thomas; Diez, Annette; Clos, Rainer; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Journal of crystal growth . - Amsterdam : North-Holland Publ. Co., Bd. 299.2007, 2, S. 399-403

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Epitaxy of GaN on silicon - impact of symmetry and surface reconstruction

Dadgar, Armin; Schulze, Fabian; Wienecke, M.; Gadanecz, A.; Bläsing, Jürgen; Veit, Peter; Hempel, Thomas; Diez, Annette; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: New journal of physics - [Bad Honnef]: Dt. Physikalische Ges., Bd. 9 (2007), 10, insges. 10 S.

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Homoepitaxial growth of ZnO by metalorganic vapor phase epitaxy in two-dimensional growth mode

Heinze, Sören; Krtschil, André; Bläsing, Jürgen; Hempel, Thomas; Veit, Peter; Dadgar, Armin; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Journal of crystal growth / ed. N. Cabrera [u.a.] - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 300 (2007), 1, S. 170-175

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Homoepitaxy of ZnO - from the substrates to doping

Neumann, C.; Lautenschläger, S.; Graubner, S.; Sann, J.; Volbers, N.; Meyer, B. K.; Bläsing, Jürgen; Krost, Alois; Bertram, Frank; Christen, Jürgen

In: Physica status solidi: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 244 (2007), 5, S. 1451-1457

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Vapour transport growth of ZnO nanorods

Mofor, A. C.; Bakin, A. S.; Elshaer, A.; Fuhrmann, D.; Bertram, Frank; Hangleiter, A.; Christen, Jürgen; Waag, A.

In: Applied physics / A - Berlin: Springer, Bd. 88 (2007), 1, S. 17-20

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Fabry-perot effects in InGaN/GaN heterostructures on Si-substrate

Hums, Christoph; Finger, Tilo; Hempel, Thomas; Christen, Jürgen; Dadgar, Armin; Hoffmann, A.; Krost, Alois

In: Journal of applied physics / publ. of the American Institute of Physics, AIP. Elmer Hutchisson, ed - Melville, NY: AIP, Bd. 101 (2007), 3, S. 033113, insges. 4 S.

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Complex excitonic recombination kinetics in ZnO - capture, relaxation, and recombination from steady state

Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois

In: Applied physics letters / publ. by the American Institute of Physics - Melville, NY: AIP, Bd. 90 (2007), 4, S. 041917, insges. 3 S.

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Metal-organic vapor phase epitaxy and properties of AllnN in the whole compositional range

Hums, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Diez, Annette; Hempel, Thomas; Christen, Jürgen; Krost, Alois; Lorenz, K.; Alves, E.

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 90 (2007), S. 022105-1-022105-3

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift

Blue light emitting diodes on Si(001) grown by MOVPE

Schulze, Fabian; Dadgar, Armin; Bertram, Frank; Bläsing, Jürgen; Diez, Annette; Veit, Peter; Clos, Rainer; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Physica status solidi / C - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 4 (2007), 1, S. 41-44

Aus technischen Gründen können nur 200 Publikationen angezeigt werden.

Mehr im Forschungsportal ansehen.

Koorperationen
  • Prof. Dr. Fernando Ponce, Arizona State University, Tempe AZ, USA
  • Prof. Dr. Enrique Calleja Prado, Polytechnic Institute Madrid, Spain
  • Prof. Dr. Hadis Morkoc, Virginia Commenwealth University, Richmond, VA, USA
  • Prof. Dr. Bernard Gil, CNRS + Université de Montpellier II , France
  • Prof. Dr. Nicolas Grandjean, Ecole Politechnique Federale de Lausanne, Switzerland
  • Dr Eva Monroy, CEA Institut Néel, Grenoble, France
  • Prof. Dr. Matthew Phillips, University of Technology Sydney, Australia
  • Prof. Dr. Hiroshi Amano, Nagoya University, Japan
  • Prof. Dr. Roland Scheer, Martin Luther-Universität Halle-Wittenberg, FG Photovoltaik, Germany
  • Prof. Dr. Susanne Siebentritt, L’Université du Luxembourg, Luxembourg
  • Prof. Dr. Andreas Waag, Institut für Halbleitertechnik, TU Braunschweig, Germany
  • Prof. Dr. Andreas Rosenauer, Universität Bremen, Germany
  • Prof. Dr. Axel Hoffmann, Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Germany
  • Dr. Stacia Keller, Solid State Lighting & Energy Electronics Center, UCSB, Santa Barbara, CA, USA
  • Dr. Albert Davydov, Material Measurement Laboratory, NIST, Gaithersburg, MD, USA
  • Professor Dr.-Ing. Andrei Vescan
Profil
Forschungsprofil
  • Experimentalphysik
  • Festkörperphysik
  • Halbleiterphysik
  • Optoelektronik
  • Photonik
  • photonic bandgap
  • light-matter interaction
Service
Beratung und Gutachten im Themenfeld
  • Experimentalphysik
  • Festkörperphysik
  • Halbleiterphysik
  • Optoelektronik
  • Photonik
  • photonic bandgap
  • light-matter interaction
Vita

1977 - 1983

Studium der Physik an der RWTH Aachen

1988

Promotion zum Dr. rer. nat. an der Technischen Universität Berlin

1990 - 1991

postdoc bei Bell Communications Research, BELLCORE, Red Bank, New Jersey, USA

1993

Forschungsaufenthalt am Institute for Scientific and Industrial Research ISIR, Osaka University, Japan

1992

Habilitation für das Fach Experimentalphysik an der Technischen Universität Berlin, Ernennung zum Privatdozenten

1983 - 1988

wissenschaftlicher Mitarbeiter am Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin

1988 - 1993

Oberingenieur (C2) am Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin

seit 1.1.1994

Ordentlicher Professor (C4) für Experimentalphysik/ Festkörperphysik, Institut für Experimentelle Physik,Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg

2001 - 2002

Forschungsaufenthalt (sabbatical) am Dep. of Physics and Astronomy, Arizona State University, ASU, Tempe/Phoenix, Arizona, USA

1998 - 20022008 - 2012

Dekan der Fakultät für Naturwissenschaften, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg

2002 - 20082012 - 2016

Senator der Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg

2012 - 2016

Prorektor für Planung und Haushalt

1989

Carl Ramsauer Preis der AEG

1989

Oyo Buturi Preis der Japanese Society of Applied Physics

2009

Otto-von-Guericke Forschungspreis

Presse
Forschungsschwerpunkte:
Mikroskopische Charakterisierung innovativer Halbleitersysteme für neuartige Bauelementanwendungen in der Nano- und Optoelektronik. Korrelation der strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften von:
- Halbleiter-Nanostrukturen: Quantum Wells, Supergitter, Quantenfäden und Quantenpunkten
- Photonische Strukturen (Licht-Materie-Kopplung, Micro Cavities, Photonic Bandgap)
- Neue "wide-gap" Halbleitermaterialien für Optoelektronik im grünen, blauen, violetten und UV
- Ordnungs- und Entmischungsphänomene in ternären und quaternären Halbleitern: GaInP, InGaN, AlGaN, …
- Halbleiterbauelemente: LEDs, Laser, Detektoren, Sensoren, Ein-Elektronen-Transistoren
- Entwicklung neuartiger hochauflösender bildgebender Lumineszenzmeßmethoden mit submikroskopischer bis atomarer Ortsauflösung

Letzte Änderung: 08.06.2023 - Ansprechpartner: Webmaster